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中国电科产业基础研究院MEMS压力传感器与芯片获200万只订单
6月12日，据中国电科官微消息，近日，中国电科产业基础研究院美泰科技微机电系统（MEMS）传感器市场拓展有新进展，自主研发的MEMS惯性器件与系统累计实现百万级装车，并获得多家重点新能源车企50多款新能源车型定点，MEMS压力传感器与芯片获得两百万只订单，安全气囊加速度传感器完成量产定型，正在国内主流车厂开展应用验证。
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英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度
英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。英飞凌推出采用62 mm封装的CoolSiC™ MOSFET产品组合增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口，即使在高开关频率下，不需任何限制，也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰的高可靠性。此外，极低的开关损耗和传输损耗可以最大限度地降低冷却需求。结合高反向电压，这些半导体器件还可满足现代系统设计的另一项要求。借助英飞凌CoolSiCTM芯片技术，转换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本。配备铜基板和螺纹接口，该封装具有高鲁棒性的机械设计，可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的热循环能力和150°C的连续运行结温（Tvjop）实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得上下开关具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料（TIM），进一步提高模块的热性能。供货情况采用62mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三种型号可供选择。2000 V产品组合将包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A两种型号。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型号将于2024 年一季度推出。它还有专为快速特性评估（双脉冲/连续工作）设计的评估板可供选择。为了便于使用，该评估板还提供可灵活调整的栅极电压和栅极电阻，同时还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。
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意法半导体STELPD01电子电源开关的介绍、特性、及应用
意法半导体的STELPD01是一款集成电子电源开关，用于电力轨保护应用。它能够精确地检测和反应过电流和过电压条件。当过载发生时，设备进入开放状态，断开负载与电源的连接。在故障情况下，可以驱动一个外部功率MOSFET来管理掉电保护。当输入过压时，设备将输出调节到预设的17.5 V。欠压锁定防止负载故障，保持设备关闭，如果轨道电压太低。STELPD01具有可调的开关转换速率，这对于在启动和热插拔操作期间保持流涌电流处于控制之下非常有用。特性输入电压范围广:4v ~ 18v17.5 V典型输出过电压钳绝对最大电压23.5 V最大持续电流可调电流限制与断路器功能热保护输入欠压锁定启动时励磁涌流低集成40 毫欧功率场效应管EN /故障销可调转速输出电压反向电流阻断场效应晶体管的门控引脚门闩或auto-retryDFN10L(3毫米× 3毫米)包装
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