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ST意法半导体的GaN驱动器集成了电流隔离，具有出色的安全性和可靠性
ST意法半导体首款用于氮化镓(GaN)晶体管的电流隔离栅极驱动器STGAP2GS在要求出色的宽带隙效率、强大的安全性和电气保护的应用中，调整尺寸和物料成本。
单通道驱动器可以连接到最高1200V的高压供电轨，对于STGAP2GSN窄体版本，可以连接到1700V的高压供电轨，并提供最高15V的栅极驱动电压。该驱动器能够向连接的GaN晶体管提供高达3A的吸电流和源电流，确保在高工作频率下严格控制开关转换。
隔离栅上的传播延迟极小，仅为45ns，因此STGAP2GS可确保快速动态响应。此外，整个温度范围内100V/ns的dV/dt瞬态抗扰度可防止不必要的晶体管栅极变化。STGAP2GS提供独立的吸电流和源电流引脚，可轻松调整栅极驱动操作和性能。
STGAP2GS驱动器无需分立器件来提供光隔离，因此可以在各种消费电子和工业应用中轻松采用高效、稳定的GaN技术。其中包括计算机服务器、工厂自动化设备、电机驱动器、太阳能和风能系统、家用电器、家用风扇和无线充电器中的电源。
除了集成电流隔离，该驱动器还具有内置系统保护功能，包括针对GaN技术优化的热关断和欠压闭锁(UVLO)，以确保可靠性和耐用性。
两个演示板EVSTGAP2GS和EVSTGAP2GSN，将标准STGAP2GS和窄STGAP2GSN与ST的Sgt 120 r 65 al 75mω、650V增强型GaN晶体管相结合，帮助用户评估驱动器的性能。
这STGAP2GS采用SO-8宽体封装，而STGAP2GSNSO-8窄版现已上市
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哦! 它是空的。