功率器件中功率半导体IGBT工艺流程是怎么样的呢?

来源:永芯易科技| 发布日期:2023-06-12 11:52

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)的制造工艺-般包括以下主要步骤 :

1.衬底准备:选择适当的衬底材料,通常使用硅(Silicon) 作为IGBT的基底。 衬底表面经过清洁和平整处理。

2.衬底掺杂:通过离子注入或扩散技术向衬底中掺入特定类型(N型或P型) 的杂质,形成N型或P型区域,用于构建PN结。

3.绝缘层沉积:在衬底表面沉积一层绝缘材料,通常使用二氧化硅(SiO2) ,以形成绝缘层。

4.通道制作:在绝缘层上刻蚀出通道区域,这是控制IGBT导电性的关键区域。

5.门极沉积:在通道区域上沉积金属材料,通常是铝(AI) 或钨(W)合金,形成门极。

6.金属层制作:通过光刻和蚀刻等步骤,在器件表面形成电极和金属互连层, 以便进行电连接和引出。

7.装配封装:将制造好的IGBT芯片封装到外部封装中,以保护芯片并提供外部引脚供连接。