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近日,著名咨询公司麦肯锡发表了一份SiC市场的分析报告,其中电动汽车市场以及SiC市场的最新预测数据值得我们关注。
电动汽车以及SiC市场预测麦肯锡从2018年到2022年之间的数据预测,到2030年电动汽车在全球轻型汽车市场中的份额将增长3.8倍,从大约1700万辆增加至6400万辆,市场份额从2022年的19%增长至2030年的67%。预计到2024年或2025年,多个国家的电动汽车总拥有成本将会与内燃机汽车持平,这样的预期也推动了电动汽车市场的增长。SiC在电动汽车中主要被应用于逆变器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能够提供更高的开关频率、热阻和击穿电压,从而有效提高电动汽车的工作效率并降低系统总成本。因此,随着电动汽车市场的增长,SiC也将迎来高增长阶段。麦肯锡报告显示,SiC器件市场在2022年的价值约为20亿美元,预计到2023年将达到110亿美元至140亿美元,年均复合增长率预计达到26%。麦肯锡预计,市场上70%的SiC需求将来自电动汽车,并认为中国是电动汽车需求最高的国家,将占到电动汽车SiC总需求的40%左右。由于对耐压以及效率的需求,目前800V平台的电动汽车上SiC器件的使用比例较高。报告分析称,到2030年,纯电动汽车(BEV)预计会占新能源汽车产量的75%,而混合动力(HEV)和插电混动(PHEV)汽车将占其余的25%。另外,到2030年,800V平台的渗透率将超过50%。SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高目前SiC市场高度集中,SiC衬底和器件市场上的前两家公司就垄断了大约60%到65%的SiC市场份额。其中,SiC市场的主要玩家采用IDM模式。根据麦肯锡的分析,SiC衬底和器件制造中采用IDM模式,能够将产量提高5%至10%,利润提高10%至15%。其中的原因包括更低的损耗率,同时还有在制造过程中的每个步骤中消除边际堆叠。通过更好地控制设计,并与晶圆和器件制造之间的闭环反馈实现更快的产量提升,可以实现更高的良率。从战略上看,IDM厂商能够为汽车OEM提供更稳定的供应,这在供应链中具备很大的优势。包括意法半导体收购Norstel、安森美收购GT Advanced Technologies (GTAT)和罗姆收购SiCrystal,都展示出SiC厂商布局IDM的趋势。在SiC晶圆方面,麦肯锡预计从6英寸晶圆向8英寸晶圆的转变将在2024年或2025年左右开始,到2030年8英寸SiC晶圆的市场渗透率将达到50%。一旦制造商成功克服了技术挑战,8英寸晶圆将为他们带来丰厚的利润收益,同时减少边缘损耗,提高生产效率,并能够充分利用硅制造中的折旧资产。根据我们对垂直整合程度的不同估计,这种转变所带来的利润增长幅度大约在5%至10%之间。美国领先的制造商预计将于2024年和2025年开始批量生产8英寸晶圆,随后这种生产将迅速增长。主要推动因素包括应对需求和价格压力(特别是来自中等规模电动汽车制造商),以及通过转向8英寸碳化硅晶圆制造实现的成本节约。分析结果显示,由于产量较低,与6英寸晶片相比,目前8英寸晶片衬底的单位价格仍相对较高。然而,随着工艺产量的提升和新晶片技术的引入,领先制造商在未来十年内有望缩小这一差距。例如,麦肯锡发现相较于传统的多线锯晶片切割技术,激光切割技术有望将一个单晶毛坯生产的晶片数量提升一倍以上。此外,先进的晶片技术如氢分裂等也有望进一步提高产能。中国本土供应商未出现行业领先者目前在中国SiC市场上,80%的衬底/晶圆以及95%以上的器件来自海外供应商,不过由于考虑到地缘政治以及供应稳定,中国汽车OEM正在加速寻求本土供应商。鉴于可见的产能扩张和器件技术性能,预计到2030年,中国汽车OEM厂商将广泛转向本地供应商采购,从目前的约15%提高到约60%。在整个碳化硅价值链中,从设备供应到晶圆和器件制造,再到系统集成,中国企业的崛起将推动中国向本地采购的转变。中国的设备供应商已经覆盖了所有主要的碳化硅制造步骤,并已宣布投资提升产能至2027年。不过,麦肯锡也认为,在中国的SiC行业中尚未出现明确的供应领导者。
电动汽车以及SiC市场预测
SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高
中国本土供应商未出现行业领先者
本课将为大家讲解CKS32F4xx系列产品的SysTick定时器原理及使用方法。SysTick定时器也叫SysTick滴答定时器,属于Cortex-M4内核外设。SysTick定时器可以用于查询延时、中断延时以及测量函数运行时间;在实时操作系统RTOS中作为滴答定时器,用于上下文切换。采用Cortex-M内核的微处理都有SysTick定时器,方便不同处理器之间的软件移植。SysTick定时器时钟源可直接选取系统时钟,还可以通过系统时钟8分频后取得。SysTick定时器内部是一个递减的计时器,当减到0时,将从LOAD寄存器中自动重装定时器初始值,重新向下递减计数,如此循环往复。如果开启SysTick中断,当计数器减到0时,SysTick可以生产异常,异常编号为15。SysTick定时器寄存器SysTick定时器内部是一个24位向下递减的计时器,包含4个寄存器,如图。图1SysTick定时器框图1)STK_CTRL寄存器STK_CTRL是SysTick定时器的控制及状态寄存器,相应功能如下:2)STK_LOAD寄存器STK_LOAD寄存器是SysTick定时器的重装载数值寄存器,相应功能如下:3)STK_VAL寄存器STK_VAL寄存器是SysTick定时器的当前数值寄存器,相应功能如下:4)STK_CALIB寄存器STK_CALIB寄存器是SysTick定时器的校准数值定时器,用于利用片上硬件为软件提供校准信息,但使用情况较少。在CMSIS Core中,不需要使用SysTick校准寄存器,因为CMSIS Core提供了一个名为“SystemCoreClock”的软件变量。此变量在系统初始化函数“SystemInit()”中设置,每次更改系统时钟配置时也会更新。这种方法比使用SysTick CalibrationRegister的硬件方法灵活。校准寄存器描述如下表:查询延时使用步骤1)配置SysTick定时器时钟源2)加载延时计数值 3)清零计数器,启动定时器开始递减计数 4)等待计数结束 5)清零计数,关闭定时器,延时结束 相关函数如下:中断方式延时使用步骤1)配置SysTick定时器时钟源2)调用系统函数SysTick_Config(),开启中断,配置中断间隔3)延时函数赋值延时变量,并等待延时变量递减到0,达到精确延时效果4)中断函数中延时变量递减到0 相关函数如下:测量短时函数的执行时间SysTick计时器可用于计时测量。例如,可以使用以下代码测量短函数的持续时间:SysTick->CTRL = 0; // 禁用 SysTickSysTick->LOAD = 0xFFFFFFFF; // 设置重装寄存器到最大值SysTick->VAL = 0; // 清零VALSysTick->CTRL = 0x5; // 使能SysTick, 使用处理器时钟while(SysTick->VAL != 0); // 等待重装完毕start_time = SysTick->VAL; // 较大的起始点TestDelayFunc(); // 待测函数执行时间stop_time = SysTick->VAL; // 获取执行结束时间cycle_count = start_time e stop_time;//计算函数执行时间由于SysTick是一个递减计数器,因此start_time的值大于stop_time。如果待测函数执行时间较长,这种情况必须启用SysTick异常,并使用SysTick处理程序来计算SysTick计数器下溢的次数。总结及注意事项SysTick定时器是微处理器系统内部定时器,提供精确的时间延时和计时功能。采用中断方式延时,需要考虑SysTick中断优先级较低,容易被打断影响延时;在嵌入式系统中,系统将使用SysTick计时器,应用程序中则不可在使用SysTick;在系统在线调试停止时,SysTick计时器将停止计时。
近日,清华大学集成电路学院教授吴华强、副教授高滨团队基于存算一体计算范式,研制出全球首颗全系统集成的、支持高效片上学习(机器学习能在硬件端直接完成)的忆阻器存算一体芯片,在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破,有望促进人工智能、自动驾驶可穿戴设备等领域发展。相关成果在线发表于最新一期的《科学》。忆阻器存算一体芯片及测试系统。清华大学供图该芯片包含支持完整片上学习所必需的全部电路模块,成功完成图像分类、语音识别和控制任务等多种片上增量学习功能验证,展示出高适应性、高能效、高通用性、高准确率等特点,有效强化智能设备在实际应用场景下的学习适应能力。相同任务下,该芯片实现片上学习的能耗仅为先进工艺下专用集成电路(ASIC)系统的3%,展现出卓越的能效优势,极具满足人工智能时代高算力需求的应用潜力,为突破冯·诺依曼传统计算架构下的能效瓶颈提供了一种创新发展路径。
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