产品列表
品牌专区
BOM询价
关于我们
近日,著名咨询公司麦肯锡发表了一份SiC市场的分析报告,其中电动汽车市场以及SiC市场的最新预测数据值得我们关注。
电动汽车以及SiC市场预测麦肯锡从2018年到2022年之间的数据预测,到2030年电动汽车在全球轻型汽车市场中的份额将增长3.8倍,从大约1700万辆增加至6400万辆,市场份额从2022年的19%增长至2030年的67%。预计到2024年或2025年,多个国家的电动汽车总拥有成本将会与内燃机汽车持平,这样的预期也推动了电动汽车市场的增长。SiC在电动汽车中主要被应用于逆变器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能够提供更高的开关频率、热阻和击穿电压,从而有效提高电动汽车的工作效率并降低系统总成本。因此,随着电动汽车市场的增长,SiC也将迎来高增长阶段。麦肯锡报告显示,SiC器件市场在2022年的价值约为20亿美元,预计到2023年将达到110亿美元至140亿美元,年均复合增长率预计达到26%。麦肯锡预计,市场上70%的SiC需求将来自电动汽车,并认为中国是电动汽车需求最高的国家,将占到电动汽车SiC总需求的40%左右。由于对耐压以及效率的需求,目前800V平台的电动汽车上SiC器件的使用比例较高。报告分析称,到2030年,纯电动汽车(BEV)预计会占新能源汽车产量的75%,而混合动力(HEV)和插电混动(PHEV)汽车将占其余的25%。另外,到2030年,800V平台的渗透率将超过50%。SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高目前SiC市场高度集中,SiC衬底和器件市场上的前两家公司就垄断了大约60%到65%的SiC市场份额。其中,SiC市场的主要玩家采用IDM模式。根据麦肯锡的分析,SiC衬底和器件制造中采用IDM模式,能够将产量提高5%至10%,利润提高10%至15%。其中的原因包括更低的损耗率,同时还有在制造过程中的每个步骤中消除边际堆叠。通过更好地控制设计,并与晶圆和器件制造之间的闭环反馈实现更快的产量提升,可以实现更高的良率。从战略上看,IDM厂商能够为汽车OEM提供更稳定的供应,这在供应链中具备很大的优势。包括意法半导体收购Norstel、安森美收购GT Advanced Technologies (GTAT)和罗姆收购SiCrystal,都展示出SiC厂商布局IDM的趋势。在SiC晶圆方面,麦肯锡预计从6英寸晶圆向8英寸晶圆的转变将在2024年或2025年左右开始,到2030年8英寸SiC晶圆的市场渗透率将达到50%。一旦制造商成功克服了技术挑战,8英寸晶圆将为他们带来丰厚的利润收益,同时减少边缘损耗,提高生产效率,并能够充分利用硅制造中的折旧资产。根据我们对垂直整合程度的不同估计,这种转变所带来的利润增长幅度大约在5%至10%之间。美国领先的制造商预计将于2024年和2025年开始批量生产8英寸晶圆,随后这种生产将迅速增长。主要推动因素包括应对需求和价格压力(特别是来自中等规模电动汽车制造商),以及通过转向8英寸碳化硅晶圆制造实现的成本节约。分析结果显示,由于产量较低,与6英寸晶片相比,目前8英寸晶片衬底的单位价格仍相对较高。然而,随着工艺产量的提升和新晶片技术的引入,领先制造商在未来十年内有望缩小这一差距。例如,麦肯锡发现相较于传统的多线锯晶片切割技术,激光切割技术有望将一个单晶毛坯生产的晶片数量提升一倍以上。此外,先进的晶片技术如氢分裂等也有望进一步提高产能。中国本土供应商未出现行业领先者目前在中国SiC市场上,80%的衬底/晶圆以及95%以上的器件来自海外供应商,不过由于考虑到地缘政治以及供应稳定,中国汽车OEM正在加速寻求本土供应商。鉴于可见的产能扩张和器件技术性能,预计到2030年,中国汽车OEM厂商将广泛转向本地供应商采购,从目前的约15%提高到约60%。在整个碳化硅价值链中,从设备供应到晶圆和器件制造,再到系统集成,中国企业的崛起将推动中国向本地采购的转变。中国的设备供应商已经覆盖了所有主要的碳化硅制造步骤,并已宣布投资提升产能至2027年。不过,麦肯锡也认为,在中国的SiC行业中尚未出现明确的供应领导者。
电动汽车以及SiC市场预测
SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高
中国本土供应商未出现行业领先者
路透社7月17日消息,美国半导体行业协会(SIA)17日呼吁拜登政府“不要进一步限制”对华芯片销售,并敦促美国政府“允许业界保持在全球最大商品半导体商业市场——中国的市场准入”。美国半导体行业协会表示:“希望美国政府在与行业和专家有更广泛接触以评估当前和潜在限制措施的影响之前,不要采取进一步的限制措施,以确定这些措施是否范围狭窄、定义明确、得到统一一致的应用,并与盟国充分协调。”美国国家安全委员会的一名发言人在声明中称:“我们一直在慎重考虑如何正确处理这一问题,包括通过对法规进行广泛的公众评议,以及与盟友和合作伙伴、国会、行业及其他利益相关者深入协调。”对于美国的一系列芯片出口管制措施,中国外交部发言人此前表态称,美方出于维护科技霸权需要,滥用出口管制措施,对中国企业进行恶意封锁和打压,这种做法背离公平竞争原则,违反国际经贸规则,不仅损害中国企业的正当权益,也将影响美国企业的利益。
FTDI飞特帝亚FT601Q-B-T是一款功能强大的USB 3.0到FIFO接口桥接芯片,以下是其详细的中文参数、功能特点以及应用领域介绍:一、中文参数产品类型:USB接口集成电路、USB桥接器系列:FT60x封装:QFN-76引脚数:76电源电压:1.65V~3.6V(也有资料提及最小电源电压为3V,最大电源电压为3.3V,具体以实际产品为准)工作电源电流:典型值为185mA,也有资料提及最小工作电源电流为65mA工作温度:-40℃~85℃数据速率:USB 3.0 Super Speed可达5GbpsFIFO数据缓冲:内置16kB RAM通道数:支持4个输入通道和4个输出通道在FIFO总线连接上端点数:多达8个可配置端点(PIPE)接口:32位并行接口,数据突发率可达400MB/s二、功能特点高速传输:支持USB 3.0超高速(5Gbps)传输,同时也兼容USB 2.0高速(480Mbps)和USB 2.0全速(12Mbps)传输,满足不同速率需求。FIFO桥接:可作为USB 3.0到FIFO的桥接器,支持2个并行从FIFO总线协议245和FIFO模式,方便与外部FIFO存储器或设备连接。远程唤醒:支持远程唤醒功能,可通过USB信号唤醒系统或设备。多电压I/O:支持1.8V、2.5V和3.3V等多种电压I/O,兼容性强。可编程USB描述符:用户可编程USB描述符,方便定制设备属性和功能。电池充电检测:支持电池充电规范BC1.2,可用于电池充电侦查。三、应用领域旧版设备升级:可将旧版外围设备升级到USB接口,提高数据传输速率和兼容性。系统模块性增加:利用USB接口增加系统模块性,方便扩展和升级。数据采集:适用于USB 3.0数据采集系统,提供高速数据传输通道。影像设备:可用于USB 3.0数字摄像机、数码相机等影像设备的接口转换和数据传输。打印扫描设备:适用于打印机、扫描仪等设备的USB 3.0接口转换。医疗/工业成像:在医疗和工业成像设备中,提供高速、稳定的图像数据传输。综上所述,FTDI飞特帝亚FT601Q-B-T凭借其高速传输、FIFO桥接、多电压I/O支持等功能特点,在多个领域都有广泛的应用。如果贵司有芯片采购需求、BOM表配单、芯片样品测试请联系客服:4008-622-911或13823669944。
询价列表 ( 件产品)