以下是INFINEON英飞凌IKY75N120CS6XKSA1的中文参数、应用领域和功能特点:
一、中文参数
制造商:Infineon(英飞凌)
商标名:TRENCHSTOP
技术:Si
配置:Single
击穿电压(集电极-发射极):1200V
饱和电压:1.85V
栅极/发射极最大电压:20V
在25℃的连续集电极电流:150A
耗散功率:880W
集电极连续电流(Max):150A
栅极-射极漏泄电流:600nA
物理类型:IGBT晶体管
安装风格:Through Hole(通孔)
产品类型:IGBT Transistors
零件号别名:IKY75N120CS6 SP001666626
单位重量:6.895g
二、应用领域
IKY75N120CS6XKSA1因其出色的性能和参数,广泛应用于以下领域:
不间断电源(UPS):为关键设备提供稳定的电力供应。
电动汽车快速充电:在电动汽车充电站中,用于高效、快速地充电。
通用电机驱动-变频变压:在电机控制系统中,实现变频变压功能,提高电机运行效率。
DIN Rail Power Supply:为工业自动化和控制系统提供可靠的电源解决方案。
三、功能特点
高效率:具有低饱和电压和低开关损耗,可实现高效率的电力转换。
高稳健性:具有高温度稳定性和电流承受能力,确保在各种恶劣环境下稳定运行。
易于并联:VCEsat具备正温度系数,实现轻松并联能力,便于扩展系统容量。
低EMI:设计有低栅极电荷QG,有助于降低电磁干扰(EMI),提高系统的电磁兼容性。
热阻低:TO-247-3-46封装功率密度高且热阻低,使散热性能提升,延长IGBT预期使用寿命。
快速恢复:极软、快速恢复防并联二极管,提高系统的响应速度和稳定性。
综上所述,INFINEON英飞凌IKY75N120CS6XKSA1是一款性能卓越、功能强大的IGBT晶体管,适用于多种高要求的应用领域。如果您需要进一步的采购建议或技术支持,请随时联系我。