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NAND FLASH存储器与NOR FLASH存储器的差异与应用领域
NAND FLASH存储器与NOR FLASH存储器的差异与应用领域
大家好，欢迎来到本期科技探索。今天，我们将探讨NAND FLASH存储器和NOR FLASH存储器之间的区别，以及它们各自的优缺点和应用场景。随着信息存储需求的不断增长，这两种闪存技术在当今数码世界中发挥着重要作用。
首先，让我们来了解一下它们的区别。NAND FLASH存储器和NOR FLASH存储器都属于闪存类型的非易失性存储器，但它们在内部结构和工作原理上存在差异。
NAND FLASH存储器采用了串行访问的方式，数据以页为单位进行读写。它的主要特点是存储密度高、成本低廉，适用于大容量数据存储。相比之下，NOR FLASH存储器采用了随机访问的方式，数据以字节为单位进行读写。它的主要特点是读取速度快、可靠性高，适用于小容量数据和执行代码存储。
接下来，我们来看一下它们的优缺点。NAND FLASH存储器的优点是存储密度高，价格低廉，适合大规模数据存储，比如固态硬盘(SSD)和闪存卡。然而，由于其内部结构的特殊性，NAND FLASH存储器的擦写速度较慢，寿命较短，不适合频繁擦写操作。与之相比，NOR FLASH存储器的优点是读取速度快，擦写寿命长，适用于需要快速读取和频繁擦写的应用，比如嵌入式系统和执行代码存储。
最后，我们来看一下它们的应用领域。NAND FLASH存储器主要应用在需要大容量数据存储的场景中，例如移动设备、数码相机、音乐播放器等。而NOR FLASH存储器则主要应用在需要快速读取和可靠擦写的场景中，例如嵌入式系统、网络路由器、汽车控制系统等。
总之，NAND FLASH存储器和NOR FLASH存储器在存储密度、成本、读写速度和适用场景等方面存在差异。了解它们的区别和优缺点，有助于我们在选择合适的存储器时做出明智的决策。希望本期的科技探索能够为您带来一些启示。感谢您的阅读。
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2的网格设计。但考虑到该芯片的实际利用率只有90%，那么活动核心就是72个，对应的是18个活动能效核心块、54 MB共享L3缓存和72 MB L2缓存。这样2个小芯片就能容纳36个能效核心块，对应144个核心、108 MB共享L3缓存和144 MB L2缓存。现在我们取3个这种小芯片，把能效核换成搭载4 MB共享L3缓存和2 MB L2缓存的性能核。这样考虑单一核心块上完整搭载20个核心的情况，也就是60个核心。我们假设英特尔用尽了所有针脚、打造出一款全部核心都能正常工作的版本，那其核心数量也仍然有限。除非英特尔能想办法把这个数字再翻倍至120核，否则我们实在想象不出来哪里还有设计AP版的空间。凭着直觉，我们认为普版Granite Rapids对应的可能是72核心加288 MB L3缓存，就是说Granite Rapids的AP版将倍增至144核心加576 MB L3缓存——而且这一切只能分布在3个小芯片上。这倒是符合Gianos在演讲中提到的“超过512 GB的LLC”。按这个结果来倒推，就是说英特尔会设计一款能效核小芯片，它的网格中可能容纳84个核心；再结合英特尔关于Sierra Forest的介绍，在85%的良品率下，其实际可用核心为72个。如果说Sierra Forest确实只能容纳2个计算小芯片，那……不说了，这里有太多的假设和猜测，咱们至此为止。Soltis提到，Sierra Forest也将提供多种变体，比如只激活一半的核心。所以有些版本虽然出厂时有72个核心，但却只能提供72个线程，不过也许其时钟速率会更高一点、高每个线程都稍强劲些。在被问及性能核跟能效核该如何比较时，GIanos表示其实二者之间的差异并没有固定的比例。但基本可以确定，能效核心的时钟速率应该更低，而且性能核的单线程性能应该在能效核的2倍以上。但具体再高出多少就很难说，估计可能在20%到25%的水平；再考虑到性能核上搭载的AVX-512和AMX单元，其发热量应该也相应高出20%到25%。但据我们所知，通过剥离掉这些额外单元、并在能效核中使用两个更小的128位AVX矢量单元，英特尔没准可以在相同的发热量之下让能效核获得高于性能核的时钟速率。但实际情况究竟如何，恐怕只有时间能给出答案。下面来看性能P核的介绍图表：再看能效E核的介绍图表：Sierra Forest和Granite Rapids都将采用Intel 3制程工艺，有人说其基本对应台积电的5纳米工艺，也有人认为其已经更接近3纳米工艺。但最重要的是，Intel 3肯定不是7纳米或者10纳米工艺，其制程精度已经相当领先，足够让英特尔的架构优势发挥出实际效果。性能核和能效核都采用64 KB L1指令缓存，这对保持核心的高负荷运转非常重要。我们认为L1指令缓存越大，就能更好地掩盖其小芯片、而非单体芯片设计所带来的延迟。缓存为王，此言非虚……Soltis还深入介绍了能效核架构。这是一种不同的架构，在英特尔内部的代号为“Sierra Glen”。（这一代性能核的代号为「Redwood Cove」，是对已经上市的第四代「Sapphire Rapids」至强SP处理器中使用的「Golden Cove」性能核的升级产物。）其正面布局如下所示：再来看指令引擎单元的构成：执行单元如下所示：整数和矢量性能间也有合理的平衡点，Soltis表示能效核中的AVX单元（并非AVX-512或者AVX-10）将支持INT8、BF16和FP16格式，但没有提及是否支持FP32和FP64。再来看能效核的背面布局，包括32 KB L1数据缓存和4 MB L2缓存，后者由同一核心块内的双/四能效核心共享：Granite Rapids和Sierra Forest的I/O芯片完全相同，因此二者才能共享同样的设计平台。英特尔在第六代至强SP上使用的UPI链接速度稍慢，但带宽也略微增大，这明显比之前的至强SP有了更好的NUMA性能平衡。片上加速器的接口带宽也迎来倍增，可借此提高运行效率。
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亚德诺ADM2587EBRWZ RS-485/RS-422芯片的工作原理、特征、应用以及引脚图
ADI亚德诺生产的ADM2587EBRWZ是具备±15 kV ESD保护功能的完全集成式隔离数据收发器，适合用于多点传输线路上的高速通信应用。ADM2587EBRWZ包含一个集成式隔离DC-DC电源，不再需要外部DC/DC隔离模块。该器件针对均衡的传输线路而设计，符合ANSI TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)标准。它采用ADI公司的iCoupler®技术，在单个封装内集成了一个三通道隔离器、一个三态差分线路驱动器、一个差分输入接收器和一个isoPower DC/DC转换器。该器件采用5V或3.3V单电源供电，从而实现了完全集成的信号和电源隔离RS-485解决方案。ADM2587EBRWZ驱动器带有一个高电平有效使能电路，并且还提供一个高电平接收机有效禁用电路，可使接收机输出进入高阻抗状态。该器件具备限流和热关断特性，能够防止输出短路，并防止出现由于总线争用而引起功耗过大的情况。它采用20引脚宽体SOIC封装，其额定工作温度范围为工业温度范围。ADM2587EBRWZ集成了isoPower技术，该技术采用高频开关元件通过其变压器传输电力。在PCB布局时必须特别注意满足辐射标准。优势和特点隔离式RS-485/RS-422收发器，可配置为半双工或全双工isoPower™ 集成隔离式DC/DC转换器RS485输入/输出引脚提供±15 kV ESD保护符合ANSI/TIA/EIA RS-485-A-98和ISO 8482:1987(E)标准ADM2587E数据速率:500 kbps工作电压：5 V或3.3V总线最多支持与256个节点连接开路和短路故障保护接收器输入高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs热关断保护封装：SOIC20应用隔离式RS-485/RS-422接口工业现场网络多点数据传输系统引脚封装图方框图
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