闪存和DRAM作为已经被行业使用了数十年的存储形式,因为其特性不同,往往只能被分别用于特定场景中。以闪存为例,其具有非易失性、非破坏性读出和高度扩展性等特点,但缺点在于需要高压开关电路,以及相对较慢的编程/擦除。DRAM拥有极高的耐用性,操作快速,但其为易失性存储,需要持续的电源供应,加上破坏性读出以及容量扩展上始终存在困难。可以看出,无论是闪存和DRAM,都逃不开能耗、性能、耐用性的二选一,所以这些年两者始终处于一个共生的局面。而ULTRARAM作为一个通用内存,自然是要解决闪存和DRAM之间存在的这些矛盾。与这两者在材料层面不同的是,ULTRARAM用的是III-V族化合物半导体,且主要是其中6.1 Å 家族的半导体,比如砷化铟、碲化镓和碲化铝。ULTRARAM是一种基于电荷的存储器,像NAND一样使用浮栅结构,所以也能像其他闪存一样,实现非破坏性读出。但相较闪存和DRAM,ULTRARAM可以实现超长时间的存储,这得益于其TBRT结构。哪怕是在单bit级别也能存储远大于十年的时间,ULTRARAM中的电荷可以存储1000年而不会出现泄露。且ULTRARAM开关能耗极低,开关速度更是低于ns级。