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“我们的芯片,马上就能规模量产了,这将实现国产高速光芯片的新突破!”7月20日,江苏铌奥光电科技有限公司总经理蔡文杰分享了这一好消息。该项目快速产业化的背后,源于南京市级科创基金的一笔1000万元天使投资。
雅特力AT32F421系列微控制器使用高性能的ARM® CortexTM-M4 32位的RISC内核,工作最大频率为120 MHz,CortexTM-M4内核具有一组DSP指令和提高应用安全性的一个存储器保护单元(MPU)。 AT32F421系列内置高速嵌入式存储器(高达64 K字节的闪存和16 K字节的SRAM),丰富的增强I/O 端口和联接到两条APB总线的外设。内置存储器可设置任意范围程序区受sLib保护,成为执行代码安 全库区。 器件包含1个12位的ADC、1个模拟比较器、5个通用16位定时器、和1个高级定时器,还包含标准和 先进的通信接口:多达2个I 2C接口、2个SPI接口(复用为I 2S接口)、2个USART接口、和1个红外 发射器。 AT32F421系列工作于-40 °C至+105 °C的温度范围,供电电压2.4 V至3.6 V,省电模式保证低功耗应 用的要求。功能内核:ARM® 32位CortexTM-M4 CPU − 最高120 MHz工作频率,带存储器保护单元 (MPU),内建单周期乘法和硬件除法− 具有DSP指令集存储器− 16 K字节到64 K字节的闪存程序/数据存储器 − 4 K字节的系统存储器作启动加载程序 (Bootloader)用,可一次性配置成一般用 户程序和数据区 − sLib:将指定之主存储区设为执行代码安全 库区,此区代码仅能调用无法读取 − 8 K字节到16 K字节的SRAMCRC计算单元复位和电源管理− 2.4至3.6伏供电和I/O引脚 − 上电/断电复位(POR/PDR)− 可编程电压监测器(PVD) − 低功耗模式:睡眠、停机、待机,4个WKUP 引脚可唤醒待机模式 − 支持5个32位的后备寄存器时钟管理− 4至25 MHz晶体振荡器 − 内嵌经出厂调校的48 MHz RC振荡器 (25 °C达1 %精度,-40 °C至+105 °C达2 % 精度) − PLL可灵活配置31至500倍频和1至15分频系 数 − 内嵌带校准的40 kHz RC振荡器 多达39个快速I/O − 所有都可以映像到外部中断 − 几乎所有I/O可容忍5 V输入电压− 所有均为快速I/O,寄存器存取速度最高fAHB− 带校准功能的32 kHz晶体振荡器5通道DMA控制器 1个12位2 MSPS A/D转换器,多达15个外部输入通道 1个比较器,带5个外部输入通道和1个内部参考电压多达10个定时器 − 1个16位7通道高级定时器,有6通道PWM输 出,带死区控制和紧急停止功能 − 多达5个16位定时器,每个定时器最多达4个 用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通 道和增量编码器输入− 1个16位基本定时器 − 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的)− 系统滴答定时器:24位递减计数器ERTC:增强型RTC,具有闹钟、亚秒级精度、 及硬件日历多达7个通信接口 − 2个I 2C接口(支持SMBus/PMBus)− 2个USART接口;支持主同步SPI和调制解调 器控制;具有ISO7816接口、LIN、IrDA能力 − 2个SPI接口(50兆位/秒),2个均可复用为 I 2S接口− 红外发射器串行线调试(SWD)接口 96位的芯片唯一码(UID)温度范围:-40至+105 °C 封装 − LQFP48 7 x 7 mm − LQFP32 7 x 7 mm − QFN32 5 x 5 mm − QFN32 4 x 4 mm − QFN28 4 x 4 mm − TSSOP20 6.5 x 4.4 mm型号列表AT32F421 系列器件功能和配置AT32F421 系列功能框图时钟树AT32F421 系列引脚
英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用,而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块,其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。英飞凌推出采用62 mm封装的CoolSiC™ MOSFET产品组合增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口,即使在高开关频率下,不需任何限制,也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰的高可靠性。此外,极低的开关损耗和传输损耗可以最大限度地降低冷却需求。结合高反向电压,这些半导体器件还可满足现代系统设计的另一项要求。借助英飞凌CoolSiCTM芯片技术,转换器的设计可以变得更有效率,单个逆变器的额定功率得以进一步提高,从而降低整体系统成本。配备铜基板和螺纹接口,该封装具有高鲁棒性的机械设计,可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的热循环能力和150°C的连续运行结温(Tvjop)实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得上下开关具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料(TIM),进一步提高模块的热性能。供货情况采用62mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三种型号可供选择。2000 V产品组合将包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A两种型号。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型号将于2024 年一季度推出。它还有专为快速特性评估(双脉冲/连续工作)设计的评估板可供选择。为了便于使用,该评估板还提供可灵活调整的栅极电压和栅极电阻,同时还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。
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