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Tenstorrent首席执行官Jim Keller表示,首席运营官Keith Witek推动了Tenstorrent与三星的合作,这一点非常令人兴奋。三星RSIC-V野心早在年初就有消息传出,三星将重启CPU内核的研发。知情人士透露,三星内部重新组建了一个CPU核心研发小组,并且由前AMD高级开发人员Rahul Tuli作为领头人,目标是在2027年推出使用自主内核的CPU。当时就有猜测称,三星可能会放弃ARM架构,选择采用目前大热的RISC-V架构。据悉,三星和Tenstorrent之间的合作非常深入,预计三星将为Tenstorrent提供RISC-V架构配套的工艺,这个工艺很可能是三星的4nm RISC-V工艺——SF4X工艺。三星美国代工业务负责人Marco Chisari表示:“三星正在美国扩张,我们致力于为客户提供最佳的半导体技术。三星先进的制造工艺将加速Tenstorrent在RISC-V和AI方面创新,用于数据中心和汽车解决方案。我们期待着成为Tenstorrent的代工合作伙伴。”根据相关报道,三星在RISC-V芯片代工方面已经有了一定的技术储备,且得到了客户订单。早在2019年,SemiFive负责人Cho Myung-hyun透露,该公司的芯片有采用三星的14nm LPP工艺,据悉这是三星首次涉足非ARM架构芯片代工业务。SemiFive是RISC-V巨头SiFive在韩的子公司,后者已经获得来自三星、Intel、高通等约1500亿韩元的投资,并维系超过250家生态伙伴。三星同时也是Tenstorrent的投资人,该公司曾联合现代集团向Tenstorrent注资1亿美元,目标是让Tenstorrent的AI芯片能够和英伟达的芯片抗衡。三星布局RISC-V的优势从三星和Tenstorrent的合作不难看出,三星是非常重视RISC-V发展的。同时,该公司在打造RISC-V生态方面也具有自己的优势。首先,三星本身就有长期研发CPU的经历和经验。三星自1994年就开始进军芯片领域,从事DVD芯片的研发。而后到了1996年,三星正式开始布局手机芯片。很多人可能不了解,苹果第一代iPhone采用的就是三星的 S5L8900 处理器。三星最知名的Exynos (猎户座)芯片自2011年面世之后曾经也有过 Exynos3310和Exynos7420等“神U”。虽然近些年三星在Mongoose (猫鼬) 自研ARM架构上遭遇了重创,并且丢失了在自家旗舰机上的搭载机会,但是Exynos芯片依然会在三星中端手机上得以延续。数十年的芯片研发史让三星在公版架构和深度定制架构方面都获取到了丰富的经验,为其自研RISC-V内核打下了深厚的基础。更为宝贵的是,三星这数十年的芯片研发历史中,勇于创新的形象是非常鲜明。先不说三星Exynos芯片性能如何,其敢于在公版架构和深度定制架构方面创新的勇气是值得肯定的,这也是能够实现RISC-V全自研架构不可缺少的品质。其次要谈到三星的产品优势,作为一个庞大的集团,三星有非常丰富的业务矩阵,最核心的当属三星电子,提供包括智能手机、电脑、平板、显示器、电视等在内的丰富电子产品。三星电子的存在已经在Exynos芯片上证明,能够提供优良的芯片创新沃土。并且,围绕三星代工业务也会有丰富的芯片应用机会。根据三星披露的消息,该公司自2017年就开始投入RISC-V的开发,首款产品是一款射频测试芯片。最后要说的是三星的代工优势。我们都知道,RISC-V目前是一个发展非常快速的领域,涌现出大量的初创公司和芯片流片需求,这些芯片很多都瞄准了市场前沿,比如人工智能、数据中心、嵌入式等等。那么,这些芯片就非常需要代工厂的配合,虽然台积电和英特尔也在布局RISC-V方面的代工,不过这两家公司自身产能的紧俏程度不需要他们投入太多精力去联合创新,这便是三星的机会。三星目前拥有丰富的代工工艺产线,可以满足各种RISC-V芯片创新。结语我们一直都在说,RISC-V有一个巨大的优势是没有历史性包袱,不需要为了兼容前代而去牺牲大量的性能和功耗。这一点其实和三星也很像,三星目前在芯片领域也是一副“而今迈步从头越”的态势,加上其近几年对先进制程的疯狂投入,有望重新勾画出一个极具竞争力的RISC-V生态圈。
三星RSIC-V野心
三星布局RISC-V的优势
结语
美国微芯电池管理系统应用包括电动汽车(ev)、混合动力电动汽车(HEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEVs)在内的需要充电的车辆的增长趋势正在推动全球BMS市场的指数增长。随着电动汽车的涌入,美国微芯致力于为电池管理系统开发高性能、最棒的解决方案。美国微芯广泛的汽车认证微控制器(MCU)和模拟混合信号解决方案产品组合在充满挑战的汽车环境中提供稳定可靠的性能。电池管理框图MEMS时钟:DSA60XX — MEMS振荡器DC-DC转换器:MCP1636x — 48V输入,2.2MHz,PFM/PWM,降压调节器MCP16311 — 30V/1A PFM/PWM同步降压调节器MCP16301H — 36V非同步降压调节器MIC28514/5/6/7 — 带外部软启动的75V/5A DC-DC开关降压调节器MCP1602 — 2MHz 500mA同步PFM/PWM降压调节器,带电源良好线性调节器:MIC5233 — 高Vin、低Iq LDO稳压器MAQ5282 — 120V Vin,低Iq LDO稳压器CAN收发器:ATA6563 — ATA6563高速CAN FD收发器,带待机模式和VIO引脚和WUP微控制器/数字信号控制器:SAMC20 — 基于32位5V SAM C Arm®Cortex®-M0+的微控制器PIC32MK — 32位MCUdsPIC33CK — 高性能单核数字信号控制器(DSC)dsPIC33CH — 高性能双核数字信号控制器PIC16F — 8位MCU安全:TA100 — CryptoAutomotive™ 安全ICBLE模块:BM70 — 蓝牙低能耗模块单元平衡和I/V监控:MCP3914 — 多通道24位125ksps AFEPAC1954 — 带蓄电池的多通道功率监测器,32VMCP33131D-05 — 单通道500ksps 16位ADC参考电压:MCP1501 — 高精度缓冲电压参考MCP1502 — 高精度缓冲电压参考温度传感器:MCP9700A — 低功率线性有源热敏电阻IC过电流保护:MSC015SMA070 — 700V碳化硅(SiC)MOSFETMSC035SMA070 — 700V碳化硅(SiC)MOSFET美国微芯代理商永芯易科技:如有采购需求可通过联系客服:4008-622-911或关注我司获取芯片产品规格书或芯片样品测试(样品测试:终端厂家专享,需提供公司信息)最终解释权归我司所有。
ST意法生产的ST1PS01是一款Nano-Quiescent同步整流降压转换器,能够提供高达400mA的输出电流,输入电压范围为1.8V至5.5V。该产品专为高效率及对PCB尺寸和对厚度有要求的应用而设计。 可以使用两个数字控制输入设置输出电压,也可以动态选择1.8 V至3.3 V的VOUT。由于增强的PCC(峰值电流控制),ST1PS01仅使用2.2μH电感和两个小电容即可实现极高的效率转换。 实现先进的设计电路以最小化静态电流该器件采用Flip-Chip芯片封装。ST1PS01特性VIN=3.6 V时500 nA输入静态电流(没有开关频率)1mA负载时典型效率为94%(VIN=3.6 V, VOUT=3.3 V)100%占空比输入电压范围为1.8 V至5.5 V欠压锁定:1.57 V (VINfalling, typ.)输出电流能力高达400 A低功率控制操作,以实现最佳效率嵌入式软启动电路微小的外部元件:L =2.2μH typ.可选输出电压:1.8 V至3.3 V输出电压电源良好±1.5%输出电压精度(VOUT, TA=25 °C)动态电压选择(D0,D1)采用Flip-Chip芯片封装ST1PS01应用健身追踪器增强现实(AR)头盔和眼镜智能手表耳机遥控器无线连接建筑安全和保障DisposableIndoor Localization and Warehouse Logistics托盘和集装箱追踪物联网标签和跟踪设备货物保障ST1PS01封装ST1PS01方框图ST1PS01应用框图如果您需要采购或者了解ST意法半导体和其他进口品牌相关芯片产品的数据手册、规格书、价格、样品测试请联系我们。
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