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TI德州仪器又一12吋晶圆厂动工
建设更强大的社区 可持续建设 构建半导体制造的下一个时代
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商务部发言人回应日本正式出台半导体制造设备出口管制措施
日本经济产业省5月23日公布了基于外汇法的货物等省令的修正版。把尖端半导体制造设备等23个品类列入出口管理限制对象名单。经过两个月的公告期之后，预计于7月23日施行。追加的23个品类除了向友好国等42个国家和地区出口外，均需要单独得到批准。对此商务部新闻发言人23日就日本正式出台半导体制造设备出口管制措施回应说，这是对出口管制措施的滥用，是对自由贸易和国际经贸规则的严重背离，中方对此坚决反对。商务部新闻发言人说，在日方措施公开征求意见期间，中国产业界纷纷向日本政府提交评论意见，多家行业协会公开发表声明反对日方举措，一些日本行业团体和企业也以各种方式表达了对未来不确定性的担忧。但令人遗憾的是，日方公布的措施未回应业界合理诉求，将严重损害中日两国企业利益，严重损害中日经贸合作关系，破坏全球半导体产业格局，冲击产业链供应链安全和稳定。
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ONSEMI安森美FDA28N50场效应管的中文参数、应用领域和功能特点
ONSEMI安森美FDA28N50的中文参数、应用领域和功能特点如下：一、参数类型：N沟道MOSFET引脚数：3 Pin封装：TO-3P-3（也有资料提及TO-3-3）漏源极电压(Vds)：500V连续漏极电流(Id)：28A导通电阻(RDS(on))：0.175Ω（或175mOhms）功耗：310W阈值电压(Vgs(th))：5V@250uA（也有资料提及3V）栅极电荷量(Qg)：105nC@10V输入电容(Ciss)：3866pF @25V（或5.14nF@25V）上升时间：126ns（或137ns）下降时间：110ns（或101ns）工作温度：-55℃~+150℃高度：20.1mm长度：16.2mm宽度：5mm单位重量：7.85g（或4.6g，可能因封装或测量方式而异）二、应用领域FDA28N50适用于多种开关电力转换器应用，包括但不限于：功率因数校正(PFC)平板显示屏(FPD) TV电源ATX电源电子灯镇流器三、功能特点低导通电阻：有助于减少能量损耗，提高效率。卓越的开关性能：快速开关速度，适用于高频应用。高雪崩能量强度：能够承受较高的电压冲击，增强器件的可靠性。内部栅极-源极ESD二极管：提供额外的静电保护，增强器件的抗干扰能力。耐热增强型封装：适应高温工作环境，确保器件长期稳定运行。综上所述，ONSEMI安森美FDA28N50是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于多种开关电力转换器应用，具有低导通电阻、卓越的开关性能、高雪崩能量强度等特点。
哦! 它是空的。