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参数+工作原理+应用领域，一文读懂南京微盟ME3116 DC/DC降压型稳压器
ME3116 是一款内部集成了 MOSFET 的异步整流降压型 稳压器。它在很宽的输入电压范围内（4.75V-40V）能够提供 高达 1A 的负载能力。 ME3116 系统采用 PWM 控制模式，具有很好的瞬态响应 和逐周期限流功能。同时，在轻载条件下系统自动切换到 PFM 模式，保证较高的轻载效率。 ME3116 内置功率管具有较低的 RDSON (典型值为 0.9Ω)，典型情况下效率高达 90% 。它内置了软启动和环路 补偿，以及 550K 固定工作频率，保证了产品性能的同时也大 幅度降低了产品应用所需的外围器件。 ME3116 还具有过热关断、输入欠压保护、BS 欠压保护 和短路保护。
应用信息
ME3116在正常工作状态下有相应的功能电路对芯片进行保护。温度保护模块会对结温实时监测，在温度接近极 限值的情况下会关闭芯片防止损坏。输入欠压锁定功能可以有效防止在低于正常工作电压情况下开启芯片。功率管的 栅极驱动欠压锁定保证驱动MOSFET栅极电压足够高。同时，ME3116也具有较低的关断电流，典型情况下近似为 0.7uA。
特点
反馈端基准电压 0.8V
输入电压范围 4.75V to 40V
输出电流高达 1A
工作频率 550KHZ
最大效率 90%
PWM和PFM模式自动切换
较低的关断消耗 IQ =0.7 μA （典型）
短路保护
内置软启动
内置补偿
应用场合
● 电池供电设备
● 工业级分立式电源
● 便携媒体设备
● 便携手持设备
封装形式
● 6-pin SOT23-6
典型应用图
产品型号说明
产品脚位图
脚位功能说明
封装
功能框图
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MEMS磁通门传感器研究进展
磁通门传感器是由电磁感应效应衍生出来的一类主动式感应变压器，能够感应到外界微弱的直流或低频磁场，因其在噪声、温度稳定性、磁场分辨率和灵敏度方面的优势，被广泛应用于定位跟踪、航空航天、地磁探测和电流检测等领域。目前，各类设备都朝着小型化发展，对磁通门质量、体积、功耗、集成度有了更高的要求，因此磁通门传感器的微型化研究十分必要，MEMS加工为此提供了技术基础。近期，中国科学院空天信息创新研究院传感技术国家重点实验室、中国科学技术大学微电子学院、西南应用磁学研究所等研究人员针对MEMS磁通门传感器的研究进展进行了综述分析，相关内容发表在《磁性材料及器件》期刊。研究人员简要分析了磁通门传感器的基本原理，阐述了微型磁通门传感器工艺技术的发展历史，包括微加工技术、PCB技术和MEMS技术；重点总结了MEMS磁通门结构工艺的发展历程以及MEMS正交磁通门发展状况；介绍了MEMS磁通门传感器在相应场合的应用优势与发展状况，并展望了此领域未来的研究重点。磁通门传感器是一类基于法拉第电磁感应定律的一种主动感应型变压器式器件。磁通门根据被测磁场方向与激励磁场方向的位置关系分为平行磁通门和正交磁通门两种。平行磁通门结构正交磁通门结构MEMS磁通门传感器研究近20年来，随着加工工艺的进步，微型磁通门愈发成为了一个备受关注的课题，其研究内容涵盖了微型结构设计、工艺设计、磁通门材料、信号分析与处理等多个领域，制作方式也从早期硅微加工工艺、PCB工艺发展到如今的MEMS工艺，研究者们已经初步实现了线圈的微型化和磁芯的集成。如何进一步将磁通门传感器微型化、提高微型化磁通门的性能，是磁通门研究者们不断追求的一个目标。在工艺技术研究方面，2000年，Chiesi等人第一次利用完整的CMOS工艺制作了微型磁通门传感器。2006年，Choi等人首次将双轴磁通门传感器集成到芯片上，扩大了MEMS磁通门传感器的应用领域。在结构研究方面，2017年，吕辉等人采用多孔结构对铁芯进行拓扑结构优化，降低了磁通门的功耗。2020年，Szewczyk等人通过仿真证实了磁芯长度的增加显著降低了退磁因子，提高了磁通门传感器的灵敏度。在MEMS磁通门领域中，正交型磁通门的发展尤其值得一提。正交型磁通门结构简单、功耗低，同时具有较好的灵敏度，这些特点使得正交型磁通门在MEMS领域的进一步发展十分有利。2018年，Tobias Heimfarth在原有MEMS正交磁通门的基础上对激励电流增设了直流偏置，研究证明了正交磁通门基本模型（FMOF）的可行性。随着加工工艺的进步，MEMS正交磁通门可望有良好的发展前景。MEMS磁通门传感器应用微型化磁通门传感器因其小尺寸、低成本、高集成度和高匹配性的等特性，在很多领域的应用优势十分突出，如机器人测试、电流传感器、生物磁探测、太空探测、小型无人机等领域。MEMS磁通门兼具传统磁通门鲁棒性好、灵敏度高、噪声低的特点和MEMS工艺带来的小型化、集成度高、匹配性好的优点，是探测小型设备产生的微弱磁场或被小型设备搭载探测外磁场的一个新方案。2010年，Maren Ramona等人实现了将跑道型单轴微型磁通门传感器用来测量机器人关节的角度位置，可满足并行机器人高级实时工作空间监控的需求。2020年，Sierra Luoma等人将MEMS磁通门磁力计与无人驾驶飞机结合进行地球物理勘探和环境检测，进一步提高了所测地磁场的精度和分辨率，产生了具有强边缘特征和消磁信号的高分辨率地图。磁通门传感器可以在常温工作，无需与磁场源保持一定距离，它使用主动驱动，低频噪声低，是探测生物磁场的一个有利选择。2019年，Carlo Trigona等人利用MEMS柔性RTD磁通门对神经退行患者大脑的特定位置所积累的铁磁物质进行实时探测，与目前其他磁探测相比，MEMS磁通门传感器的功耗更低、体积更小、空间分辨率更高。2015年3月，美国航天局启动了“磁层多尺度任务”，该航天器搭载了模拟磁通门磁强计和deltasigma磁通门磁强计，并集成了奥地利IWF格拉茨开发的定制专用集成电路，有效解决了传统磁通门因体积重量无法装载于此类航天器的问题，为太空探测提供了一些新思路。总而言之，MEMS磁通门是一项非常有前景的技术，不仅能满足各种场合对小尺寸、高精度、低功耗、高鲁棒性等的要求，还可以满足高集成度、高匹配性、低成本的要求，给各领域的磁测量提供了新的方案。未来，MEMS磁通门传感器需要进一步优化其结构、制作工艺、磁芯材料、电路匹配，以获得灵敏度更高、噪声更低、结构适配度更好的探头。目前基于MEMS工艺的二维磁通门传感器技术已经相当成熟，相信随着MEMS技术的发展，可集成的MEMS三轴磁通门传感器亦将为时不远。
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网传AMD再次进军手机芯片领域，能否打破PC厂商折戟移动市场的“诅咒”
近日，业内突传AMD将进军手机芯片领域。外媒报道，AMD计划进入到智能手机市场中，并可能推出类似APU的“Ryzen AI”移动SoC。不久后，台媒爆料称，AMD的手机芯片将采用台积电3nm制程生产，并让台积电3nm产能利用率维持满载。以此来看，AMD此次想要进入手机芯片领域，已成为大概率事件？如果成真，也让AMD成为继英特尔、英伟达之后，第三家知名PC芯片企业再次试水手机芯片，而此前的两家公司在这一领域已经折戟，不知AMD未来结局如何。AMD再次闯进手机芯片领域许多人可能有疑惑，AMD为何这么晚才进入到移动芯片领域，其实早在21世纪初，AMD便已经涉足过移动市场。2008年，AMD便宣布了Imageon手机处理器产品线，志在为手机产品和手提电话带来3D加速功能。而AMD Imageon，原为2002年所发布的ATI Imageon，后在2006年被AMD收购，因此改名为AMD Imageon。彼时AMD的产品共有3颗Imageon芯片以及2款手机显示核心，显示核心包括一款3D图形核心和一款矢量图形核心。例如AMD Z180 OpenVG 1.x矢量图形核心则是当时市场上唯一的掌上设备硬件加速矢量图形显示解决方案。如果能够持续做下去，说不定AMD就能够获得比高通当前的市场更大的芯片版图。不过在2009年，高通以6500万美元现金收购AMD的移动设备资产，取得了AMD的矢量绘图与3D绘图技术、相关知识产权，不用再向AMD缴纳技术授权费用。但这次收购并不包括AMD的Imageon图形芯片与移动设备用的多媒体芯片，AMD仍然保留着Imageon产品的权利，不过以后不会继续更新。而高通依靠着AMD的手机图形技术，发展出了自家的Adreno图形处理器，再结合自身的CPU与移动通讯解决方案，从而一举奠定自身移动处理器霸主地位。当然，AMD此后十余年也确实不在关注移动市场，只专注在PC端，但失去的时间哪有这么容易拿回来，只能慢慢做一些尝试。2022年，三星发布了一款全新的移动高端处理器Exynos 2200，这款产品并未沿用过去ARMMali GPU超频的方式，而是引入了与AMD合作开发的Xclipse 920 GPU，AMD主要为这款GPU提供基于RDNA 2架构的支持，帮助三星手机实现光线追踪图像处理能力。但由于三星自身性能不太好的CPU，加上了一个性能优越的GPU，反而让Exynos 2200不仅发热严重，性能表现也不佳。甚至于在后续的三星Galaxy系列手机中，直接取消了Exynos芯片的版本。可以说，在移动芯片领域中，AMD不仅是起了个大早，连晚集也没有赶好，导致AMD在移动领域的口碑一直无法积累。而今AMD意图再次进入到移动芯片赛道中，不知道是否能够在这一领域站稳脚跟，我们只能拭目以待。PC市场的霸主，为何很难在移动芯片市场成功？AMD想要进入移动芯片领域，所期望达成的战略目标很明确，在PC芯片市场，AMD与英特尔竞争激烈；在GPU市场，又面临英伟达的挑战。进入手机芯片市场，AMD可以与高通、联发科等展开竞争，打破现有市场格局，提升自身在全球芯片市场的地位和影响力。并且随着云计算、边缘计算等领域的兴起，移动设备作为重要的终端设备，对于整体计算生态有着重要影响。AMD可能希望通过进入移动市场，加强其在整个计算产业链中的地位，实现更长远的战略目标。但这些目标同样适用于AMD的竞争对手们，比如英特尔、英伟达。巧合的是，这两家企业也同样在移动芯片领域投入不小，但却同样的都未取得成功。以英特尔为例，2003年，英特尔推出了第一款基于移动设备的处理器PXA800F，该处理器采用0.13μm的制程工艺，整合了GSM/GPRS基带解决方案、高性能应用处理器和闪存等，但英特尔的移动部门当时并未取得理想的成绩，于2006年将通信与应用处理器部门出售给了Marvell。后来，英特尔收购了英飞凌移动部门，并推出了采用自家X86架构的Atom处理器。但也正由于采用了X86架构，导致大量软件无法适配，更别说该处理器还采用了外挂基带，由于适配率低，即便性能卓越，也让Atom处理器无用武之地，2016年后英特尔便开始逐渐退出智能手机市场。英伟达则是在2008年推出了Tegra处理器，集成英伟达的Geforce GPU，专门面向移动端设备。甚至到了Tegra 3的推出，还受到不少手机厂商的支持。但随着Tegra 4的推出，由于依然采用老旧的Geforce ULP分离渲染架构，且需外挂基带，导致其在市场上竞争力不足。尽管随后英伟达推出了集成4G基带芯片的Tegra 4i芯片，但为时已晚，性能相比同期的高通骁龙800已无优势，并未获得市场青睐。此后，英伟达便逐渐退出了手机市场。很明显，不管是英特尔还是英伟达，其在手机芯片的性能表现上都还不错，但由于基带整合问题、功耗严重、兼容性问题等，导致其最终失败，而AMD想要成功，需要避免走上这两家企业的老路。毕竟相对于PC端，移动端用户不仅对性能有一定要求，对于功耗同样有着很高的需求。这对于过去总在PC端制造芯片的企业而言，这一领域无疑是一块空白。当然，此次从透露出来的消息看，AMD选择采用台积电3nm制程来制造芯片，有望能够在性能与功耗上找到一个平衡，并且依靠AMD本身强大的GPU技术底蕴，推出一款实力强大的移动端产品。
哦! 它是空的。