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同时取代闪存和DRAM，ULTRARAM真有这个潜力吗？
在近期的闪存峰会上，一家由英国兰卡斯特大学孵化的初创公司Quinas Technology获得了创新大奖。他们展示了ULTRARAM，一个结合了DRAM高性能和闪存非易失性的新技术，力求制造出同时替代闪存和DRAM的通用存储。
ULTRARAM与闪存和DRAM的区别 离量产还有多久？ 写在最后
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日立功率半导体被收购！
11月2日，株式会社日立制作所（以下简称日立）宣布与美蓓亚三美株式会社（以下简称美蓓亚三美）签订合同，日立决定将其全资子公司株式会社日立功率半导体（以下简称日立功率半导体）的全部股份转让给美蓓亚三美。日立功率半导体股权转让据悉，日立此次股权转让涉及股份数量为45万股。目前，股份转让的时间尚未确定，但日立方面的目标是尽快执行。本次签约之前，为实现日立功率半导体的进一步发展和提升企业价值，日立和日立功率半导体进行了反复磋商。双方认为，为了确保日立功率半导体在今后有望高速增长的功率半导体市场上实现持续发展，最佳方案便是在美蓓亚三美的经营管理之下，扩大生产能力和提高制造效率。本次股份转让完成后，日立会将获得的资金用于能源领域中的绿色能源业务和服务业务的发展投资，进一步提升企业价值。资料显示，美蓓亚三美成立于1951年7月，现任会长兼CEO为贝沼由久，业务内容包括轴承等机械加工品业务、电子元器件、半导体、小型电机电子设备业务、汽车零部件、工业机械、住宅设备业务。其中，模拟半导体业务被定位为核心业务之一。日立功率半导体成立于2013年10月，其目的是整合日立与日立原町电子工业株式会社的相同业务，构建功率半导体业务从设计、制造到销售的一条龙体制。在功率半导体领域，日立将“IGBT·SiC”、“高耐压IC”、“二极管”这三种产品作为核心产品阵容，利用高耐压和低损耗技术，提供高附加值的产品。日立在碳化硅领域的布局近年来，日立正在通过其子公司日立功率半导体和日立能源持续深耕碳化硅领域。据日经中文网2021年10月报道，日立功率半导体将在2024年度之前，将用于电压控制的功率半导体的供应量增加约7成。而在去年9月，日本《日刊工业新闻》报道称，日立功率半导体计划投资超1000亿日元，进一步将用于电动汽车和电器等产品的功率半导体产能提高至3倍。日立能源方面，其主要专注于碳化硅模块领域。去年5月，日立能源在德国纽伦堡的PCIM Europe推出RoadPak功率半导体模块，适用于各类型电动汽车。日立表示，该模块采用先进的SiC技术，可实现更快的充电速度、更高的车辆使用寿命可靠性，以及尽可能低的功率损耗以实现更长的行驶里程。日立能源在其位于瑞士的半导体工厂生产自己的 SiC 芯片，同时得到美国独立 SiC 芯片制造商的支持。这两个独立的制造来源，保证了日立能源基于 SiC 的功率半导体产品（包括 RoadPak）的全球供应安全。今年5月8日，日立能源在其官网宣布，位于瑞士伦茨堡的日立能源半导体新SiC e-Mobility生产线已落成。据日立能源介绍，SiC e-Mobility生产线是全自动化功率半导体生产线，还开发了SiC测试功能，可提供可靠、可重复的结果。据悉，该产线将量产日立能源于2022年发布的RoadPak模块。（文：化合物半导体市场Zac整理）
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新品发布！英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。在分立式封装中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A，有四种不同封装类型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP IGBT7 H7的TO-247-3 HCC封装具有较高的爬电距离。TO-247的4引脚封装（标准封装：IKZA，Plus封装：IKY）在提高性能方面表现出众，因为它不仅能降低开关损耗，还提供了额外的优势，如更低的电压过冲、最小的导通损耗和最低的反向恢复损耗。凭借这些特性，TRENCHSTOP IGBT7 H7简化了设计，最大限度减少了并联器件的需求。此外，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7具有出色的防潮性能，可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试，特别是HV-H3TRB，符合工业应用标准，因此非常适合户外应用。IGBT专为满足环保以及高效能源应用的需求而设计，相较于前几代产品有显著改进。因此，TRENCHSTOP IGBT7 H7 是常用于太阳能和储能系统等中的NPC1拓扑的理想补充。
哦! 它是空的。