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新唐N76E003AT20微控制器的介绍、参数、应用以及引脚电路图
新唐N76E003AT20是一款嵌入式闪存型、基于1T 8051的8位高性能微控制器。该指令集与标准80C51完全兼容，并增强了性能。
N76E003包含一个名为APROM的高达18K字节的主闪存，其中包含用户代码的内容。N76E003闪存支持应用程序内编程（IAP）功能，可实现片上固件更新。IAP还可以将用户代码阵列的任何块配置为非易失性数据存储器，由IAP写入，并由IAP或MOVC指令读取。还有一个名为LDROM的附加闪存，引导代码通常驻留在其中，用于执行系统内编程（ISP）。LDROM大小可配置为最大4K字节。为了便于编程和验证，Flash允许通过并行写入器或在线编程（ICP）进行电子编程和读取。一旦确认了代码，用户就可以锁定代码以确保安全。
N76E003提供丰富的外围设备，包括256字节的SRAM、768字节的辅助RAM（XRAM）、多达18个通用I/O、两个16位定时器/计数器0/1、一个带三通道输入捕获模块的16位定时器2、一个看门狗定时器（WDT）、一个自唤醒定时器（WKT）、，两个带帧错误检测和自动地址识别的UART，一个SPI，一个I²C，五个增强型PWM输出通道，用于所有I/O的八通道共享引脚中断，以及一个12位ADC。外围设备配备了18个具有4级优先级中断能力的源。
N76E003配备了三个时钟源，并支持通过软件进行动态切换。三个时钟源包括外部时钟输入、10 kHz内部振荡器和一个16 MHz内部精密振荡器，该振荡器在室温下工厂微调至±1%。N76E003提供了额外的电源监控检测，如通电复位和4级断电检测，这为高可靠性系统设计稳定了通电/断电序列。
N76E003微控制器的操作消耗非常低的功率，具有两种经济的功率模式
降低功耗－空闲和断电模式，可通过软件选择。空闲模式关闭CPU时钟，但允许继续外围设备操作。断电模式会停止整个系统时钟，以实现最低功耗。N76E003的系统时钟也可以通过软件时钟分频器来降低，这使得执行性能和功耗之间具有灵活性。
凭借高性能CPU核心和丰富的精心设计的外围设备，N76E003可以满足通用、家用电器或电机控制系统的要求。
特征
CPU：
全静态设计8位高性能1T8051 CMOS微控制器。
与MCS-51完全兼容的指令集。
4优先级中断功能。
双数据指针（DPTR）。
操作：
宽电源电压从2.4V到5.5V。
宽工作频率高达16 MHz。
工业温度等级：-40℃～+105℃。
内存：
用户代码最多18K字节的APROM。
可配置4K/3K/2K/1K/0K字节的LDROM，为用户开发的引导代码提供了灵活性。
闪存，每个页面128字节。
内置应用程序可编程（IAP）。
为安全起见，代码锁定。
256字节片上RAM。
MOVX指令访问的额外768字节片上辅助RAM（XRAM）。
时钟源：
当VDD为5.0V时，16 MHz高速内部振荡器微调至±1%，在所有条件下均为±2%。
10kHz低速内部振荡器。
外部时钟输入。
通过软件进行动态时钟源切换。
可编程系统时钟分频器，最高可达1/512。
外围设备：
最多17个通用I/O引脚和一个仅限输入的引脚。所有输出引脚都具有单独的2电平转换速率控制。
两个与标准8051兼容的16位定时器/计数器0和1。
可以选择一个带有三通道输入捕获模块和9个输入引脚的16位定时器2。
一个16位自动重新加载定时器3，它可以是UART的波特率时钟源。
定时器的一个16位PWM计数器中断。
一个可编程看门狗定时器（WDT），由专用10kHz内部电源计时。
一个专用的自唤醒定时器（WKT），用于省电模式的自定时唤醒。
两个全双工UART端口，具有帧错误检测和自动地址识别功能。TXD和
UART0的RXD引脚可通过软件进行交换。
一个SPI端口，具有主模式和从模式，当系统时钟为16 MHz时，最高可达8 Mbps。
一条I²C总线，具有主模式和从模式，数据速率高达400 kbps。
三对，六路脉宽调制器（PWM）输出，可选择10个输出引脚。，高达16位分辨率，具有不同的模式和用于电机控制的故障制动功能。
引脚中断的八个通道，所有I/O端口共享，边缘/电平配置可变
侦查
一个12位ADC，高达500 ksps的转换速率，硬件触发和转换结果比较
便于电机控制。
电源管理：
两种功率降低模式：怠速和断电模式。
电源监视器：
带低功率模式的Brown out detection（BOD）可用，4级选择，中断或重置选项。
上电复位（POR）。
强大的ESD和EFT免疫力。
开发工具：
具有KEILTM开发环境的Nuvoton片上调试器（OCD）。
Nuvoton在线编程器（ICP）。
Nuvoton通过UART进行系统内编程（ISP）。
应用
家电
电子玩具
电动工具
电子门锁
引脚
方框图
定时器2自动重新加载模式和输入捕获模块功能框图
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联发科助威，印度半导体卷土重来妄想推翻大陆制造基地
半导体行业发展至今，全球半导体产业已经进行了三次转移。在上世纪50年代，由美企Intel的带领下，我们正式进入到了芯片时代，而美国半导体也凭借这种优势，成为了全球最大的芯片制造、生产以及销售中心。但很快，到了80年代末，日本半导体产业的强势崛起，一度让美国丢掉了“芯片霸主”的地位，这其中还发生了美国主导下的日本半导体相关事件，自此日本半导体走上了下坡路。随后，全球半导体产业链发生了第三次转移。从日本半导体手中开始走向韩国半导体和中国半导体。其中，大陆半导体产业链更是突飞猛进，从2017年的全球5％占比，到去年提升到了17％。很显然，大陆也成为了芯片制造重要基地之一。不过，有业内分析人士认为，下一次转移的时间很快就要到来，目的地就是印度半导体。给出这样的预测，缘由就是印度半导体有足够的“野心”，而在野心之下，也有许多半导体行业的巨头正在向印度市场上靠拢，如苹果等企业。除此之外，还因为在曾经的历史上，印度是有可能成为半导体制造大基地之一的。只不过，因为当时印度输给了湾湾，毕竟他们在的基础设施和当地的效率等等方面都是他们的“硬伤”，但是在其他的相关产业群聚上，印度半导体那个阶段并未差很多。于是，印度半导体打算卷土重来，甚至还妄想推翻大陆制造基地，从他们推出了芯片制造计划，并且呼吁他们在要在半导体领域中完全取代我们就可以看出来。在这个背景下，联发科站出来助威了——他们表示如果印度制造的芯片有完善的生态，那么他们并不排斥使用印度制造的芯片。不仅如此，联发科还说出一番让人难以理解的话，那就是他认为印度将成为芯片制造中心。不难看出，联发科对于印度半导体的制造野心很是力挺。而印度的结果也终于出现了，据公开信息显示，之前印度推出的100亿美元兴建印度本土半导体产业链的计划，由于申请补贴的窗口期比较短，导致计划只有少数几家公司进行申请。在此背景下，印度打算重启这一项计划，并且不限制资金，直到这个资金用完为止。明面上，印度半导体认为是因为他们开启的时间限制太严格，所以才导致了后续的重启。可，在大众的眼中，重启计划已释放了一个信号，那就是印度强推的本土产业链计划正在“难产”。首先，已经申请的少数几家进展并不大。申请者包括韦丹塔公司和富士康的联手，另外是塔塔集团。且看，这几个可都不是半导体行业经验丰富的对象，这说明他们当下推出的芯片激烈计划并没有引进真正想要去搞半导体制造的企业，比如说三星、台积电等企业。除此之外，还说明了一个问题，那就是印度当下的半导体环境依旧和以前一样需要这些企业谨慎评估，其中台积电就多次表明要评估，到现在台积电都没有宣布要入局印度半导体，反而对于欧洲地区的建厂计划比较感兴趣。可见，印度本身的“硬伤”就算是重新开启了补贴计划，那么入局者也将和以前一样寥寥无几。其次，他们想要发展半导体的前提是需要获得其余企业的技术授权。如韦丹塔就一直在和美国格芯以及意法半导体进行芯片制造技术的谈判。就目前来说，结果不是很好。侧面也反应出了，就算他们本土要建设新的半导体芯片工厂也存在技术上的困难性。在这个情况下，如果不吸引进一些本身就有技术实力的企业，印度半导体想要将芯片产业发展的多好显然是异想天开。可实际上，他们现在根本没有吸引到任何经验丰富的企业。总之，印度半导体的难产缩影早就体现了，重启计划也不过是让自己面子上好看一点。想这样就取代大陆制造基地真的有可能吗？联发科恐怕是太高估印度半导体了。
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一文搞懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC、UFS、eMCP、uMCP存储器的区别
存储领域发展至今，已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用：一、NANDNAND Flash存储器是Flash存储器的一种，属于非易失性存储器，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。按速度价格对比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC按容量大小对比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC目前主流的应用解决方案为TLC和QLC。SLC和MLC主要针对军工，企业级等应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。除此，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两大类：下面是各大NAND Flash芯片生产厂商在3D NAND Flash产品的量产状况：二、DDR、LPDDRDDR全称Double Data Rate（双倍速率同步动态随机存储器），严格的来讲，DDR应该叫DDR SDRAM，它是一种易失性存储器。虽然JEDEC于2018年宣布正式发布DDR5标准，但实际上最终的规范到2020年才完成，其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍，速率3200MT/s起，最高可达6400MT/s，电压则从1.2V降至1.1V，功耗减少30%。LPDDR是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，简称“低功耗内存”，是DDR的一种，以低功耗和小体积著称。目前最新的标准LPDDR5被称为5G时代的标配，但目前市场上的主流依然是LPDDR3/4X。DDR和LPDDR的区别？应用领域不同。DDR因其更高的数据速率、更低的能耗和更高的密度广泛应用于平板电脑、机顶盒、汽车电子、数字电视等各种智能产品中，尤其是在疫情期间，由于在家办公、网课和娱乐的增加，平板电脑、智能盒子的需求也逐步攀升，这对DDR3、DDR4的存储性能要求更高、更稳定。而LPDDR拥有比同代DDR内存更低的功耗和更小的体积，该类型芯片主要应用于移动式电子产品等低功耗设备上。LPDDR和DDR之间的关系非常密切，简单来说，LPDDR就是在DDR的基础上面演化而来的，LPDDR2是在DDR2的基础上演化而来的，LPDDR3则是在DDR3的基础上面演化而来的，以此类推。但是从第四代开始，两者之间有了差别或者说走上了不同的发展，主要因为DDR内存是通过提高核心频率从而提升性能，而LPDDR则是通过提高Prefetch预读取位数而提高使用体验。同时在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陆消费者市场。三、eMMC、UFSeMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。简单地说，eMMC=Nand Flash+控制器+标准封装eMMC具有以下优势：1.简化类手机产品存储器的设计。2.更新速度快。3.加速产品研发效率。UFS：全称Universal Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，同样是由多个闪存芯片、主控组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得到翻番。四、eMCP、uMCPeMCP是结合eMMC和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与传统的MCP相较之下，eMCP因为有内建的NAND Flash控制芯片，可以减少主芯片运算的负担，并且管理更大容量的快闪记忆体。以外形设计来看，不论是eMCP或是eMMC内嵌式记忆体设计概念，都是为了让智慧型手机的外形厚度更薄，更省空间。uMCP是结合了UFS和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与eMCP相比,国产的uMCP在性能上更为突出，提供了更高的性能和功率节省。eMMC是将NAND Flash芯片和控制芯片都封装在一起，eMCP则是eMMC和LPDDR封装在一起。对于手机厂商而言，在存储产业陷入缺货潮的关键时期，既要保证手机出货所需的Mobile DRAM，又要保证eMMC货源，库存把控的难度相当大，所以eMCP自然成为大部分中低端手机首选方案。uMCP是顺应UFS发展的趋势，满足5G手机的需求。高端智能型手机基于对性能的高要求，CPU处理器需要与DRAM高频通讯，所以高端旗舰手机客户更青睐采用CPU和LPDDR进行POP封装，这样线路设计简单，可以减轻工程师设计PCB的难度，减少CPU与DRAM通讯信号的干扰，提高终端产品性能，随之生产难度增大，生产成本也会增加。5G手机的发展将从高端机向低端机不断渗透，从而实现全面普及，同样是对大容量高性能提出更高的要求，uMCP是顺应eMMC向UFS发展的趋势。uMCP结合LPDDR和UFS，不仅具有高性能和大容量，同时比PoP +分立式eMMC或UFS的解决方案占用的空间减少了40%，减少存储芯片占用并实现了更灵活的系统设计，并实现智能手机设计的高密度、低功耗存储解决方案。综上所述简单总结一下：eMMC=Nand Flash+控制器（Controller）+标准封装UFS=eMMC的进阶版eMMC：半双工模式 UFS：全双工模式eMCP=eMMC+LPDDR+标准封装uMCP=UFS+LPDDR+标准封装