4008-622-911
亚德诺ADP3623ARHZ-RL芯片的中文参数、应用领域和功能特点
您好，很高兴为您提供关于亚德诺ADP3623ARHZ-RL芯片的详细信息。以下是该芯片的中文参数、应用领域和功能特点：
一、中文参数
制造商：Analog Devices Inc.（亚德诺）
产品编号：ADP3623
包装：卷带（TR）
产品状态：在售
驱动配置：低端
驱动器数：2
电源电压：4.5V~18V
逻辑电压：VIL=0.8V，VIH=2V
输出电流：4A（双通道）
输入类型：反相
上升/下降时间：10ns
通道类型：独立式
栅极类型：N沟道MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘
二、应用领域
ADP3623ARHZ-RL芯片由于其高性能和稳定性，广泛应用于各种需要精确控制电源和信号放大的领域，如：
电源管理：用于DC-DC转换器、LED驱动器等电源管理电路中，提供稳定的电源输出。
电机控制：在电机驱动电路中，作为栅极驱动器，控制电机的启动、停止和速度调节。
工业自动化：在工业自动化系统中，用于控制各种执行器和传感器，实现自动化生产。
三、功能特点
高速驱动：具有10ns的快速上升/下降时间，能够满足高速信号处理的需求。
双通道设计：提供两个独立的驱动通道，可以同时控制两个N沟道MOSFET，提高系统的灵活性和效率。
宽电源电压范围：支持4.5V至18V的电源电压，适用于不同电压等级的电路应用。
高精度控制：通过精确的逻辑电压控制，实现对MOSFET的高精度开关控制。
高工作温度范围：能够在-40°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境。
希望以上信息能够帮助您更好地了解亚德诺ADP3623ARHZ-RL芯片。如果您有进一步的采购需求或疑问，请随时联系我们。
相关推荐
-
-
台积电美国4nm芯片工厂延期近一年 当地技术工人不足
7月21日消息，台积电日前发布了Q2季度财报，营收同比下滑10%，净利润大跌23%，也是2019年来的首次利润下滑。台积电的业绩受到了全球经济的影响，特别是智能手机依然没有恢复，AI芯片带来的增长并不能弥补。此外，台积电的海外建厂也遇到了挑战，中国大陆、日本的工厂还算顺利，但美国4nm工艺芯片厂的量产时间从2024年延期到了2025年。位于亚利桑那州的工厂花了台积电将近3000亿投资，最初计划是2024年初量产，之前已经延期到2024年年底，这次又跳票到2025年，已经晚了近一年时间，后续是否再延期都不好说。延期的原因也让台积电很无奈，CEO解释说这是因为美国当地能够熟练安装设备的专业工人数量不足。台积电还表示正积极解决问题，一方面是从岛内的工厂派遣更多的员工支援，另一方面是加大在美国的培训力度，希望短期内增加专业人员的数量。不过台积电没有明说的是，此前美国工人对台积电培训及管理的高压力度早就不满了，招不到人是有原因的。针对台积电的吐槽主要集中在两方面，一个是加班严重，每天12+小时是常态，而且还要轮班，另一个就是企业文化，台积电对员工的管理非常严格，甚至到了苛刻的程度，工作期间言行都受到束缚，很不自由，美国员工不能接受。
-
-
SK海力士和三星电子计划四季度全面提高DDR5产量
三星电子计划从四季度开始全面提高DDR5产量，SK海力士也在筹备提高DDR5产品比重。机构预计，今年四季度DDR5销售比例预计将超过20%（基于服务器DRAM），明年这一比例将进一步上升至51%。TrendForce预计四季度DDR5合约价格将较上一季度上涨3-8%。“上半年减产，年底增产。”之前因行业寒冬而减产的存储芯片公司们，又紧锣密鼓地展开增产。这一次，增产焦点将集中以DDR5为首的高附加值产品上。据多家韩媒消息，三星电子计划从今年第四季度开始全面提高DDR5产量。三星主要在平泽厂生产DDR5等最新产品，公司正在考虑提高DDR5生产率的方法。值得注意的是，此前三星的减产范围主要集中在DDR4及部分NAND闪存产品。公司今年5月开始量产12nm级16Gb DDR5 DRAM，9月又成功开发出2倍容量的32Gb DDR5 DRAM产品。SK海力士同样也在筹备提高DDR5产品比重。其已在今年5月开发出10nm级第5代（1b）DDR5，供应给英特尔。韩国投资证券分析师预计，由于DDR5需求高涨，拉动产品平均销售单价，SK海力士DRAM业务有望加快转亏为盈，公司整体业绩也有望提前摆脱亏损。另一存储巨头美光之前也已透露，将加速向DDR5过渡。美光科技在9月末的财报会议上表示，正在出样128 GB DDR5内存模块，采用美光32 Gb DDR5内存芯片。公司预计其DDR5出货量将在2024年第一季度末超过DDR4，超过行业进展速度。据市场研究公司Omdia预计，今年四季度DDR5销售比例预计将超过20%（基于服务器DRAM），明年这一比例将进一步上升至51%。由于明年发布的大多数服务器和PC平台都支持DDR5，需求将会增加。价格方面，9月已有业内人士称，DDR5内存模组价格在过去一个月上涨5-10%之后，还将进一步上涨，入门级产品价格也将上涨3-5%。另外，预计高价位DDR5产品将面临供应短缺，领涨DRAM市场。TrendForce也认为，由于买家情绪的变化，四季度DRAM价格进一步下跌的可能性有限，且PC DRAM合约价的反弹速度将快于预期，预计四季度DDR5合约价格将较上一季度上涨3-8%。存储器厂南亚科总经理李培瑛指出，近期市场需求已有所改善，预期第四季出货量将进一步增加，在DDR5价格率先调涨后，DDR4与DDR3价格均有机会翻扬，有利于亏损可望收敛。A股公司中，澜起科技已推进DDR5第二子代RCD芯片量产准备工作，并开展DDR5第三子代RCD芯片量产版本的研发；聚辰股份与澜起科技合作开发配套新一代DDR5内存条的SP产品，为DDR5内存模组不可或缺的组件。
哦! 它是空的。