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中国移动正式发布两颗自研通信芯片
6月27日，中国移动正式发布全球首颗纯自研RISC-V架构的LTE-Cat.1芯片、中国移动首颗纯自研量产的蜂窝物联网通信芯片，并发布首个针对物联网泛智能硬件的全场景智能连接协议。据介绍，中国移动物联网入口能力持续增强。截至目前，OneChip芯片出货量达2亿颗、OneOS物联网操作系统装机量达4千万台、OneMo模组占全球市场份额第四，智能硬件产品体系已初步构建，年出货量达200万台。
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安森美 NTHL015N065SC1 碳化硅 (SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用
安森美onsemi NTHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款12mohm、650V MOSFET，采用TO-247-3L封装。该碳化硅MOSFET的设计快速而坚固耐用。该器件具有10倍介电击穿场强度和2倍电子饱和速度。这些MOSFET还具有3倍能量带间隙和3倍导热性。所有安森美碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车应用并符合其相关要求。NTHL015N065SC1 特性典型值 RDS(on) = 12m（VGS = 18V时）典型值 RDS(on) = 15m（VGS = 15V时）超低栅极电荷 (QG(tot) = 283nC)高速开关，低电容 (Coss = 430pF)100%经雪崩测试该器件不含卤素，符合RoHS指令（7a豁免），无铅2LI（二级互连）NTHL015N065SC1 应用开关模式电源 (SMPS)太阳能逆变器不间断电源 (UPS)储能
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特性+工作原理+应用场合，一文读懂SILAN士兰微SA3525系列PWM控制芯片
士兰微SA3525 是一个性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成 PWM 控制 芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推挽输出形式，增加了驱动 能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM 锁存器，有过流保 护功能，频率可调，同时能限制最大占空比。SA3525主要特点 工作电压范围宽： 8～35V 内置 5.1 V±1.0％的基准电压源芯片内振荡器工作频率宽 100Hz～400 kHz 具有振荡器外部同步功能 死区时间可调 末级采用推挽式电路，电流最大值可达 400mA内设欠压锁定电路 内置软启动电路内置 PWM(脉宽调制)SA3525应用 电源变换器 电焊机封装外形产品规格分类SA3525引脚和功能功能框图应用电路图士兰微代理商永芯易科技:如有采购需求可通过联系客服：4008-622-911或关注我司获取芯片产品规格书或芯片样品测试（样品测试：终端厂家专享，需提供公司信息）最终解释权归我司所有。
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