4008-622-911
一图看懂汽车高性能MCU和ADAS处理器
LPDDR4支持的密度显著高于DDR 3/4和DDR 3/4可以使用x8设备在低刷新时达到相同的密度。
相关推荐
-
-
三星电子计划于2025年推出新一代内存HBM4
三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF（非导电粘合膜）组装技术和HCB（混合键合）技术，以应用于该产品。此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。行业机构预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。虽然HBM4技术将有重大突破，但它的推出时间并不会很快，因此讨论其应用和普及还为时过早。业内人士指出，当前HBM市场主要以HBM2e为主，未来HBM3和HBM3e将成为主流。据悉，HBM芯片是一种高带宽内存芯片，被广泛应用于高性能计算、数据中心、人工智能等领域。HBM芯片采用3D堆叠工艺，将多个DRAM芯片堆叠在一起，以实现更高的内存带宽和容量，同时减小了芯片面积，降低了功耗和成本。
-
-
ST意法STM32F429IGT6单片机的中文参数、功能特点以及应用领域
您好！很高兴为您提供电子元器件采购支持。关于ST意法STM32F429IGT6单片机的中文参数、功能特点以及应用领域，以下是我为您整理的信息：中文参数品牌：ST（意法半导体）产品系列：STM32F4封装：LQFP-176核心处理器：ARM Cortex-M4内核规格：32位主频速度：180MHz连接能力：CANbus、EBI/EMI、以太网、I2C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART、USB OTG等I/O数：140程序存储容量：2MB（2M x 8）闪存，部分资料提及为1MB，具体以实际产品为准RAM大小：256K x 8电压-供电（Vcc/Vdd）：1.8V~3.6V工作温度：-40°C~85°C（部分资料提及工作范围可达-40°C~+105°C，具体以实际产品规格书为准）功能特点高性能CPU：基于ARM Cortex-M4 32位RISC内核，工作频率高达180MHz，提供高性能和效率。丰富的外设：提供多种通信接口和外围设备，如USART、UART、SPI、I2C、CAN等，适用于各种应用需求。大容量存储器：集成了高达2MB的闪存和256KB的SRAM，有助于存储数据和程序。低功耗：支持多种低功耗模式，有利于延长电池寿命。图形处理能力：部分型号集成了液晶显示控制器（LCD-TFT）和Chrom ART加速器，适用于图形界面应用。增强的输入/输出：包括串行音频接口（SAI）、真随机编号发生器（RNG）、RTC、DAC、ADC、16位和32位计时器等。应用领域工业自动化：用于控制系统、数据采集、传感器网络等。消费类电子：包括智能家居、便携式设备、嵌入式图形界面等。医疗设备：例如医疗监测设备、医疗成像设备等。通信：用于通信设备、网络设备、物联网（IoT）应用等。汽车电子：用于车载控制、信息娱乐系统、车辆网络等。希望以上信息能够满足您的需求。如果您还有其他问题或需要进一步的帮助，请随时告诉我。如果贵司有芯片采购需求、BOM表配单、芯片样品测试请联系客服：4008-622-911或13823669944。
哦! 它是空的。