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三星将在2027年1.4nm工艺用上BSPDN背面供电技术
据业内人士透露，三星电子近期具体化了背面供电技术的商用时间表。三星电子代工部门首席技术官（CTO）Gitae Jeong在最近的一次论坛上表示，“我们计划在2027年将BSPDN应用到1.4nm工艺中。”
背部供电（BSPDN）技术是一项应用于先进半导体的创新技术，旨在更好地挖掘晶圆背面空间的潜力，但至今仍未在全球范围内实施。这也是三星电子首次披露其 BSPDN 开发进程。
虽然目前半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技术节点进行系统命名，但毫无疑问目前的工艺技术也是数字越小越先进。
随着半导体工艺微缩路线不断地向前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不断缩窄，从而对彼此产生干扰，而 BSPDN 技术则可以克服这一限制，这是因为我们可以利用晶圆背面来构建供电路线，以分隔电路和电源空间。
三星电子公开其背面供电计划后，代工行业竞争将更加激烈，各家企业争夺技术领先地位。目前，三家公司占据主导地位。英特尔被认为是背面供电技术最先进的公司，计划2024年通过应用该技术来量产半导体，用于Intel 20A（2nm级）工艺。英特尔还创建了自己的技术品牌“Powervia”，以强调背面供电技术的优越性。台积电也计划在2nm以下工艺中应用该技术，目标预计在2026年之前实现。
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