飞索半导体S29GL256S90DHI020存储器的介绍、特性以及应用电路图

来源:飞索半导体| 发布日期:2023-11-20 15:18

S29GL256S90DHI020飞索半导体SPANSION生产的一款32位闪存存储器。

特性

CMOS 3.0 V核心,带多功能I/O

•65 nm镜面™ Eclipse技术

•用于读取/编程/擦除的单电源(VCC)(2.7 V至3.6 V)

•多功能I/O功能

-宽I/O电压范围(VIO):1.65V至VCC

•×16数据总线

•异步32字节页面读取

•512字节编程缓冲区

-以页面倍数编程,最大可达512字节

•同一单词选项上的单个单词和多个程序

•自动错误检查和纠正(ECC)-内部硬件ECC,带单比特错误纠正

•扇区擦除

-统一128千字节扇区

•暂停和恢复编程和擦除操作的命令

•用于确定设备状态的状态寄存器、数据轮询和就绪/繁忙引脚方法

•高级扇区保护(ASP)

-每个扇区的易失性和非易失性保护方法

•具有两个可锁定区域的独立1024字节一次性程序(OTP)阵列

•通用闪存接口(CFI)参数表

•温度范围/等级

-工业(-40°C至+85°C)

-工业+(-40°C至+105°C)

-汽车,AEC-Q100 3级(-40°C至+85°C)

-汽车,AEC-Q100 2级(-40°C至+105°C)

•100000次编程/擦除周期

•20年的数据保留期

飞索半导体S29GL256S90DHI020广泛应用于嵌入式系统、网络设备、通信设备、工业控制等领域,主要用于存储程序代码、数据、配置信息等。其高速读写、低功耗、可靠性高等特点,使其成为嵌入式系统中常用的存储器之一。

方框图

封装引脚