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TI德州仪器LM75数字温度传感器的技术参数与应用
LM75是一款数字温度传感器，由德州仪器（TI）公司生产。它采用I2C接口，可测量温度范围为-55C至+125C，精度为2C。以下是LM75的技术参数和应用：
技术参数：
– 工作电压范围：2.8V至5.5V
– I2C总线速率：100kHz或400kHz
– 分辨率：0.125C
– 工作温度范围：-55C至+125C
– 精度：2C
– 封装：SOIC-8、MSOP-8、TO-92
应用：
– 电脑、服务器、工业控制等领域的温度监测
– 家用电器、汽车电子等领域的温度监测
– 温度补偿和控制系统
– 温度测量和控制系统的反馈元件
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一文搞懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC、UFS、eMCP、uMCP存储器的区别
存储领域发展至今，已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用：一、NANDNAND Flash存储器是Flash存储器的一种，属于非易失性存储器，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。按速度价格对比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC按容量大小对比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC目前主流的应用解决方案为TLC和QLC。SLC和MLC主要针对军工，企业级等应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。除此，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两大类：下面是各大NAND Flash芯片生产厂商在3D NAND Flash产品的量产状况：二、DDR、LPDDRDDR全称Double Data Rate（双倍速率同步动态随机存储器），严格的来讲，DDR应该叫DDR SDRAM，它是一种易失性存储器。虽然JEDEC于2018年宣布正式发布DDR5标准，但实际上最终的规范到2020年才完成，其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍，速率3200MT/s起，最高可达6400MT/s，电压则从1.2V降至1.1V，功耗减少30%。LPDDR是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，简称“低功耗内存”，是DDR的一种，以低功耗和小体积著称。目前最新的标准LPDDR5被称为5G时代的标配，但目前市场上的主流依然是LPDDR3/4X。DDR和LPDDR的区别？应用领域不同。DDR因其更高的数据速率、更低的能耗和更高的密度广泛应用于平板电脑、机顶盒、汽车电子、数字电视等各种智能产品中，尤其是在疫情期间，由于在家办公、网课和娱乐的增加，平板电脑、智能盒子的需求也逐步攀升，这对DDR3、DDR4的存储性能要求更高、更稳定。而LPDDR拥有比同代DDR内存更低的功耗和更小的体积，该类型芯片主要应用于移动式电子产品等低功耗设备上。LPDDR和DDR之间的关系非常密切，简单来说，LPDDR就是在DDR的基础上面演化而来的，LPDDR2是在DDR2的基础上演化而来的，LPDDR3则是在DDR3的基础上面演化而来的，以此类推。但是从第四代开始，两者之间有了差别或者说走上了不同的发展，主要因为DDR内存是通过提高核心频率从而提升性能，而LPDDR则是通过提高Prefetch预读取位数而提高使用体验。同时在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陆消费者市场。三、eMMC、UFSeMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。简单地说，eMMC=Nand Flash+控制器+标准封装eMMC具有以下优势：1.简化类手机产品存储器的设计。2.更新速度快。3.加速产品研发效率。UFS：全称Universal Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，同样是由多个闪存芯片、主控组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得到翻番。四、eMCP、uMCPeMCP是结合eMMC和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与传统的MCP相较之下，eMCP因为有内建的NAND Flash控制芯片，可以减少主芯片运算的负担，并且管理更大容量的快闪记忆体。以外形设计来看，不论是eMCP或是eMMC内嵌式记忆体设计概念，都是为了让智慧型手机的外形厚度更薄，更省空间。uMCP是结合了UFS和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与eMCP相比,国产的uMCP在性能上更为突出，提供了更高的性能和功率节省。eMMC是将NAND Flash芯片和控制芯片都封装在一起，eMCP则是eMMC和LPDDR封装在一起。对于手机厂商而言，在存储产业陷入缺货潮的关键时期，既要保证手机出货所需的Mobile DRAM，又要保证eMMC货源，库存把控的难度相当大，所以eMCP自然成为大部分中低端手机首选方案。uMCP是顺应UFS发展的趋势，满足5G手机的需求。高端智能型手机基于对性能的高要求，CPU处理器需要与DRAM高频通讯，所以高端旗舰手机客户更青睐采用CPU和LPDDR进行POP封装，这样线路设计简单，可以减轻工程师设计PCB的难度，减少CPU与DRAM通讯信号的干扰，提高终端产品性能，随之生产难度增大，生产成本也会增加。5G手机的发展将从高端机向低端机不断渗透，从而实现全面普及，同样是对大容量高性能提出更高的要求，uMCP是顺应eMMC向UFS发展的趋势。uMCP结合LPDDR和UFS，不仅具有高性能和大容量，同时比PoP +分立式eMMC或UFS的解决方案占用的空间减少了40%，减少存储芯片占用并实现了更灵活的系统设计，并实现智能手机设计的高密度、低功耗存储解决方案。综上所述简单总结一下：eMMC=Nand Flash+控制器（Controller）+标准封装UFS=eMMC的进阶版eMMC：半双工模式 UFS：全双工模式eMCP=eMMC+LPDDR+标准封装uMCP=UFS+LPDDR+标准封装
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