安森美 NTHL015N065SC1 碳化硅 (SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用

来源:安森美onsemi| 发布日期:2023-11-17 10:41

安森美onsemi  NTHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款12mohm、650V MOSFET,采用TO-247-3L封装。该碳化硅MOSFET的设计快速而坚固耐用。该器件具有10倍介电击穿场强度和2倍电子饱和速度。这些MOSFET还具有3倍能量带间隙和3倍导热性。所有安森美碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项,专门设计用于汽车应用并符合其相关要求。

NTHL015N065SC1 特性

典型值 RDS(on) = 12m(VGS = 18V时)

典型值 RDS(on) = 15m(VGS = 15V时)

超低栅极电荷 (QG(tot) = 283nC)

高速开关,低电容 (Coss = 430pF)

100%经雪崩测试

该器件不含卤素,符合RoHS指令(7a豁免),无铅2LI(二级互连)

NTHL015N065SC1 应用

开关模式电源 (SMPS)

太阳能逆变器

不间断电源 (UPS)

储能