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格芯公司获得美国国防部为期10年31亿美元芯片制造合同
美国国防部与半导体晶圆代工生产商格芯（GlobalFoundries）公司签订一份为期10年的新合同，为重要的航空航天和国防工业应用供应安全的芯片。格芯公司是全球领先的半导体制造商之一，主要从事半导体工艺技术开发和制造。根据合同，今年9月，美国国防部初始拨款为1730万美元，10年共31亿美元，保证美国国防部及其承包商能够使用格芯公司在其美国工厂生产的半导体技术和产品。格芯公司的相关设施均获得美国国防部最高安全级别（可信供应商1A类）认证，可以最高级别的完整性制造芯片，以确保其安全可靠。
合同要求格芯公司为每个项目提供所需的适当安全级别，从格芯公司领先的GF Shield防护，到严格的出口管制处理，再到全球公认的最高级别的微电子制造安全，以达到1A类最高安全级别标准。
该合同是通过国防部国防微电子活动（MEA）可信访问计划办公室（TAPO）签订的，除了确保国防部在陆地、空中、海上和太空中使用的系统芯片的制造安全外，新合同还为国防部及其承包商提供了使用格芯公司强大的设计生态系统、IP库，并尽早获取正在开发的新技术和快速高效的原型设计，实现批量制造。此合同是国防部与格芯公司第三份连续10年期合同。
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落地场景在智能驾驶，大算力存算一体芯片迎来产品级发布
存算一体架构正受到学界、产界等各方的热议。智能化时代的算力需求和计算服务业态正在发生变革的背景下，英特尔、三星等国际IDM厂商和国内新锐的算力芯片厂商都在探索存算一体芯片，并衍生出不同的架构和技术路线。5月10日，人工智能芯片公司后摩智能发布一款大算力存算一体智驾芯片鸿途H30，并将智能驾驶作为落地场景。后摩智能创始人兼CEO吴强对第一财经记者表示，存算一体架构将存储和计算功能融合，比传统架构更接近人脑的计算方式，具备远高于传统方式的计算效率，而智能驾驶能够为存算一体架构的大算力芯片提供主流的应用场景。所谓存算一体（Computing in Memory），指的是在存储器中嵌入计算能力，以新的运算架构进行二维和三维矩阵乘法/加法运算。与以往的冯诺依曼架构相比，其打破了由于计算单元与存储单元过于独立而导致的“存储墙”，能够达到用更低功耗实现更高算力的效果。随着人工智能技术的加速落地，存算一体架构甚至被业界描述为继CPU、GPU架构之后的算力架构“第三极”。除了智能驾驶，云计算、边缘计算、物联网等场景都是存算一体芯片的优势领域。中国工程院院士邬贺铨在 2022 中国算力大会上表示，对自动驾驶等场景产生的热数据（实时性数据），存算分离会使数据在存储和计算之间来回输入，此时存内计算更适合热数据的处理。中国电动汽车百人会副理事长兼秘书长张永伟对记者指出，智能驾驶市场规模庞大，仍处于加速渗透的阶段，为新技术和新企业提供了创新发展的巨大机遇。存算一体作为一种创新技术，对工艺制程依赖度低，具有极高的竞争力，为智能驾驶芯片提供了更具前瞻性的技术路径选择。此前，在特斯拉2023 Investor Day预告片末尾，特斯拉公布了自家的存算一体芯片。目前，除特斯拉外，产界巨头也都纷纷布局了算一体方案。早先时候，三星、阿里达摩院包括AMD等大厂都相继推出了相关产品。阿里达摩院表示，相比传统CPU计算系统，存算一体芯片的性能提升10倍以上，能效提升超过300倍；三星表示，与仅配备HBM的GPU加速器相比，配备HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了约2100GWh。国内方面，据记者梳理，后摩智能、亿铸科技、知存科技、苹芯科技、九天睿芯等多家初创公司也都已采用存算一体架构专注人工智能大算力芯片的布局。不过目前各家公司布局的应用场景各有不同。恒烁半导体和知存科技是国内较早应用存算一体架构的企业，前者芯片对标的主要应用场景为可穿戴设备、AMOLED、汽车电子和智能家居，而后者则将产品的应用场景除了聚焦于可穿戴设备、智能家居之外，还多了安防监控和玩具机器人。后来居上的初创公司如九天睿芯、智芯科微、亿铸科技、千芯科技等开始聚焦边缘计算、自动驾驶、物联网、工业控制等大算力场景。艾媒咨询指出，下游应用驱动人工智能芯片由通用架构向专用架构变革，急剧增长的数据量对人工智能芯片的算力和功耗提出了更高要求。存算一体技术不仅能够使人工智能设备性能得到提升，还能降低成本。在下游应用的强驱动下，存算一体人工智能芯片将成为未来主流发展方向。不过也有业内人士对记者表示，目前存算一体芯片赛道在国内较为小众，不少能够提供应用场景的厂商还在观望。另一方面，虽然存算一体芯片的技术前景和应用场景逐渐明晰，但现阶段存算一体芯片还没有实现规模化的量产和部署，产品性能和产业生态有待考验。此外，存算一体芯片需要强化上下游协同以加速产业化进程。业内人士指出，存算一体芯片要实现大规模的量产、应用，涉及到上下游产业链的共同配合。包括行业标准化、生态的建立等。
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一样是功率器件，为什么SiC主要是MOSFET，GaN却是HEMT？
在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。为什么同是第三代半导体材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？为什么没有GaN MOSFET产品？下面我们来简单分析一下。GaN和SiC功率器件的衬底材料区别首先我们从衬底材料来看看SiC和GaN功率器件的区别，一般而言，SiC功率器件是在SiC衬底上生长一层SiC同质外延层，再在外延层上进行光刻和刻蚀等工序后形成器件。其中衬底是所有半导体芯片的底层材料，起到物理支撑、导热、导电等作用；而在衬底上生长出同质或异质晶体外延层的薄片，就叫外延片，器件有时候制作在外延片的外延层上，也有时候制作在外延片的衬底上（此时外延层起到支撑作用）。而GaN功率器件理论上可以由同质或异质外延片制作而成，其中又以同质外延最佳。这是因为异质外延由于晶格失配等问题，当衬底和外延材料不同时，容易产生缺陷和位错，因此无论是SiC还是GaN，同质外延片都是制作功率器件的最好方案。然而GaN衬底的制作方式复杂，目前主流的制作方式是先在蓝宝石衬底上生长出GaN厚膜，分离后的GaN厚膜再作为外延用的衬底，所以成本极高。据某国内GaN器件厂商透露，目前2英寸的GaN衬底价格高达1.5万元人民币，而8英寸硅外延片的市场价不到300元，对比可以知道目前GaN衬底价格之高，是难以用于制造功率器件的。于是退而求其次，SiC与GaN的晶格匹配度相对较高，也就是晶格失配较小，所以使用SiC衬底也是一些GaN射频器件所选择的方向。当然，SiC衬底也并不便宜，因此，主流的GaN功率器件，也就采用了Si作为衬底。Si作为最基础的半导体材料，当它用作GaN外延的衬底时也有不少优点，比如成本低、晶体质量高、尺寸大、导电性、导热性好，热稳定性好等。不过，由于Si和GaN之间的热失配和晶格失配很大，这种低适配性导致Si衬底上无法直接长GaN外延层，需要长出多道缓冲层（AlN氮化铝）来过渡，因此外延层质量水平就比SiC基差不少，良率也较低，仅约为60%。所以硅基GaN此前只能用来做小功率射频、功率器件，特别是在消费电子快充产品中得到广泛应用有替代Si MOSFET的趋势。而目前随着工艺的进步，已经有企业将GaN HEMT做到1200V耐压，而高压应用也将大大拓展GaN的应用领域。为什么GaN功率器件主要是HEMT上一部分我们了解到GaN同质外延由于价格太高，所以目前的GaN功率器件主要是Si或SiC衬底，但实际上这个部分也一定程度上解释了为什么GaN 目前主要的功率器件是HEMT而不是MOSFET。因为MOSFET是在衬底上制作的，需要在衬底上形成MOSFET器件的部分结构，但由于GaN功率器件主要是基于异质外延片，为了避免晶格失配导致的缺陷等，需要长出多层缓冲层，而缓冲层是绝缘的，所以不适合做MOSFET器件。而GaN HEMT结构上是采用类似PN结的异质结产生的电子气导电，基本上可以理解为平面结构，所以工艺上较容易实现。当然GaN MOSFET目前也有一些公司在开发，不过总体而言目前还处于研发阶段。据业内人士介绍，要实现GaN MOSFET有四个关键点包括一个漏电低的栅介质层；一个可以由栅压控制开启和关断的形成在衬底半导体上的MOS沟道；—个可以与MOS沟道连通的源漏有源区及低接触电阻的源漏欧姆接触电极；一个界面态密度较低的MOS界面。
哦! 它是空的。