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而各种电阻实现着不同的功能,有些利用电阻热效应,有些利用电阻限流特性,有些利用电阻阻抗匹配等等,所以电阻的分类也是五花八门,可以细分出很多类别。薄膜厚膜电阻有什么不同之处按照材料的不同、结构的不同、用途的不同甚至是引出电极的不同,都可以将电阻进行完整的分类。比较通用的分类是根据电阻器的阻值是否可调把电阻器分为固定式电阻、可变式电阻和半导体敏感电阻三大类。固定电阻下的细分种类其实很多,线绕电阻、膜式电阻、实芯电阻以及金属玻璃釉电阻都属于一经制成阻值就固定不变的电阻。目前用量较多的无疑是膜式电阻和线绕电阻两类。薄膜电阻与厚膜电阻属于固定电阻类别下的片状电阻。片状膜式电阻器是PCB设计中的用量很大元件,一部分原因当然是因为在大规模生产中安装这些膜式电阻相对更方便。厚膜电阻指采用厚膜工艺印刷(氧化钌或其他合金的糊状物)而成的电阻,一般采用丝网印刷或模板印刷工艺,厚度约为100um。就是在陶瓷基底上贴一层钯化银电极,然后在电极之间印刷一层二氧化钌作为电阻体。而薄膜电阻是用真空蒸发、磁控溅射等工艺方法,将电阻率材料蒸镀于基底绝缘材料(氧化铝陶瓷,硅或玻璃)表面制成,厚度约0.1um,然后通过光刻工艺将薄膜蚀刻成一定的形状。从定位描述就能看出薄膜电阻无疑是更精细的。选择合适的片式电阻目前市面上应用的最多的无疑是厚膜电阻,绝大多数电路设计中使用的都是容差在5%和1%的片状厚膜电阻,便宜且方便。虽然精度不及薄膜电阻,但厚膜电阻器能够比薄膜电阻器处理更多能量,所以能够在高功率应用中提供更高性能。薄膜电阻器毫无疑问更贵,基于它更精细的制造工艺,电阻值的设计能做到更精细。薄膜电阻制造工艺更加可控,还可以通过光刻或者激光修正,产生图案增加电阻路径并进一步校准电阻值。以往为了阻值更为准确,通常将固定电阻器与称为“微调电位计”的小型可变电阻器组合。薄膜电阻越来越精细的容差已经可以单独实现更精确的电阻值,不再需要微调电位计。这样一来也节省了PCB上宝贵的空间,也有助于减轻设备重量。选择片式电阻时,薄膜电阻往往针对精度设计,厚膜电阻则针对功率而设计,二者技术之间的区别还是很大的。不过随着创新的材料和更可控的生产工艺的升级,已经有能够在不牺牲精度的同时提高薄膜电阻器的能力的方案。不少厂商在薄膜电阻上的突破已经可以看到很多标准型号的薄膜电阻在额定功率上不断在提高,功率/尺寸比的提供给薄膜电阻在高功率应用中有了更多机会。小结当然,这不是说取代厚膜电阻,厚膜电阻器在大规模应用以及大功率容量应用上仍然是至关重要的,薄膜电阻在精密型和高频型应用上也是无法取代的。薄膜电阻在功率方面的突破也的确为一些应用提供了更精细的选择。
薄膜厚膜电阻有什么不同之处
选择合适的片式电阻
小结
可编程逻辑器件CPLD和可编程逻辑器件FPGA的区别!在数字电路设计领域,可编程逻辑器件CPLD和可编程逻辑器件FPGA是两个常见的概念。尽管它们都属于可编程逻辑器件的范畴,但在设计和应用上存在一些重要区别。首先,CPLD是复杂可编程逻辑器件的简称,而FPGA则是现场可编程门阵列的缩写。这两者的主要区别在于架构和资源分配。CPLD采用固定的逻辑架构,其内部包含了有限数量的可编程逻辑单元和触发器。相较之下,FPGA具有更加灵活的架构,其中存在大量的可编程逻辑单元和可编程连线,可以根据设计需求进行自由组合和分配。其次,CPLD和FPGA在资源可用性和容量方面也存在差异。CPLD通常具有较少的逻辑单元和触发器,适用于相对简单的逻辑设计。而FPGA由于资源丰富,可以承载更复杂和庞大的设计。可以说,CPLD适合于中小规模的项目,而FPGA则更适合于大规模和高性能的应用。另外,CPLD和FPGA在开发和调试方面也有所区别。由于CPLD的规模较小,其开发和调试相对简单。一般情况下,CPLD可以通过简单的逻辑等效验证和仿真实现。而FPGA由于规模较大,开发和调试的复杂性更高。通常需要使用专业的开发工具和综合工具,进行逻辑综合、布局布线和时序分析等多个步骤。综上所述,CPLD和FPGA虽然都属于可编程逻辑器件,但在架构、资源可用性和开发调试等方面存在显著差异。选择合适的器件需根据具体的设计需求和应用场景来决定。对于简单的逻辑设计,CPLD可能是一个更好的选择;而对于规模较大、性能要求较高的项目,FPGA则是更合适的器件。可编程逻辑器件CPLD和可编程逻辑器件FPGA的区别正是基于以上观点来进行分析的。希望通过本文的介绍,您能够更好地理解和区分这两个概念。
浅谈二极管和晶体管的区别一、 二极管的原理与特点二极管是一种半导体器件,由PN结构组成,具有单向导电性。其原理是,当正极加电压时,P区变为正电荷,N区变为负电荷,电子从N区流向P区,这时二极管为导通状态;当负极加电压时,P区变为负电荷,N区变为正电荷,电子从P区流向N区,这时二极管为截止状态。二极管具有电压降、电流限制、稳压等特点,广泛应用于电源、检波、波整等电路中。二、 晶体管的原理与特点晶体管是一种三极半导体器件,由P型半导体、N型半导体和中间控制层组成,具有放大、开关、振荡等功能。晶体管的原理是,当正极施加电压时,P区变为正电荷,N区变为负电荷,电子从N区流向P区,这时形成一个电流,当电流到达中间控制层时,中间控制层的电场将电流控制在一定范围内,这时晶体管为放大状态;当负极施加电压时,P区变为负电荷,N区变为正电荷,电子无法流动,这时晶体管为截止状态。晶体管具有高输入阻、低输出阻、大放大倍数等特点,广泛应用于放大器、开关电路、振荡器等电路中。二极管和晶体管都是半导体器件,虽然二者在结构和功能上有所不同,但都在电子器件领域发挥着重要作用。无论是二极管还是晶体管,都是我们熟知的电子元器件,我们需要了解它们的原理和特点,才能更好地应用于实践中,创造更多的价值。
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