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ST意法半导体新的1350V系列产品提高IGBT模块的耐用性和效率
ST意法半导体发布了一种新型IGBTs，其击穿电压能力提高到1350V，最大工作温度为175°c，更高的额定值确保了更大的设计裕度、稳定的性能以及在所有工作条件下的扩展可靠性。
新的STPOWER IH2系列IGBTs也允许增加功率转换效率。有利的参数包括低饱和电压Vce(sat ),可确保器件开启时的低功耗。续流二极管具有低压降和优化的关断能量，可提高工作频率范围为16kHz至60kHz的单开关准谐振转换器的效率。
凭借其耐用性和高效率，这些IGBTs非常适合感应加热应用，包括厨房灶台、变频微波炉和电饭煲等家用电器。在2kW的应用中，ST的新IGBT器件可以减少高达11%的功耗。
此外，Vce(sat)具有正温度系数，器件之间紧密的参数分布有助于简化设计，并易于并联多个IGBTs，以满足高功率应用的需求。
该系列的前两款器件25A STGWA25IH135DF2和35A STGWA35IH135DF2现已量产，采用标准TO-247长引脚电源封装。
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哦! 它是空的。