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ONSEMI安森美FDA28N50场效应管的中文参数、应用领域和功能特点
ONSEMI安森美FDA28N50的中文参数、应用领域和功能特点如下：
一、参数
类型：N沟道MOSFET
引脚数：3 Pin
封装：TO-3P-3（也有资料提及TO-3-3）
漏源极电压(Vds)：500V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(RDS(on))：0.175Ω（或175mOhms）
功耗：310W
阈值电压(Vgs(th))：5V@250uA（也有资料提及3V）
栅极电荷量(Qg)：105nC@10V
输入电容(Ciss)：3866pF @25V（或5.14nF@25V）
上升时间：126ns（或137ns）
下降时间：110ns（或101ns）
工作温度：-55℃~+150℃
高度：20.1mm
长度：16.2mm
宽度：5mm
单位重量：7.85g（或4.6g，可能因封装或测量方式而异）
二、应用领域
FDA28N50适用于多种开关电力转换器应用，包括但不限于：
功率因数校正(PFC)
平板显示屏(FPD) TV电源
ATX电源
电子灯镇流器
三、功能特点
低导通电阻：有助于减少能量损耗，提高效率。
卓越的开关性能：快速开关速度，适用于高频应用。
高雪崩能量强度：能够承受较高的电压冲击，增强器件的可靠性。
内部栅极-源极ESD二极管：提供额外的静电保护，增强器件的抗干扰能力。
耐热增强型封装：适应高温工作环境，确保器件长期稳定运行。
综上所述，ONSEMI安森美FDA28N50是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于多种开关电力转换器应用，具有低导通电阻、卓越的开关性能、高雪崩能量强度等特点。
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