STBP120设备为高达+28 V的输入电压提供过电压保护。根据中国信息产业部通信标准YD/T 1591-2006,其低RDS(on)N沟道MOSFET开关可保护连接到OUT引脚的系统免受直流电源故障的影响。
在输入过电压情况下,设备通过关闭内部低RDS(on)N沟道MOSFET立即断开直流电源,以防止损坏受保护的系统。
此外,该器件还监测其自身的结温度,如果结温度超过规定的极限,则关闭内部MOSFET。
该设备可以由微控制器控制,并且还可以提供关于故障条件的状态信息。
STBP120采用2 x 2.5mm的10-引脚TDFN微型封装。
特性
某些过电压选项符合中国通信标准YD/T 1591-2006(仅限过电压保护)
IN输入ESD耐受电压高达±15 kV(空气放电),在具有1μF输入电容器的典型应用电路中高达±8 kV(接触放电)(独立设备为±2 kV HBM)
小型、符合RoHS标准的2.5 x 2 mm TDFN–10铅封装。
启用输入(EN)
控制涌入电流的软启动功能
最高28 V的输入过电压保护
90 mΩ的低RDS(开启)
集成高压N沟道MOSFET开关
热停堆保护
故障指示输出(FLT)
集成电荷泵
应用
智能手机
数码相机
PDA和掌上电脑设备
MP3播放器
低功耗手持设备
引脚
封装
电路原理图
典型应用电路图