瑞萨AT45DB641E-SHN-B存储芯片中文参数
品牌与型号:瑞萨(Renesas)/AT45DB641E-SHN-B
存储器类型:串行DataFlash(SPI接口,支持RapidS高速模式)
存储容量:64Mb(8MB),组织为256字节/264字节×32,768页
接口类型:SPI(模式0/3),支持RapidS串行接口(最高85MHz时钟频率)
工作电压:1.7V~3.6V(兼容低电压场景,如电池供电设备)
供电电流:
活跃读取电流:7mA(典型值,85MHz时钟)
深度睡眠电流:5μA(典型值)
超深度睡眠电流:400nA(典型值)
封装形式:8-SOIC(5.24mm×5.29mm,表面贴装)
引脚数:8引脚
工作温度范围:-40℃~+85℃(工业级)
物理特性:
高度:1.8mm(SOIC封装)
符合RoHS标准,无铅制造
可靠性:
数据保持时间:20年(典型)
写入/擦除周期:100,000次(每页,典型)
特色功能:
双256/264字节SRAM缓冲区,支持后台编程
页擦除(256/264字节)、块擦除(2KB)、扇区擦除(256KB)、芯片擦除(64Mb)
硬件/软件复位选项,支持JEDEC标准ID读取

应用领域
工业控制:
PLC(可编程逻辑控制器)程序存储与数据记录
工业传感器(如振动、温度监测)的实时数据存储
电机驱动器参数配置与固件升级
汽车电子:
车载信息娱乐系统(IVI)固件存储
车身控制器(BCM)配置数据存储
电池管理系统(BMS)参数校准与日志记录
消费电子:
智能电视、机顶盒的固件升级与用户设置存储
便携式设备(如电子书、手持终端)的代码与数据存储
物联网(IoT):
边缘计算节点的程序存储与数据缓冲
无线传感器网络节点的配置数据与采集数据存储
通信设备:
路由器、交换机的固件存储与配置备份
基站设备的参数校准与日志记录
功能特点
高速读取与灵活编程:
支持85MHz时钟频率,随机读取延迟低至8ns
页编程(1~256/264字节)直接写入主内存,或通过缓冲区编程
缓冲区到主内存的页编程,提升系统写入效率
低功耗设计:
超深度睡眠电流仅400nA,延长电池供电设备续航
支持低功耗读取模式(15MHz时钟,电流<15mA)
高可靠性:
工业级温度范围(-40℃~+85℃),适应恶劣环境
数据保持时间20年,写入/擦除周期10万次,满足长期使用需求
数据安全与保护:
个别扇区保护与锁定功能,防止意外写入或擦除
128字节一次性可编程(OTP)安全寄存器,存储唯一标识符
兼容性与易用性:
标准SPI接口,兼容主流MCU(如STM32、瑞萨RA系列)
提供开发工具链(如数据手册、驱动库),简化集成
与同类产品的对比优势
成本效益:相比进口品牌(如Microchip、Cypress),价格更低,性价比突出
供货稳定性:国内生产,避免进口芯片短缺风险
本土化服务:提供24小时技术支持、快速响应的FAE服务
总结:AT45DB641E-SHN-B是一款高性能、低功耗的64Mb串行DataFlash芯片,适用于对可靠性、读取速度和功耗要求较高的工业、汽车和物联网场景。其双SRAM缓冲区、灵活编程选项和宽温度范围,使其成为固件存储、参数配置和数据记录的理想选择。