三星K4F8E3S4HD-GFCL存储芯片的中文参数:
品牌:SAMSUNG(三星)
商品型号:K4F8E3S4HD-GFCL
封装形式:FBGA-200(200球细间距球栅阵列封装)
存储容量:8Gb(即1GB LPDDR4,x32位架构)
数据传输速率:最高支持4266 Mbps
工作电压:1.1V(低功耗设计,兼容1.8V标准)
工作温度范围:-40°C 至 95°C(部分型号支持-40°C至125°C)
耐久性:支持SLC模式切换(部分型号),读写寿命高达10万次擦写
集成特性:集成内存控制器,减少PCB板占用空间;内置ECC(错误校验码)技术,自动修复数据读写错误,错误率低至10⁻¹⁵
其他特性:支持自动刷新和自刷新模式;具备EMC(电磁兼容)认证;宽温工作范围,适应极端环境
功能特点:
低功耗设计:采用LPDDR4技术,待机功耗仅为DDR4的1/5,显著降低能耗,延长移动设备续航时间。
高速数据传输:数据传输速率最高可达4266 Mbps,满足高速数据处理需求,提升设备运行效率。
高可靠性:内置ECC技术,自动修复数据读写错误,保障数据准确性;支持SLC模式切换,提升读写寿命,适用于高可靠性场景。
灵活适配:支持多电压规格(1.1V/1.8V),灵活适配不同电源设计;200球FBGA封装,尺寸紧凑,适配小型化设备。
宽温工作范围:部分型号支持-40°C至125°C的宽温工作范围,抵御汽车引擎舱高温、户外严寒等极端环境。
应用领域:
智能手机:作为运行内存,搭配UFS存储芯片,实现多任务后台运行与4K视频高速存储,如三星Galaxy S系列、小米旗舰机等。
智能穿戴设备:凭借小体积与低功耗,成为智能手表(如苹果Watch Series 9)、智能手环的核心内存,支持运动数据实时存储与固件快速升级。
轻薄笔记本:16GB DDR4芯片搭配NAND Flash存储,满足办公软件运行与文件存储需求,适配联想小新Pro、华为MateBook等轻薄本。
工业自动化:工业级型号支持-40°C至105°C宽温,适配智能电表、工业物联网终端等长期待机设备,降低能耗成本。
汽车电子:SLC模式切换提升读写寿命,保障车载娱乐系统、ADAS(高级驾驶辅助系统)数据存储可靠性。
人工智能(AI)与虚拟现实(VR):高速数据传输与低功耗特性,为AI计算、VR设备提供高效内存支持。
可穿戴设备:超薄封装与低功耗设计,适配AR眼镜、健康监测设备等新兴品类。