HK32AUTO39A-3A 使用 ARM® Cortex®-M3 内核,最高工作频率为 120 MHz,支持一级 1 Kbyte 指令 Cache 缓存。HK32AUTO39A-3A 内置了航顺自主研发的协处理器,可实现 ARM® Cortex®-M4 内核支持的算 术指令中的绝大部分,包括 32 位单精度浮点运算;此外,协处理器支持多种自定义的 32 位及 64 位算术运算。
HK32AUTO39A-3A 内置了大容量存储器:527 Kbyte Flash(最高)、64Kbyte SRAM、32Kbyte 紧耦合 SRAM 和 1Kbyte Cache。此外,通过 FSMC 模块可外挂最多 1 GB 容量的外部静态存储器,其中 256 Mbyte 的空 间可以存放指令,并可用于片内 1 Kbyte 指令 Cache 缓存。通过 QSPI 模块外挂 256 Mbyte 容量的 NOR Flash 存储器,可存放指令,并且可用于片内 1 Kbyte 指令 Cache 缓存。
HK32AUTO39A-3A 内置了 AES、HASH 和 TRNG 真随机数发生器,用于数据加解密及数字签名等应用; 内置的 CRC 模块支持数据完整性的检查。
HK32AUTO39A-3A 通过内置的数字照相机接口(DCMI)、4 路 TFT 接口和 2 个 DMA 模块(共 12 路 DMA 通道)可实现数字图像视频从捕获、运算处理到显示的单芯片解决方案。
HK32AUTO39A-3A 内置了串行音频接口 SAI,支持当前大多数的音频接口协议。
HK32AUTO39A-3A 内置最多 2 个高级 16 位定时器(共 8 路 PWM 输出,其中 6 路带死区互补输出), 4 个通用 16 位定时器(共 16 路 PWM 输出),2 个基本 16 位定时器。2 个高级定时器与内置的 4 路电压 比较器(COMP)片内互连,可为客户节省电机方案中板级电压比较器及相关电路。
HK32AUTO39A-3A 提供独立的 VBAT电池电源域。当 VDD 主电源掉电时,RTC 模块可在 VBAT 电源供电下 继续工作。
HK32AUTO39A-3A 内置了丰富的模拟电路:3 个 12 位 ADC(共 25 路模拟信号输入通道,其中 2 路弱 驱动信号输入通道和 1 路 5 V 高压信号输入通道)、2 个 12 位 DAC、1 个温度传感器、1 个 0.8 V 内部参 考电压源、1 个低电压检测器(LVD)、1 个上/下电复位(POR/PDR)电路和 1 个 VBAT 电源电阻分压器(分 压器输出在片内与 ADC 相连)。
HK32AUTO39A-3A 支持丰富的功耗模式;在最低功耗模式下,芯片的典型漏电电流小于 100 nA。 HK32AUTO39A-3A 系列产品均包括 48 脚、64 脚和 100 脚封装形式;根据不同的封装形式,器件的外 设配置有所不同。
HK32AUTO39A-3A 拥有丰富的外设配置,适合应用于汽车电子。
特性
ARM® Cortex® -M3 Core
最高时钟频率:120 MHz
◦24 位 System Tick 计时器
• 工作电压范围
◦ 双电源域:主电源 VDD为 2.0 V ~ 3.6 V、备份电源 VBAT 为 1.8 V ~ 3.6 V。
◦ 当主电源掉电时,RTC 模块可继续工作在 VBAT 电源下。
◦ 当主电源掉电时,VBAT 电源为 86 Byte 备份寄存器持续供电。
• VDD 典型工作电流
◦ 运行(Run)模式动态功耗:19.34 mA@120MHz@3.3V
◦ 睡眠(Sleep)模式静态功耗:5.65 mA@120MHz@3.3V(唤醒时间:1 个机器时钟周期)
◦ 停机(Stop)模式静态功耗:
- LDO 全速工作:303 μA@3.3V
- LDO 低功耗:89.47 μA@3.3V(唤醒时间:10µs)
◦ 待机(Standby)模式静态功耗:3.36 μA@3.3V(唤醒时间:150µs)
◦ 关机(Shutdown)静态功耗:0.09µA @3.3V(唤醒时间:200µs)
• VBAT 典型工作电流(VDD掉电)
◦ VBAT RTC 模式功耗:2.67 μA @3.3V
◦ VBAT 模式功耗:2.19 μA @3.3V(RTC 关闭,备份寄存器保持)
• 算术运算协处理器(COALU)
◦ 实现 ARM® Cortex® -M4 内核支持的绝大部分算术指令。
◦ 32 位单精度浮点运算
◦ 支持多种自定义的 32 位及 64 位算术运算。
DMA 控制器
◦ 2 个独立 DMA 控制器:DMA1 和 DMA2
◦ DMA1 提供 7 路通道
◦ DMA2 提供 5 路通道
◦ 支持 Timer、ADC、SPI、I2C、USART 等多种外设触发。
存储器
◦ 527 Kbyte 的 Flash 存储器,包括主区 Flash 512 Kbyte,Information 空间 15 Kbyte。当 CPU 主 频不高于 24 MHz 时,支持 0 等待总线周期,具有代码安全保护功能,可分别设置读保护和 写保护。
◦ 1 Kbyte CPU 指令 Cache 缓存
◦ 具有 64Kbyte SRAM 和 32Kbyte CCM SRAM ◦ FSMC 模块可外挂 1 GB NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存储器(其中,256 Mbyte 的空间可以存 放指令,可用于片内 Cache 缓存)。
◦ QSPI 模块可外挂 256 Mbyte NOR Flash 存储器(可存放指令,用于片内 Cache 缓存)。
◦ 内置指令加解密功能,放在片内存储器和外挂存储器的指令可实现千芯千面的密文存储。
• 时钟
◦ 外部 HSE 时钟:支持 4 ~ 32 MHz 晶振
◦ 外部 LSE 时钟:32.768 kHz 晶振
◦ 内部 HSI 时钟:56 MHz/28MHz/8 MHz
◦ 内部 LSI 时钟:40 kHz
◦ PLL 输出时钟:120MHz(最大值)
复位
◦ 外部管脚复位
◦ 电源复位
◦ 软件复位
◦ 看门狗(IWDG 和 WWDG)定时器复位
◦ 低功耗管理复位
• 安全加密
◦ TRNG 真随机数发生器
◦ 128/192/256 位密钥长度可配的 AES
◦ HASH(SHA-256)
◦ CRC32
• 数据通讯接口
◦ 6 路 USART
◦ 3 路 SPI(均支持 I2S 协议)
◦ 2 路 I2C
◦ 1 路 SDIO
◦ 2 路 CAN 2.0 A/B
◦ 1 路全速(FS)USB
• 音视频数据接口
◦ 1 个数字照相机接口(DCMI)
◦ 4 路 TFT 接口
◦ 1 个串行音频接口(SAI),包括 2 个独立的音频协议处理模块
• 定时器及 PWM 发生器
◦ 高级定时器:TIM1/TIM8(6 路带死区互补 PWM 输出)
◦ 通用定时器:TIM2/TIM3/TIM4/TIM5(16 位定时器)
◦ 基本定时器:TIM6/TIM7(支持 CPU 中断、DMA 请求和 DAC 转换触发)
• 可编程电压检测(PVD)
◦ 8 级检测电压门限可调
◦ 上升沿和下降沿检测可配置
• 片内模拟外设
◦ 3 个 12 位 1 MSPS ADC(共 25 路模拟信号输入通道;其中 2 路弱驱动信号输入通道和 1 路 5 V 高压信号输入通道);支持双 ADC 模式,采样率最高 2 MSPS。
◦ 2 个 12 位 DAC
◦ 1 个温度传感器
◦ 1 个 0.8 V 内部参考电压源
◦ 1 个 VBAT 电源电阻分压器(分压器输出在片内与 ADC 相连,实现 VBAT电源电压监控)
◦ 4 路 COMP 电压比较器(与片内 2 个高级 PWM 定时器互连,可为用户节省电机方案中板 级 COMP 电压比较器及相关电路)
ID 标识
◦ 每颗 HK32AUTO39A-3A 芯片提供一个唯一的 96 位 ID 标识
• 调试及跟踪接口
◦ SW-DP 两线调试端口
◦ JTAG 五线调试端口
◦ ARM DWT、FPB、ITM、TPIU 调试追踪模块
◦ 单线异步跟踪数据输出接口(TRACESWO)
◦ 四线同步跟踪数据输出接口(TRACEDO[3:0],TRACECKO)
◦ 自定义 DBGMCU 调试控制器(低功耗模式仿真控制、调试外设时钟控制、调试及跟踪接口 分配)。
• 通用输入输出端口(GPIO)
◦ 64 脚 MCU 提供 51 个 GPIO 引脚,100 脚 MCU 提供 80 个 GPIO 引脚
◦ 所有 GPIO 引脚可配置为外部中断输入
◦ 内置可开关的上、下拉电阻 ◦ 支持开漏(Open-Drain)输出
◦ 支持施密特(Schmitt)迟滞输入
◦ 输出驱动能力超高、高、中、低四档可选
◦ 提供最高 40 mA 驱动电流 • RTC 时钟计数器,配合软件记录年月日时分秒
• 可靠性
◦ 通过 HBM3000V/CDM500V/MM200V/LU200mA 等级测试
• 工作温度范围
◦ 工作温度为-40°C ~ 105°C: - HK32AUTO39A-3ACET7
◦ 工作温度为-40°C ~ 125°C: - HK32AUTO39A-3ACET3 - HK32AUTO39A-3ARET3 - HK32AUTO39A-3AVET3
引脚
电源供电电路图
方框图