产品列表
品牌专区
BOM询价
关于我们
当地时间7月19日,中国驻美国大使谢锋参加阿斯彭安全论坛时表示,中国不希望发生贸易战或者科技战,如果美国对中国的芯片行业实施更多限制,中国肯定会做出回应。
谢锋说,中国并不回避竞争,但美国定义竞争的方式并不公平。谢锋提到美国正考虑建立对外投资审查机制并进一步禁止向中国出口人工智能芯片的话题时表示,中国政府不会袖手旁观,中方不会主动挑衅,但也不会因挑衅而退缩。
这款用于3D成像的飞行时间(Time-of-Flight)传感器采用了背照式(BSI)技术,具有高精度、小像素尺寸、高分辨率、低功耗、全集成等特点,打破欧美国际厂商的垄断,可广泛应用于人工智能、人脸识别、自动驾驶、AR/VR、3D建模、动作捕捉、机器视觉等领域,在手机、安防、汽车等主流市场拥有光明的商业落地前景。让每一种美都能立体可见SIF2X10是一系列采用了背照式技术(Back-side illumination)的飞行时间(Time of Flight)图像传感器。SIF2X10系列产品片上集成了高像素阵列、用来调制红外光源的信号发生器、低噪声ADC、片上温度传感器、独立的逻辑控制单元、片上高速时钟和用于高速数据传输的MIPI接口,支持高达100MHz的调制频率及高达240fps的输出帧率。其中,SIF2310集成了HVGA级(480x360)分辨率的像素阵列,SIF2610集成了VGA级(640×480)分辨率的像素阵列。SIF2X10系列架构图主要特性● SIF2310分辨率达到HVGA级(480x360),SIF2610分辨率达到VGA级(640×480)● 背照式技术(Back-side illumination)● 优秀的环境光抑制● 兼容850nm/940nm红外光源(LED/VCSEL)● 调制频率可达100MHz● 240fps帧率● 可编程感兴趣区域 (ROI) 的寻址引擎● 全局精度<1%@5m● 全局快门曝光● 光学级封装应用● 智能手机● AR/VR● 安防监控● 机器人&无人机● 汽车电子芯片针对NIR(近红外)波长进行了特殊优化,在850nm/940nm波段具有良好的感光度。配合红外光源,SIF2X10系列产品可以广泛应用于人脸识别、AR/VR、动作捕捉、3D建模、机器视觉、无人驾驶等领域。芯片提供裸片或BGA封装。
肖特基二极管是一种基于肖特基势垒构成的半导体器件,与普通二极管相比,具有更低的正向电压降和更快的开关速度。本文将介绍肖特基二极管的电气参数和特性。正向电压降肖特基二极管的正向电压降比普通二极管更低,通常只有0.2V左右。这是因为肖特基二极管的PN结由P型半导体和金属构成,而金属与半导体接触处形成的肖特基势垒比普通PN结的势垒低得多。反向漏电流与正向电压降相比,肖特基二极管的反向漏电流较大。这是因为肖特基势垒的高度比PN结低,导致在反向电压下,大量载流子可以穿过势垒,形成反向漏电流。因此,肖特基二极管不适合用于需要较高反向击穿电压的场合。频率特性肖特基二极管具有较快的开关速度,通常在GHz量级。这是因为肖特基二极管的肖特基势垒宽度较窄,载流子的穿越时间较短。此外,肖特基二极管的载流子浓度较低,载流子的移动速度也较快,从而提高了器件的频率响应特性。稳定性由于肖特基二极管具有较低的正向电压降和较高的反向漏电流,因此在高温和高电压下,肖特基二极管容易出现漏电流的增加和正向电压降的降低等问题。因此,选择合适的工作条件和散热措施,对于保证肖特基二极管的稳定性非常重要。本文介绍了肖特基二极管的电气参数和特性,包括正向电压降、反向漏电流、频率特性和稳定性等方面。肖特基二极管由于具有较低的正向电压降和较快的开关速度,因此在高频低压的场合应用广泛。但是,需要注意的是,在高温和高电压下,肖特基二极管的稳定性需要特别关注。
询价列表 ( 件产品)