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赛普拉斯CYW20730A2KML2GT的技术参数与应用框图
CYW20730A2KML2GT是一款蓝牙5.0和Wi-Fi双模芯片，由赛普拉斯（Cypress）公司生产。它具有以下技术参数：
– 支持蓝牙5.0和Wi-Fi双模
– 支持BLE（低功耗蓝牙）和Classic蓝牙
– 支持802.11a/b/g/n Wi-Fi标准
– 内置ARM Cortex-M3处理器
– 集成了多种外设接口，如UART、SPI、I2C、GPIO等
– 支持多种安全协议，如WPA2、AES、TKIP等
CYW20730A2KML2GT芯片广泛应用于智能家居、智能穿戴、智能医疗、智能交通等领域。它可以用于连接各种设备，如手机、平板电脑、电视、音响等，实现数据传输和控制。此外，它还可以用于物联网（IoT）应用，如智能家居控制中心、智能门锁、智能灯具等。
CYW20730A2KML2GT引脚
CYW20730A2KML2GT方框图
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同时取代闪存和DRAM，ULTRARAM真有这个潜力吗？
在近期的闪存峰会上，一家由英国兰卡斯特大学孵化的初创公司Quinas Technology获得了创新大奖。他们展示了ULTRARAM，一个结合了DRAM高性能和闪存非易失性的新技术，力求制造出同时替代闪存和DRAM的通用存储。ULTRARAM与闪存和DRAM的区别闪存和DRAM作为已经被行业使用了数十年的存储形式，因为其特性不同，往往只能被分别用于特定场景中。以闪存为例，其具有非易失性、非破坏性读出和高度扩展性等特点，但缺点在于需要高压开关电路，以及相对较慢的编程/擦除。DRAM拥有极高的耐用性，操作快速，但其为易失性存储，需要持续的电源供应，加上破坏性读出以及容量扩展上始终存在困难。可以看出，无论是闪存和DRAM，都逃不开能耗、性能、耐用性的二选一，所以这些年两者始终处于一个共生的局面。而ULTRARAM作为一个通用内存，自然是要解决闪存和DRAM之间存在的这些矛盾。与这两者在材料层面不同的是，ULTRARAM用的是III-V族化合物半导体，且主要是其中6.1 Å 家族的半导体，比如砷化铟、碲化镓和碲化铝。ULTRARAM是一种基于电荷的存储器，像NAND一样使用浮栅结构，所以也能像其他闪存一样，实现非破坏性读出。但相较闪存和DRAM，ULTRARAM可以实现超长时间的存储，这得益于其TBRT结构。哪怕是在单bit级别也能存储远大于十年的时间，ULTRARAM中的电荷可以存储1000年而不会出现泄露。且ULTRARAM开关能耗极低，开关速度更是低于ns级。离量产还有多久？然而任何新的存储形态在试图挑战闪存和DRAM之前，都必须解决制造和量产的问题，因为这才是决定其能否商业化的关键之一。常见的阻碍有，在现有的固态制造设备之上，是否需要尚未投入使用的材料和工具，已经对于大部分晶圆厂来说，是否需要额外的工序。据了解Quinas Technology已经宣布添置和购买了相关设备，用于生产出20nm的ULTRARAM原型产品，并将继续积极推动该技术的商业化。在确定其性能达到宣传指标，比如1000万次重写循环后，他们会尝试开始小规模市场并寻找感兴趣的客户。与此同时，英国创新机构也奖励了Quinas Technology 30万英镑，用于推动这一技术的商业化进程。不过离真正的量产应该还有一定的差距，其发明者及Quinas Technology CSO表示，这对于一家初创公司来说自然是不小的投资，但量产ULTRARAM的过程并非短跑，而是一场马拉松。Quinas Technology虽然购买了相关设备，但其仅用于原型的制造和验证，真正量产还是需要大型晶圆厂的支持。鉴于目前欧洲仍缺少大型的内存制造工厂，据了解他们很可能选择与台积电合作，而不是与欧洲本地的IMEC等企业合作。在最终产品上，Quinas Technology似乎打算先面向高端市场，比如服务器/数据中心级别的产品，毕竟消费级存储市场仍处于一个去库存的阶段，而高性能内存恰恰是利润最高的。同时Quinas Technology透露，对UTRARAM感兴趣的公司中包括Meta，后者对于ULTRARAM的节能特性尤其看好。写在最后和所有新的存储技术一样，大规模量产并控制成本才是最关键的挑战。而对于ULTRARAM来说，该技术尚未到量产验证阶段，还在性能与指标的验证阶段，如果原型产品和之后的小批量产品能够与宣传保持一致的话，相信这一技术会获得更多公司的青睐和投资。
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哦! 它是空的。