AOS万代AONS62922场效应管是一款性能卓越的半导体器件,以下是其详细的中文参数、功能特点和应用领域:
中文参数
型号:AONS62922
晶体管类型:N沟道(部分资料可能提及P-沟道,但此处以N沟道为主,因产品特性描述中未明确提及双沟道,且N沟道为常见类型)
封装规格:DFN8_5.55X5.2MM_EP
漏源电压(Vdss):120V
连续漏极电流:85A
栅极电荷(Qg):65nC
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):7.1mΩ
击穿电压:120V(部分资料可能提及栅极源极击穿电压±20V,但此处以漏源击穿电压为主)
工作温度:-55℃~+150℃
安装类型:SMT(表面贴装技术)
引脚数:8Pin
尺寸:长5.55mm x 宽5.20mm x 高0.95mm
原产国家:美国
原始制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
功率耗散/额定功率:215W
功能特点
低RDS(ON):AONS62922具有极低的导通电阻(RDS(ON)),这有助于减少能量损失,提高电路效率。
高开关速度:由于栅极电荷较低,该场效应管具有较快的开关速度,适用于高频电路应用。
高可靠性:采用先进的半导体工艺制造,具有出色的热稳定性和长期可靠性。
符合RoHS标准:产品符合环保要求,无铅、无卤素等有害物质,符合欧盟RoHS指令。
应用领域
电源管理:AONS62922适用于各种电源管理应用,如开关电源、DC-DC转换器等,能够提供高效的电流控制和电压调节。
电机控制:在电动汽车、工业自动化等领域,该场效应管可用于电机驱动和控制,实现精确的速度和扭矩调节。
同步整流:在反激式转换器等电路中,AONS62922可用作同步整流器,提高电路的效率和稳定性。
消费类电子:适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品的电源管理和电池充电电路。
综上所述,AOS万代AONS62922场效应管以其低RDS(ON)、高开关速度、高可靠性和广泛的应用领域而备受青睐。
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