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ST意法半导体的GNSS模块利用Teseo单芯片接收器技术简化设计，实现亚米级精度
意法半导体Teseo-LIV4F GNSS模块利用意法半导体的Teseo IV单芯片接收机技术，包括L1和L5频段支持，在嵌入式地理定位系统中提供优于1米的定位精度。凭借超紧凑的外形和低功耗，Teseo-LIV4F还扩展了多星座兼容性，以包括与印度星座(NavIC或IRNSS，印度区域导航卫星系统)的导航。
这些模块带有Teseo-LIV4FSW固件，允许用户利用Teseo套件基于PC的应用程序进行免费固件配置和更新。成熟的评估环境节省了开发时间，而小模块尺寸和低成本使Teseo-LIV4F成为各种定位、导航和定时(PNT)应用的理想选择。其中包括保险、货物跟踪、收费、防盗系统、人员和宠物定位、车辆跟踪、紧急呼叫、车队管理、车辆共享、诊断和公共交通。
Teseo-LIV4F具有板载温度补偿晶体振荡器(TCXO)和专用实时时钟(RTC)振荡器，可提供卓越的精度和快速的首次固定时间(TTFF)。它还提供实时辅助全球导航卫星系统，允许根据以前的观测结果预测卫星数据。采用49mA GNSS L1和L5跟踪电流以及10μA待机电流工作，可在省电应用中延长电池运行时间。-162dBm的跟踪灵敏度有助于在信号强度较低时保持精度。
Teseo-LIV4F模块根据ce、FCC和ICES法规进行了官方认证，这简化了最终应用的上市途径。工作温度范围从-40°C到85°C，允许在室外和工厂等恶劣环境中使用。
Teseo LIV4F现已投入生产，采用9.7mm x 10.1 mm LCC-18引脚封装，并享有ST的工业IC延长产品寿命保证。
Teseo-LIV4FM双频GNSS测量引擎模块与Teseo-LIV4F具有相同的尺寸和引脚排列，使用RTCM v3协议提供GNSS原始测量值，现已上市。Teseo-LIV4FM通过使用MCU主机RTK/PPP算法提供厘米级精度，解决了微移动、农业和导航等精确定位应用。Teseo-LIV4FM的工程样片现已上市。计划于2023年底生产。
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半导体芯片有哪些常见的应用？
半导体芯片通常也可称为集成电路，是指在半导体片材上进行浸蚀、布线、制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体材料。半导体制造的过程就是“点石成金“的过程，主要是对硅晶圆的一系列处理，简单来说就是通过外延生长、光刻、刻蚀、掺杂和抛光，在硅片上形成所需要的电路，将硅片变成芯片。化合物半导体半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。随着新的半导体材料出现、电力电子技术进步与制作工艺的提高，半导体在过去经历了三代变化。砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，与第一代半导体硅（Si）相比，在高频、高温等方面性能更加优异。化合物半导体芯片因其优异的高频性能，常用来制造功率半导体，其应用领域越来越广泛。在应用中通过变频、变压、变流、功率放大及管理的方式实现两大功能：放大和开关。目前75%以上的电能应用需要进行功率变换以后才能供设备使用。其应用领域越来越广泛。放大：低频功率变为高频功率，充分利用放大作用，就可以使用小功率驱动马达。开关：切换电路的开与关，其开关速度越快，越能实现精密控制。砷化镓半导体砷化镓半导体芯片主要用于微波功率器件，即工作在微波波段（频率300~300000兆赫之间）的半导体器件。由于Si在物理特性上的先天限制，仅能应用在1GHz以下的频率。然而近年来由于无线高频通讯产品迅速发展，使得具备高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性的砷化镓脱颖而出，在微波通讯领域大规模应用。由于砷化镓高频传输的特性，除了在手机应用中飞速成长外，笔记本电脑、平板电脑中搭载的WiFi模组、固定网络无线传输，以及光纤通讯、卫星通讯、点对点微波通讯、有线电视、汽车导航系统、汽车防撞系统等，也分别采用1~4颗数量不等的功率放大器，这都是推动砷化镓成长的强大动力。氮化镓半导体氮化镓材料由于禁带宽度达到3.4eV，与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为第三代半导体材料，也称为宽禁带半导体。由于氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速度大、热导率高、介电常数小、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的shou选材料之一。氮化镓（GaN）与砷化镓（GaAs）性能比较；氮化镓（GaN）与硅（Si）性能比较由于对高速、高温和大功率半导体器件需求的不断增长，使得氮化镓材料器件逐渐被半导体市场应用。其主要应用领域包括：新能源领域：在可再生能源领域，在将风电和太阳能电力接入电网以及减少输电损耗方面，都发挥了极其重要的作用；绿色能源、电动汽车、绿色电子照明等新兴领域正在成为功率器件市场应用的新热点，需求强劲。信息通讯设备领域：增强型氮化镓电晶体表现出高耐辐射性能，从而适用于通讯和科学卫星的功率和通讯系统；点到点通信、卫星通信、各种雷达和新型工业/YL应用都将从这些大功率氮化镓器件的应用中获益。4C产业：国内各主要IT产品仍将保持旺盛的市场需求，笔记本电脑、显示器、打印机、电视机、组合音响、激光视盘机等传统产品以及新兴汽车电子均将在未来保持平稳增长。随着空调、节能电机等电子产品产能向ZG大陆转移，功率半导体的需求也将成倍地增加。智能电网领域：功率半导体在提高整个电力供应链--从发电、输配电到Z后的用电--的能效方面发挥着至关重要的作用。碳化硅半导体碳化硅（SiC）因其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现，成为当前Z受关注的半导体材料之一，在交流-直流转换器等电源转换装置中得到大量应用，未来亦有望在半导体功率器件领域逐步实现对硅的全面替代，碳化硅半导体时代即将开启。与硅器件相比，碳化硅半导体芯片的功率损耗可减少将近50%，从而有效提升电源转换效率。碳化硅器件由于转换效率高、发热小，所以可以有效减小冷却系统的体积，从而实现电源转换装置整体的小型化，这对于新能源汽车等需要大量电源转换装置的系统具有重大的意义。因此，对于需要高转换效率和高功率密度的系统，碳化硅器件具有无可比拟的优势，值得推荐选择。正因为碳化硅具备这些优异的性能，所以它特别适合深井钻探、太阳能逆变器（实现直流与交流的转换）、风能逆变器、电动汽车与混合动力汽车、工业驱动以及轻轨牵引等需要大功率电源转换的应用。
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