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近日,著名咨询公司麦肯锡发表了一份SiC市场的分析报告,其中电动汽车市场以及SiC市场的最新预测数据值得我们关注。
电动汽车以及SiC市场预测麦肯锡从2018年到2022年之间的数据预测,到2030年电动汽车在全球轻型汽车市场中的份额将增长3.8倍,从大约1700万辆增加至6400万辆,市场份额从2022年的19%增长至2030年的67%。预计到2024年或2025年,多个国家的电动汽车总拥有成本将会与内燃机汽车持平,这样的预期也推动了电动汽车市场的增长。SiC在电动汽车中主要被应用于逆变器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能够提供更高的开关频率、热阻和击穿电压,从而有效提高电动汽车的工作效率并降低系统总成本。因此,随着电动汽车市场的增长,SiC也将迎来高增长阶段。麦肯锡报告显示,SiC器件市场在2022年的价值约为20亿美元,预计到2023年将达到110亿美元至140亿美元,年均复合增长率预计达到26%。麦肯锡预计,市场上70%的SiC需求将来自电动汽车,并认为中国是电动汽车需求最高的国家,将占到电动汽车SiC总需求的40%左右。由于对耐压以及效率的需求,目前800V平台的电动汽车上SiC器件的使用比例较高。报告分析称,到2030年,纯电动汽车(BEV)预计会占新能源汽车产量的75%,而混合动力(HEV)和插电混动(PHEV)汽车将占其余的25%。另外,到2030年,800V平台的渗透率将超过50%。SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高目前SiC市场高度集中,SiC衬底和器件市场上的前两家公司就垄断了大约60%到65%的SiC市场份额。其中,SiC市场的主要玩家采用IDM模式。根据麦肯锡的分析,SiC衬底和器件制造中采用IDM模式,能够将产量提高5%至10%,利润提高10%至15%。其中的原因包括更低的损耗率,同时还有在制造过程中的每个步骤中消除边际堆叠。通过更好地控制设计,并与晶圆和器件制造之间的闭环反馈实现更快的产量提升,可以实现更高的良率。从战略上看,IDM厂商能够为汽车OEM提供更稳定的供应,这在供应链中具备很大的优势。包括意法半导体收购Norstel、安森美收购GT Advanced Technologies (GTAT)和罗姆收购SiCrystal,都展示出SiC厂商布局IDM的趋势。在SiC晶圆方面,麦肯锡预计从6英寸晶圆向8英寸晶圆的转变将在2024年或2025年左右开始,到2030年8英寸SiC晶圆的市场渗透率将达到50%。一旦制造商成功克服了技术挑战,8英寸晶圆将为他们带来丰厚的利润收益,同时减少边缘损耗,提高生产效率,并能够充分利用硅制造中的折旧资产。根据我们对垂直整合程度的不同估计,这种转变所带来的利润增长幅度大约在5%至10%之间。美国领先的制造商预计将于2024年和2025年开始批量生产8英寸晶圆,随后这种生产将迅速增长。主要推动因素包括应对需求和价格压力(特别是来自中等规模电动汽车制造商),以及通过转向8英寸碳化硅晶圆制造实现的成本节约。分析结果显示,由于产量较低,与6英寸晶片相比,目前8英寸晶片衬底的单位价格仍相对较高。然而,随着工艺产量的提升和新晶片技术的引入,领先制造商在未来十年内有望缩小这一差距。例如,麦肯锡发现相较于传统的多线锯晶片切割技术,激光切割技术有望将一个单晶毛坯生产的晶片数量提升一倍以上。此外,先进的晶片技术如氢分裂等也有望进一步提高产能。中国本土供应商未出现行业领先者目前在中国SiC市场上,80%的衬底/晶圆以及95%以上的器件来自海外供应商,不过由于考虑到地缘政治以及供应稳定,中国汽车OEM正在加速寻求本土供应商。鉴于可见的产能扩张和器件技术性能,预计到2030年,中国汽车OEM厂商将广泛转向本地供应商采购,从目前的约15%提高到约60%。在整个碳化硅价值链中,从设备供应到晶圆和器件制造,再到系统集成,中国企业的崛起将推动中国向本地采购的转变。中国的设备供应商已经覆盖了所有主要的碳化硅制造步骤,并已宣布投资提升产能至2027年。不过,麦肯锡也认为,在中国的SiC行业中尚未出现明确的供应领导者。
电动汽车以及SiC市场预测
SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高
中国本土供应商未出现行业领先者
2023年12月22日,中国北京-服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM),与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车(纽约证券交易所代码: LI) 签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET,支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。随着汽车行业电动化和绿色低碳转型的持续深入,高压纯电动车因其能效更高、续航里程更远,已成为汽车制造商的热门选择。除知名的增程式电动汽车(EREV)以外,理想汽车也在进军纯电动车市场,其首款家庭科技纯电旗舰MPV已于2023年第四季度初次亮相。未来理想汽车计划推出更多高压纯电动车型。为确保新车型具有卓越的性能,需要在电驱逆变器中大量采用碳化硅MOSFET。意法半导体的碳化硅具有更高的开关频率、击穿电压和热阻,可以显著提高功率晶体管的性能和能效,这些特性在纯电车的高电压环境中非常重要。理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET先进技术,具有率先行业的工艺稳定性、性能、能效和可靠性。理想汽车供应链副总裁孟庆鹏表示:“理想汽车致力于为家庭用户提供超预期的豪华电动车。本次与ST的SiC供货协议签署印证了理想汽车开发纯电动车产品的坚定决策。我们看好与全球碳化硅技术龙头ST的未来合作,这必将是一段创新和成功的合作关系。”意法半导体在全球SiC MOSFET市场的份额超过50%,以其在电动汽车中的出色性能,赢得了头部汽车OEM的高度好评。在新能源汽车领域,意法半导体的碳化硅已被广泛用于车载充电和功率模块中。意法半导体执行副总裁、中国区总裁曹志平表示:“意法半导体是全球功率半导体和宽禁带技术的龙头企业,也是多家知名汽车制造商和一级供应商的长期供货商。我们与理想汽车签署的碳化硅供应协议标志着双方在其他汽车应用的长期合作基础上,又迈出了重要一步。ST承诺支持理想汽车成为中国高端新能源汽车龙头品牌,通过我们SiC创新技术为用户提供卓越的汽车性能和续航里程。”
NS4160概要纳芯威(NSIWAY)NS4160是一款带AB类/D类工作模式切换功能、超低EMI、无需滤波器、5W单声道音频功放。通过一个控制管脚使芯片在AB类或者D类工作模式之间切换,以匹配不同的应用环境。即使工作在D类模式,NS4160采用先进的技术,在全带宽范围内极大地降低了EMI干扰,最大限度地减少对其他部件的影响。NS4160无需滤波器的PWM调制结构及反馈电阻内置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本。NS4160内置过流保护、过热保护及欠压保护功能,有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。并且利用扩频技术充分优化全新电路设计,高达90%的效率更加适合便携式音频产品。NS4160提供eSOP8封装,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。主要特性AB类/D类工作模式切换功能AB类/D类工作模式和低功耗关断模式通过一线脉冲控制,节省主控GPIO5W输出功率0.1%THD(1W输出功率、5V电源)优异的全带宽EMI抑制能力优异的“上电,掉电”噪声抑制高达90%以上的效率(D类工作模式)工作电压范围:3.0V~5.5V过流保护、过热保护、欠压保护ESOP8封装应用领域手提电脑台式电脑低压音响系统NS4160典型应用电路极限参数注:在极限值之外或任何其他条件下,芯片的工作性能不予保证。芯片基本结构描述NS4160是单声道带AB类,D类工作模式切换功能的音频功率放大器。芯片内部集成了反馈电阻,放大器的增益可以在外围通过输入电阻设置。其原理框图如下:纳芯威常用音频芯片纳芯威NS8258内置BOOST升压,防失真、3WX2、纳芯威NS8002单声道、AB类音频功放纳芯威NS4890B单声道、AB类音频功放纳芯威NS4871单声道、AB类音频功放、底部散热纳芯威NS4830电荷泵升压、转换效率高、AB/D类切换纳芯威NS4820双电荷泵升压、防失真纳芯威NS4818AGC、内置电荷泵升压、抗干扰纳芯威NS4816AGC、内置电荷泵升压、抗干扰纳芯威NS4815内置电荷泵升压、抗干扰、NCN纳芯威NS4814内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.7V/11W单声道AB/D类双模音频功放纳芯威NS4813内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.7V/11W单声道AB/D类双模音频功放纳芯威NS4752内置BOOST升压、防失真、无需滤波器、3.6V/5W单声道AB/D类双模音频功放纳芯威NS4268DC音量控制、超低EMI、无需滤波器、3W双声道D类音频功放+立体声耳机功能纳芯威NS4263AB类/D类切换、超低EMI、无需滤波器、蓝牙音箱、中小尺寸TV3W双声道音频功放+立体声耳机功能纳芯威NS4258T低静噪、5W双声道、防破音、AB/D切换纳芯威NS4258低静噪、3W双声道、防破音、AB/D切换纳芯威NS4251AB类/D类切换、3D环绕立体声、3W双声道音频功放+耳机功能纳芯威NS4250第二代超长续航、2X3W、智能音频功放+耳机功能纳芯威NS4248超低EMI、无需滤波器、3W双纳芯威NS4225耐压18V、大功率双声道功放、可PBTL桥接纳芯威NS4216超低EMI、无滤波器、双声道纳芯威NS42053W双声道D类音频功放纳芯威NS4203超低EMI、无需滤波器、3W双声道D类音频功放纳芯威NS4168I²S数字音频输入、外围简洁纳芯威NS4165BAB/D类切换、5.3W单声道、5.5V耐压、扩音器、蓝牙音箱性价比高纳芯威NS4160一线脉冲AB类/D类切换、超低EMI、无需滤波器、5W单声道音频功放纳芯威NS4158B防失真、超低EMI、无需滤波器、纳芯威NS4158防失真、超低EMI、无需滤波器、5W单声道音频功放纳芯威NS4151S超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放纳芯威NS4151M超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放纳芯威NS4151D超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放纳芯威NS4150C超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放纳芯威NS4150B超低EMI、无需滤波器、3W单声道D类音频功放纳芯威NS4131单声道、AB类音频功放纳芯威NS4120大功率40W单声道D类功放纳芯威NS41117.4V双节锂电供电、9V/4欧/10W纳芯威NS4110BAB/D类切换、18W单声道、小封装大功率
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