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德州仪器TMS320F28035PAGQ微控制器将 C28x 内核和控制律加速器 (CLA) 的性能与高度集成的控制外设整合到低引脚数的器件 中。该系列器件的代码与基于 C28x 的旧版代码兼容,同时具有较高的模拟集成度。 一个内部稳压器实现了单电源轨运行。HRPWM 模块经过强化,可实现双边沿控制(调频)。增设了具有 10 位内 部基准的模拟比较器,可直接进行路由以控制 PWM 输出。ADC 可在 0V 至 3.3V 的固定满量程范围内实施转换, 支持 VREFHI/VREFLO 基准的比例运算。ADC 接口已针对低开销和延迟进行了优化。特性高效 32 位 CPU (TMS320C28x) – 60MHz(16.67ns 周期时间) – 16 × 16 和 32 × 32 MAC 操作– 16 × 16 双 MAC – 哈佛 (Harvard) 总线架构 – 连动运算 – 快速中断响应和处理 – 统一存储器编程模型 – 高效代码(使用 C/C++ 和汇编语言)• 可编程控制律加速器 (CLA) – 32 位浮点数学加速器– 独立于主 CPU 之外的代码执行 • 字节序:小端字节序 • 支持 JTAG 边界扫描– IEEE 标准 1149.1-1990 标准测试访问端口和边界扫描架构• 器件和系统均可实现低成本: – 3.3V 单电源 – 无电源时序要求– 集成型加电复位和欠压复位– 低功耗 – 无模拟支持引脚 • 时钟:– 两个内部零引脚振荡器 – 片上晶振振荡器和外部时钟输入– 看门狗计时器模块 – 丢失时钟检测电路• 多达 45 个具有输入滤波功能且可单独编程的多路复用 GPIO 引脚• 可支持所有外设中断的外设中断扩展 (PIE) 模块• 三个 32 位 CPU 计时器 • 每个增强型脉宽调制器 (ePWM) 中均有一个独立的 16 位计时器• 片上存储器 – 闪存,SARAM,OTP,引导 ROM 可用 • 代码安全模块• 128 位安全密钥和锁– 保护安全内存块 – 防止固件逆向工程 • 串行端口外设一个串行通信接口 (SCI) 通用异步接收器/发送器 (UART) 模块 – 两个串行外设接口 (SPI) 模块 – 一个内部集成电路 (I²C) 模块 – 一个本地互连网络 (LIN) 模块 – 一个增强型控制器局域网 (eCAN) 模块 • 增强型控制外设– ePWM – 高分辨率 PWM (HRPWM)– 增强型捕捉 (eCAP) 模块– 高分辨率输入捕捉 (HRCAP) 模块– 增强型正交编码器脉冲 (eQEP) 模块– 模数转换器 (ADC)– 片上温度传感器 – 比较器 • 高级仿真特性 – 分析和断点功能 – 通过硬件进行实时调试 • 封装– 64 引脚 PAG Thin Quad Flatpack (TQFP) 封装 • 温度Q:–40°C 至 125°C 的环境温度范围 (通过针对汽车应用的 AEC Q100 认证)应用: • 空调室外机 • 电梯门自动启闭装置驱动控制 • 直流/直流转换器 • 逆变器和电机控制 • 车载充电器 (OBC) 和无线充电器 • 自动分拣设备 • 纺织机 • 焊接机 • 交流充电(桩)站 • 直流充电(桩)站 • 电动汽车充电站电源模块 • 车辆无线充电模块 • 能量存储电源转换系统 (PCS) • 微型逆变器 • 太阳能电源优化器 • 串式逆变器 • 交流驱动器控制模块 • 线性电机分段控制器 • 伺服驱动器功率级模块 • 交流输入 BLDC 电机驱动器 • 直流输入 BLDC 电机驱动器 • 工业交流-直流 • 三相 UPS • 商用网络和服务器 PSU • 商用通信电源整流器。引脚封装功能方框图
英特尔公司推出用于下一代先进封装的玻璃基板,称这一“程碑式的成就”将重新定义芯片封装的边界,能够为数据中心、人工智能和图形构建提供改变游戏规则的解决方案,推动摩尔定律进步。·英特尔计划在本十年晚些时候开始出货。第一批获得玻璃基板处理的产品将是其规模最大、利润最高的产品,例如高端HPC(高性能计算)和AI芯片。英特尔已在玻璃基板技术上投入了大约十年时间。当地时间9月18日,芯片制造商英特尔公司宣布,在用于下一代先进封装的玻璃基板开发方面取得重大突破。在本周于美国加利福尼亚州圣何塞举行的英特尔2023年创新大会之前,英特尔宣布了这一“程碑式的成就”,并称这将重新定义芯片封装的边界,能够为数据中心、人工智能和图形构建提供改变游戏规则的解决方案,推动摩尔定律进步。该公司表示,将于本十年晚些时候使用玻璃基板进行先进封装。1971年,英特尔的第一款微处理器拥有2300个晶体管,现在该公司的旗舰芯片拥有超过1000亿个晶体管,但这种进步大部分来自于芯片电路之间宽度的微型化。如今这种进步已经放缓。由英特尔创始人戈登·摩尔发明的“摩尔定律”(半导体芯片的晶体管密度每24个月翻一番)甚至被认为已经失效。因此,英特尔一直在寻找其他方法来让芯片技术继续遵循摩尔定律。在谈论芯片设计的下一步发展时,人们关注的焦点包括填充更多内核、提高时钟速度、缩小晶体管和3D堆叠等,很少考虑承载和连接这些组件的封装基板。基板是芯片封装体的重要组成材料,主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板的作用。它们为芯片提供了结构稳定性(硅芯片非常脆弱),也是传输信号的手段。自上世纪70年代以来,基板设计发生了多次演变,金属框架在90年代被陶瓷所取代,然后在世纪之交被有机封装所取代。当前的处理器广泛使用有机基板。英特尔认为,有机基板将在未来几年达到其能力的极限,因为该公司将生产面向数据中心的系统级封装(SiP),具有数十个小瓦片(tile),功耗可能高达数千瓦。此类SiP需要小芯片(chiplet)之间非常密集的互连,同时确保整个封装在生产过程中或使用过程中不会因热量而弯曲。英特尔预计,玻璃基板具有卓越的机械、物理和光学特性,使该公司能够构建更高性能的多芯片SiP,在芯片上多放置50%的裸片(die)。特别是,英特尔预计玻璃基板能够实现容纳多片硅的超大型24×24cm SiP。玻璃基板是指用玻璃取代有机封装中的有机材料,并不意味着用玻璃取代整个基板。因此,英特尔不会将芯片安装在纯玻璃上,而是基板核心的材料将由玻璃制成。有机基板和玻璃基板的对比。与传统有机基材相比,玻璃具有一系列优点。其突出特点之一是超低平坦度,可改善光刻的焦深,以及互连的良好尺寸稳定性,这对于下一代SiP来说非常重要。此类基板还提供良好的热稳定性和机械稳定性,使其能够承受更高的温度,从而在数据中心应用中更具弹性。此外,英特尔表示,玻璃基板可实现更高的互连密度(即更紧密的间距),使互连密度增加十倍成为可能,这对于下一代SiP的电力和信号传输至关重要。玻璃基板还可将图案变形减少50%,从而提高光刻的焦深并确保半导体制造更加精密和准确。英特尔称,玻璃基板可能为未来十年内在单个封装上实现惊人的1万亿个晶体管奠定基础。为了证明该技术的有效性,英特尔发布了一款用于客户端的全功能测试芯片。这项技术最初将用于构建面向数据中心的处理器,但当技术变得更加成熟后,将用于客户端计算应用程序。英特尔提到,图形处理器(GPU)是该技术的可能应用之一,很可能会受益于互连密度的增加和玻璃基板刚性的提高。组装测试芯片基板英特尔已在玻璃基板技术上投入了大约十年时间,目前在美国亚利桑那州拥有一条完全集成的玻璃研发线。该公司表示,这条生产线的成本超过10亿美元,为了使其正常运行,需要与设备和材料合作伙伴合作,建立一个完整的生态系统。业内只有少数公司能够负担得起此类投资,而英特尔似乎是迄今为止唯一一家开发出玻璃基板的公司。与任何新技术一样,玻璃基板的生产和封装成本将比经过验证的有机基板更昂贵。英特尔目前还没有谈论产量。如果产品开发按计划进行,该公司打算在本十年晚些时候开始出货。第一批获得玻璃基板处理的产品将是其规模最大、利润最高的产品,例如高端HPC(高性能计算)和AI芯片,随后逐步推广到更小的芯片中,直到该技术可用于英特尔的普通消费芯片。
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