4008-622-911
国产芯片公司崛起之路，国产计算机CPU/MPU芯片公司
国产芯片公司崛起之路，国产计算机CPU/MPU芯片公司
从“芯”开始，掌握核心技术
随着5G、人工智能等新兴技术的崛起，芯片产业成为了全球科技竞争的重要领域。而国产芯片公司在这场竞争中正逐渐崛起。他们不仅具备了与国外巨头相媲美的技术实力，更重要的是，他们能够掌握核心技术，实现自主可控。
产业升级，中国芯片迎来新机遇
近年来，中国政府大力支持芯片产业发展，推动中国芯片企业与国际先进水平接轨。在这个大背景下，越来越多的国产芯片公司开始崛起，成为了中国科技产业升级的主要推动力。
技术创新，国产芯片焕发新活力
国产芯片公司在技术创新方面，也取得了长足进步。他们不断开展自主研发，推动高端芯片产业的发展。同时，他们也在不断加强与国际先进芯片企业的合作，实现互利共赢。
国产芯片公司崛起之路，不仅是技术实力的提升，更是中国科技产业发展的重要里程碑。相信在国家政策和市场需求的双重推动下，国产芯片企业的未来将会更加美好！
相关推荐
-
-
TE泰科电子推出全新ERNI VOLTRON 1000V高压传感连接器
TEConnectivity (以下简称“TE”) 针对电动汽车电池架构提升再上新品！全新ERNI VOLTRON 1000V 高压传感连接器，专用于电池管理系统 (BMS) 和电池断开单元 (BDU)，以测量整个电池架构和生态系统的电压。该连接器的设计特点、高 CTI 材料和接触表面最大限度地提高了爬电距离，具备高达1000V的信号测量能力，增加了电池架构中电压的承载能力，且在5千米海拔高度下均有稳定表现。其他特性小型化、薄型化，为紧凑型BMS的设计提供了更多自由空间适合在严苛的外部环境和汽车标准下使用应用CTI 600 树脂材料和镀金表面接触端子在-55°C 至 150°C 温度范围内可稳定工作，UL 94 V-0 阻燃性机械振动强度 SG2 (LV214)SMT 贴片焊接沿用MaxiBridge 的压接端子（符合LV214 和 SMBT 的标准）一次与二次锁定结构双色编码电气工作电压高达1000V介电强度 2.500V (LV215) / 3.700V端子额定电流高达 6A (0.35mm2)500 次插拔标准LV214LV215 (VW80332)USCAR 37认证108-94917 产品规格108-94917-1 产品规格114-94917 应用规范
-
-
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件,助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
新推出器件是业界首款采用顶部散热的TOLT氮化镓晶体管,扩展Transphorm多样化的产品封装组合，代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN®FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT 封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247插孔封装，还具有基于SMD的印刷电路板组装（PCBA）实现高效制造流程的额外优势。TP65H070G4RS 采用了 Transphorm强大的高性能 650 V 常闭型 d-mode 氮化镓平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。SuperGaN平台的优势与 TOLT 封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。Transphorm正在与全球多个高功率GaN合作伙伴展开合作，包括服务器和存储电源领域的领先客户，能源/微逆变器领域的全球领导者，创新型离网电源解决方案制造商，以及卫星通信领域的领军企业。Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“TOLL 和 TOLT 这样的表面贴装器件具有降低内部电感，以及在制造过程中更简单的板载安装等诸多优势。TOLT 通过采用顶部散热来提供更灵活的整体热管理，具有类似插孔式的散热性能。这些器件通常用于中高功率系统应用，关键细分市场包括高性能计算（服务器、电信、人工智能电源）、可再生能源和工业、以及电动汽车等。目前，其中一些市场应用已采用了Transphorm的氮化镓技术。我们非常高兴能够通过TOLT SuperGaN解决方案帮助客户实现额外的系统级优势。”继最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm发布该款TOLT FET新产品，进一步丰富了 Transphorm 的产品线，并彰显了Transphorm SuperGaN 平台采用不同封装形式器件“镓”驭全功率以支持客户应用的市场承诺。器件规格SuperGaN 器件凭藉其无与伦比的性能优势引领市场：● 可靠性：FIT失效率低于0.05● 栅极安全裕度：± 20 V● 抗扰性：4 V● 电阻温度系数（TCR）比 e-mode 常闭型氮化镓器件低 20%● 驱动灵活性（可采用标准的市售硅器件驱动器）该650 V SuperGaN TOLT 封装器件稳健可靠，已通过 JEDEC 标准认证。由于常闭型 d-mode 平台是将GaN HEMT与一个集成型低电压硅 MOSFET结合，因此，SuperGaN FET 可以使用常用的市售栅极驱动器驱动，应用于各种硬开关和软开关 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓扑中，提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。