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美国微芯PIC16F887的工作原理、参数、应用领域
PIC16F887是微芯科技公司生产的一款8位微控制器。以下是PIC16F887的技术参数和应用市场。
技术参数
– 8位RISC架构
– 最高运行频率为20MHz
– 14KB闪存和368字节EEPROM
– 256字节RAM
– 35个I/O引脚
– 10位ADC模块
– 两个比较器
– 两个计时器/计数器
– 一个PWM模块
– 一个USART模块
– 一个SPI模块
– 一个I2C模块
应用市场
由于其低成本、低功耗和易于编程等特点，PIC16F887广泛应用于各种嵌入式系统和控制器中，例如：
– 家用电器控制器
– 工业自动化控制器
– 汽车电子系统
– 电子游戏机
– 电子玩具
– 安防系统
– 医疗设备
– 电子测量仪器
– LED照明控制器
– 无线通信设备
引脚
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AOS授权代理商—N沟道MOSFET—AOS MOSFET 产品
AOS N沟道MOSFET产品特点：1. 低导通电阻：AOS N沟道MOSFET产品具有低导通电阻的特点，能够降低系统功耗，提高系统效率。2. 高速开关：AOS N沟道MOSFET产品具有快速响应和稳定的开关特性，能够提供高性能的功率控制。3. 高温性能好：AOS N沟道MOSFET产品能够在高温环境下长时间稳定工作，具有优异的高温性能。4. 高可靠性：AOS N沟道MOSFET产品采用高质量材料和先进的制造工艺，具有优异的可靠性和稳定性。AOS N沟道MOSFET产品应用领域：1. 通信设备：用于保护各种类型的通信设备，如路由器、交换机、电话机等。2. 汽车电子：用于保护汽车电子系统，如车载娱乐、导航、安全控制等。3. 工业自动化：用于保护各种类型的工业自动化设备，如PLC、变频器、伺服驱动器等。AOS N沟道MOSFET产品使用注意事项：1. 选择适当的型号：应根据具体应用场景选择适当的型号，以保证产品的稳定性和可靠性。2. 安装正确：应正确安装产品，避免过度弯曲引脚或过度加热引脚，以免影响产品性能。3. 注意散热：应注意散热问题，避免过热引起产品故障或损坏。永芯易科技专注AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）产品销售十多年，服务全国数百家制造企业及科研院校！欢迎制造工厂采购人员和贸易商与我们联系！AOS N沟道MOSFET 热门型号型号描述封装AO3402N沟道 耐压:30V 电流:4ASOT-23AOD4454N沟道 耐压:150V 电流:20A 电流:3ATO-252AO3400AN沟道 耐压:30V 电流:5.7ASOT-23-3LAO3416N沟道 耐压:20V 电流:6.5ASOT-23-3LAOTL66912N沟道 耐压:100V 电流:49A 电流:380ATOLLAO4468N沟道 耐压:30V 电流:10.5ASOP-8AO3414N沟道 耐压:20V 电流:3ASOT-23-3LAON7544N沟道 耐压:30V 电流:30ADFN-8(3x3)AON7534N沟道 耐压:30V 电流:20A 电流:30ADFN(3x3)AO3422N沟道 耐压:55V 电流:2.1ASOT-23-3LAON6512N沟道 耐压:30V 电流:54ADFN-8(5x6)AON6380N沟道 耐压:30V 电流:24ADFN-8-EP(6.1x5.2)AO4406AN沟道 耐压:30V 电流:13ASOP-8AON7264EN沟道 耐压:60V 电流:28ADFN-8(3x3)AO3406N沟道 耐压:30V 电流:3.6ASOT-23AO3420N沟道 耐压:20V 电流:6ASOT-23-3LAON6354N沟道 耐压:30V 电流:83ADFN-8-EP(6.1x5.2)AO4800N沟道 耐压:30V 电流:6.9ASOP-8AO3442N沟道 耐压:100V 电流:1ASOT-23-3LAOD4132N沟道 耐压:30V 电流:85ATO-252-2(DPAK)AO4466N沟道 耐压:30V 电流:10ASOP-8AOD464N沟道 耐压:105V 电流:40ATO-252AON7380N沟道 耐压:30V 电流:24ADFN-8(3x3)AOD4184LN沟道 耐压:40V 电流:50ATO-252-2(DPAK)AON7400AN沟道 耐压:30V 电流:15ADFN-8(3x3)AO3404AN沟道 耐压:30V 电流:5.8ASOT-23-3LAOD4184AN沟道 耐压:40V 电流:13A 电流:50ATO-252-2(DPAK)AON7506N沟道 耐压:30V 电流:12A 电流:12ADFN-8(3x3)AOD444N沟道 耐压:60V 电流:4A 电流:12ATO-252-2(DPAK)AOD442N沟道 耐压:60V 电流:37A 电流:7ATO-252-2(DPAK)AOD508N沟道 耐压:30V 电流:70A 电流:22ATO-252AOD482N沟道 耐压:100V 电流:32A 电流:5ATO-252-2(DPAK)AOTL66518N沟道 耐压:150V 电流:214ATOLLAO4496N沟道 耐压:30V 电流:10ASOP-8AON6144N沟道 耐压:40V 电流:100ADFN-8(5.6x5.2)AON7410N沟道 耐压:30V 电流:24A 电流:9.5ADFN-8(3x3)AON7408N沟道 耐压:30V 电流:18A 电流:10ADFN-8(3x3)01 原厂优势渠道，常备现货，不怕比价原厂代理授权，常备AOS全系列产品，现货下单。02 提供免费样片测试、方案开发、技术支持永芯易科技为终端客户提供免费样片测试。经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，工程师根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制，提高产品性能。提供性价比初期选型指导及高品质IC芯片应用方案，大大节省选型费用。
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Infineon英飞凌再扩产 将建造全球最大8英寸SiC晶圆厂
近日，功率半导体大厂英飞凌宣布，计划在未来五年内投资高达50亿欧元，用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。该计划的背后是客户的承诺与支持，英飞凌表示扩建计划已得到客户约50亿欧元design-win合同，以及约10亿欧元的预付款。其中，在汽车领域有6家车厂客户，包括福特、上汽和奇瑞等。英飞凌指出，在接下来的5年内，将针对居林第三座厂房的第二期建设阶段，投入高达50亿欧元的额外投资，这样一来，居林厂计划投资总额从20亿欧元增至70亿欧元。再加上奥地利菲拉赫(Villach)和居林的8英寸碳化硅转换计划，此项投资预计将为英飞凌在2030年带来约70亿欧元的碳化硅年收益潜力。这项具高度竞争力的制造基地，也将为英飞凌在2030年达到碳化硅市场30%市占率的目标提供有力的支援。英飞凌预估，公司在2025会计年度的碳化硅营收将超越10亿欧元的目标。英飞凌CEO Jochen Hanebeck表示:“SiC市场不仅在汽车领域，而且在太阳能、储能和大功率电动汽车(EV)充电等广泛的工业应用领域都呈现出加速增长的趋势。随着居林工厂的扩张，我们将确保我们在这个市场的领导地位。”与传统硅基材料相比，碳化硅具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件，由此被广泛应用于汽车领域、太阳能、储能和高功率电动车充电等领域。当前，碳化硅市场正加速成长。据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预计，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源业者合作项目明朗化，2023年整体碳化硅功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。2026年碳化硅功率元件市场规模可望达53.3亿美元，而由主流应用之一的电动汽车带来的产值将达39.8亿美元。
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