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一文搞懂NXP恩智浦PCF8583T实时时钟RTC工作原理
PCF8583是一个时钟和日历芯片，基于2048位静态CMOS1 RAM，该RAM被组织为256个字乘8位。地址和数据通过双线双向I2C总线串行传输。内置字地址寄存器在每个写入或读取数据字节后自动递增。地址引脚A0用于对硬件地址进行编程，允许在没有额外硬件的情况下将两个设备连接到总线。
内置32.768kHz振荡电路和RAM的前8个字节用于时钟、日历和计数器功能。接下来的8个字节可以编程为报警寄存器或用作空闲RAM空间。剩下的240个字节是空闲的RAM位置。
功能和优点
1²C总线接口工作电源电压：2.5 V至6 V
时钟工作电源电压1.0 V至6.0 V，温度为0°C至+70°C
240×8位低压RAM
数据保持电压：1.0 V至6.0 V
工作电流（fSCL=0 Hz时）：最大50μA
具有四年日历的时钟功能
带报警和溢出指示的通用定时器
24小时或12小时格式
32.768 kHz或50 Hz时基
串行输入输出总线（I2C总线）
自动字地址递增
可编程报警、定时器和中断功能
从地址：A1h或A3h用于读取，A0h或A2h用于写入
引脚
应用示例图
方框图
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AOS万代AONR21357场效应管的中文参数、功能特点和应用领域
AOS万代AONR21357场效应管是一款高性能的功率MOSFET芯片，以下是其详细的中文参数、功能特点以及应用领域：一、中文参数制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.（AOS万代）产品型号：AONR21357描述：MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFNFET类型：P通道漏源电压（Vdss）：30V连续漏极电流（Id）：25°C时：21A（Ta），34A（Tc）栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA导通电阻（RdsOn）：7.8毫欧 @ 20A，10V驱动电压：最大RdsOn为4.5V，最小RdsOn为10V最大功率耗散：5W（Ta），30W（Tc）工作温度：-55°C至150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-DFN-EP（3x3）二、功能特点低导通电阻：AONR21357具有低导通电阻，能够提供较低的功耗和高效的电流传输能力。快速开关速度：该芯片具有快速的开关速度，能够实现高频率的开关操作，适用于需要高速切换的电路环境。高温性能：AONR21357在高温环境下具有良好的性能稳定性和可靠性，确保在各种恶劣条件下都能正常工作。内置保护功能：提供过流、过热等保护功能，增强电路的安全性和稳定性。三、应用领域电源管理：AONR21357可用于电源开关、电池充放电控制和电源转换器等应用中，提供高效的功率管理和电源控制功能。电机驱动：适用于小功率直流电机驱动电路，如风扇、电动工具、机器人等设备中，提供高效的电机控制和驱动能力。LED驱动：可用于小功率LED照明应用中的电流调节和驱动电路，实现亮度调节和节能功能。无线通信：在无线通信设备中，可作为功率放大器和射频开关等应用，提供高速、高效的信号放大和开关控制功能。消费电子：广泛应用于各种小功率消费电子设备中，如平板电脑、智能手机、数码相机等，提供高效的电源管理和信号处理功能。综上所述，AOS万代AONR21357场效应管以其低导通电阻、快速开关速度、高温性能和广泛的应用领域而备受青睐。如果您在采购或应用过程中有任何疑问或需要进一步的建议，请随时联系我。
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北京兆易创新：前沿存储技术与开创性Flash解决方案引领行业变革
作为中国存储芯片及MCU的领军企业，兆易创新自2005年成立以来，不仅在NOR Flash领域全球排名第三、国内第一，更是累计出货超过212亿颗，成为华为、苹果、三星等大厂的主要供应商。该公司在此领域已连续十年的市场份额始终保持在前三，并且份额超过20%。公司以其丰富的产品线，如NOR FLASH、MCU、NAND FLASH等，成功打入各大消费、工业和汽车市场，凭借其平台化布局与创新技术，引领着行业的技术进步和市场趋势。在当前存储器和微控制器市场空间超过230亿美金的背景下，兆易创新正展现其在智能时代的核心竞争力。兆易创新的成功不仅在于其大规模的生产，更在于其对创新和适应的承诺。从最初为消费电子服务，到现在的物联网设备、智能手机的OLED屏幕、5G基站和汽车电子等领域，兆易创新都提供了解决方案。在第11届EEVIA中国硬科技媒体论坛上，兆易创新Flash事业部产品市场经理张静详细介绍了兆易创新的突破性存储技术。自其成立以来，兆易创新一直致力于技术创新，并为市场带来了一系列高性能、低功耗和多样化的存储解决方案。起初，兆易创新的重点主要集中在NOR Flash上，但随着技术的演进和市场的变化，其产品线逐渐从NOR扩展到了NAND Flash，提供了从小容量到8GB的丰富选择，以满足各种应用场景的需求。兆易创新的产品目前已覆盖了27个产品系列，16种容量类型，4个电压范围，7个温度规格和29种封装方法。这种广泛的产品线确保了客户能够为其应用找到最佳的存储解决方案，无论是关于性能、功耗还是封装。在新兴领域如物联网、可穿戴和汽车电子对Flash存储需求不断增长的今天，兆易创新推出了T/LT/X/LX系列，这些系列都具备了超高的性能。例如，其四口SPI Flash产品达到了惊人的200MB每秒，而八口版本更是达到了400MB每秒，这使它们在行业中都占有一席之地。但兆易创新并不仅仅关注性能，他们非常明确地意识到了在当前全球能源有限的大背景下，绿色和低功耗设计的重要性。他们推出了多种电压级别的Flash产品，范围从3伏到1.2伏，确保了从工业控制到消费电子产品等各种应用的能源效率需求都能得到满足。在封装技术方面，为了迎合日益迫切的小型化和高容量需求，兆易创新在业界率先推出了1.2x1.2的USON6封装和尺寸与裸die相当的WLCSP封装。这些封装技术不仅满足了对更小尺寸的需求，还为客户提供了更大容量的选择，满足了日益增长的数据存储需求。随着半导体工艺技术的持续进步，与先进的SoC制程的兼容性也变得尤为重要。兆易创新针对这个需求，推出了与1.2V SoC完美匹配的1.2V NOR Flash，极大地简化了设计工作，同时也进一步提高了整体系统的效率。对于NOR Flash的数据保持时间和擦写周期，张静表示，他们的产品已经可以实现20年的数据保持和10万次的擦写周期。这意味着，即使在高频繁的使用环境中，他们的产品也能够保持稳定的性能。张静进一步指出，尽管NAND Flash和NOR Flash在某些容量点上存在重叠，但对于某些高可靠性的应用场景，客户仍倾向于选择NOR Flash。关于封装技术的未来，张静透露，兆易创新正在探索微型化的可能性，并考虑如何在不牺牲容量的情况下进一步缩小尺寸。此外，他们还在研究NOR Flash的容量是否可以进一步提高，以及电压是否有可能突破到1.1V或更低。在PCM相变存储器这个潜在的竞争技术方面，张静认为，尽管PCM有其独特的优势，但NOR Flash在高可靠性和长期存储系统代码的应用中仍然占有不可替代的地位。综上所述，兆易创新科技集团通过其不断的技术创新，为全球市场提供了一系列高质量和高性能的存储解决方案。他们深知技术发展的趋势，始终站在行业的前沿，不断推动技术进步，满足客户的需求。随着技术的不断进步，我们有理由相信，兆易创新将继续引领存储行业的未来，为我们带来更多创新和优秀的产品。
哦! 它是空的。