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采用BSI技术的3D成像飞行时间传感器
这款用于3D成像的飞行时间（Time-of-Flight）传感器采用了背照式（BSI）技术，具有高精度、小像素尺寸、高分辨率、低功耗、全集成等特点，打破欧美国际厂商的垄断，可广泛应用于人工智能、人脸识别、自动驾驶、AR/VR、3D建模、动作捕捉、机器视觉等领域，在手机、安防、汽车等主流市场拥有光明的商业落地前景。
让每一种美都能立体可见
SIF2X10是一系列采用了背照式技术（Back-side illumination）的飞行时间（Time of Flight）图像传感器。SIF2X10系列产品片上集成了高像素阵列、用来调制红外光源的信号发生器、低噪声ADC、片上温度传感器、独立的逻辑控制单元、片上高速时钟和用于高速数据传输的MIPI接口，支持高达100MHz的调制频率及高达240fps的输出帧率。其中，SIF2310集成了HVGA级（480x360）分辨率的像素阵列，SIF2610集成了VGA级（640×480）分辨率的像素阵列。
SIF2X10系列架构图
主要特性
● SIF2310分辨率达到HVGA级(480x360)，SIF2610分辨率达到VGA级（640×480）
● 背照式技术(Back-side illumination)
● 优秀的环境光抑制
● 兼容850nm/940nm红外光源（LED/VCSEL）
● 调制频率可达100MHz
● 240fps帧率
● 可编程感兴趣区域 (ROI) 的寻址引擎
● 全局精度<1%@5m
● 全局快门曝光
● 光学级封装
应用
● 智能手机
● AR/VR
● 安防监控
● 机器人&无人机
● 汽车电子
芯片针对NIR（近红外）波长进行了特殊优化，在850nm/940nm波段具有良好的感光度。配合红外光源，SIF2X10系列产品可以广泛应用于人脸识别、AR/VR、动作捕捉、3D建模、机器视觉、无人驾驶等领域。
芯片提供裸片或BGA封装。
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一文让你了解MOSFET，4个步骤快速完成MOSFET选型
今天教你4个步骤选择一个合适的MOSFET。第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。第二步：确定额定电流第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。第三步：确定热要求选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量；即要求印刷电路板和封装不会立即升温。第四步：决定开关性能选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
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单片机晶振的工作原理和作用是什么？
每个单片机系统里都有晶振，全程是叫晶体振荡器，在单片机系统里晶振的作用非常大，它结合单片机内部的电路，产生单片机所必须的时钟频率，单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的，晶振的提供的时钟频率越高，那单片机的运行速度也就越快。如果您对本文即将要涉及的内容感兴趣的话，那就继续往下阅读吧。晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。无源晶振和有源晶振：晶振是为电路提供频率基准的元器件，通常分成有源晶振和无源晶振两个大类。无源晶振需要芯片内部有振荡器，并且晶振的信号电压根据起振电路而定，允许不同的电压，但无源晶振通常信号质量和精度较差，需要精确匹配外围电路（电感、电容、电阻等），如需更换晶振时要同时更换外围的电路。有源晶振不需要芯片的内部振荡器，可以提供高精度的频率基准，信号质量也较无源晶振要好。晶振的作用：1、通用晶体振荡器，用于各种电路中，产生振荡频率。2、时钟脉冲用石英晶体谐振器，与其它元件配合产生标准脉冲信号，广泛用于数字电路中。3、微处理器用石英晶体谐振器。4、CTVVTR用石英晶体谐振器。5、钟表用石英晶体振荡器。晶振起振原理:晶振具有压电效应，即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形，反过来如外力使晶片变形，则两极上金属片又会产生电压。如果给晶片加上适当的交变电压，晶片就会产生谐振（谐振频率与石英斜面倾角等有关系，且频率一定）。晶振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体，在共振的状态下工作可以提供稳定、精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。利用该特性，晶振可以提供较稳定的脉冲，广泛应用于微芯片的时钟电路里。晶片多为石英半导体材料，外壳用金属封装。晶振的类型：最简单的晶体振荡器，也叫钟振。加上电压调频功能，就叫压控晶振VCXO；加上温度补偿电路，就叫温补晶振TCXO；加上温度控制电路，就叫恒温晶振OCXO。当然，还有VCTCXO和VCOCXO。温度补偿型晶振，又分模拟补偿和数字补偿（又叫TCXO），区别主要在于补偿电压给出方式不一样。现在还有一种方式，就是用单片机对TCXO进行二次补偿，温频特性能做到-8量级。
哦! 它是空的。