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近日,著名咨询公司麦肯锡发表了一份SiC市场的分析报告,其中电动汽车市场以及SiC市场的最新预测数据值得我们关注。
电动汽车以及SiC市场预测麦肯锡从2018年到2022年之间的数据预测,到2030年电动汽车在全球轻型汽车市场中的份额将增长3.8倍,从大约1700万辆增加至6400万辆,市场份额从2022年的19%增长至2030年的67%。预计到2024年或2025年,多个国家的电动汽车总拥有成本将会与内燃机汽车持平,这样的预期也推动了电动汽车市场的增长。SiC在电动汽车中主要被应用于逆变器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能够提供更高的开关频率、热阻和击穿电压,从而有效提高电动汽车的工作效率并降低系统总成本。因此,随着电动汽车市场的增长,SiC也将迎来高增长阶段。麦肯锡报告显示,SiC器件市场在2022年的价值约为20亿美元,预计到2023年将达到110亿美元至140亿美元,年均复合增长率预计达到26%。麦肯锡预计,市场上70%的SiC需求将来自电动汽车,并认为中国是电动汽车需求最高的国家,将占到电动汽车SiC总需求的40%左右。由于对耐压以及效率的需求,目前800V平台的电动汽车上SiC器件的使用比例较高。报告分析称,到2030年,纯电动汽车(BEV)预计会占新能源汽车产量的75%,而混合动力(HEV)和插电混动(PHEV)汽车将占其余的25%。另外,到2030年,800V平台的渗透率将超过50%。SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高目前SiC市场高度集中,SiC衬底和器件市场上的前两家公司就垄断了大约60%到65%的SiC市场份额。其中,SiC市场的主要玩家采用IDM模式。根据麦肯锡的分析,SiC衬底和器件制造中采用IDM模式,能够将产量提高5%至10%,利润提高10%至15%。其中的原因包括更低的损耗率,同时还有在制造过程中的每个步骤中消除边际堆叠。通过更好地控制设计,并与晶圆和器件制造之间的闭环反馈实现更快的产量提升,可以实现更高的良率。从战略上看,IDM厂商能够为汽车OEM提供更稳定的供应,这在供应链中具备很大的优势。包括意法半导体收购Norstel、安森美收购GT Advanced Technologies (GTAT)和罗姆收购SiCrystal,都展示出SiC厂商布局IDM的趋势。在SiC晶圆方面,麦肯锡预计从6英寸晶圆向8英寸晶圆的转变将在2024年或2025年左右开始,到2030年8英寸SiC晶圆的市场渗透率将达到50%。一旦制造商成功克服了技术挑战,8英寸晶圆将为他们带来丰厚的利润收益,同时减少边缘损耗,提高生产效率,并能够充分利用硅制造中的折旧资产。根据我们对垂直整合程度的不同估计,这种转变所带来的利润增长幅度大约在5%至10%之间。美国领先的制造商预计将于2024年和2025年开始批量生产8英寸晶圆,随后这种生产将迅速增长。主要推动因素包括应对需求和价格压力(特别是来自中等规模电动汽车制造商),以及通过转向8英寸碳化硅晶圆制造实现的成本节约。分析结果显示,由于产量较低,与6英寸晶片相比,目前8英寸晶片衬底的单位价格仍相对较高。然而,随着工艺产量的提升和新晶片技术的引入,领先制造商在未来十年内有望缩小这一差距。例如,麦肯锡发现相较于传统的多线锯晶片切割技术,激光切割技术有望将一个单晶毛坯生产的晶片数量提升一倍以上。此外,先进的晶片技术如氢分裂等也有望进一步提高产能。中国本土供应商未出现行业领先者目前在中国SiC市场上,80%的衬底/晶圆以及95%以上的器件来自海外供应商,不过由于考虑到地缘政治以及供应稳定,中国汽车OEM正在加速寻求本土供应商。鉴于可见的产能扩张和器件技术性能,预计到2030年,中国汽车OEM厂商将广泛转向本地供应商采购,从目前的约15%提高到约60%。在整个碳化硅价值链中,从设备供应到晶圆和器件制造,再到系统集成,中国企业的崛起将推动中国向本地采购的转变。中国的设备供应商已经覆盖了所有主要的碳化硅制造步骤,并已宣布投资提升产能至2027年。不过,麦肯锡也认为,在中国的SiC行业中尚未出现明确的供应领导者。
电动汽车以及SiC市场预测
SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高
中国本土供应商未出现行业领先者
美光科技Micron Technology, Inc.近日宣布领先业界推出基于 32Gb 单裸片的128GB DDR5 RDIMM 内存,具有高达 8.000 MT/s 速率的一流性能,可支持当前及未来的数据中心工作负载。该款大容量、高速率内存模块特别针对数据中心和云环境中广泛的任务关键型应用,例如人工智能 (AI)、内存数据库 (IMDB) 以及需要对多线程、多核通用计算工作负载进行高效处理的场景,满足它们对于性能和数据处理的需求。美光基于 32Gb DDR5 DRAM 裸片的 128GB DDR5 RDIMM 内存采用行业领先的 1β (1-beta)制程技术,相较于采用 3DS 硅通孔 (TSV) 技术的竞品,在以下方面得到显著提升:• 容量密度提升超过 45%• 能效提升高达 24%• 延迟降低高达 16%• AI 训练性能提升高达 28%美光副总裁兼计算产品事业群总经理 Praveen Vaidyanathan 表示:“我们非常自豪美光 128GB DDR5 RDIMM 为数据中心大容量、高速内存树立了新标杆,为日益增长的计算密集型工作负载提供所需的内存带宽和容量。美光将加速提供先进技术,为设计和集成大容量内存解决方案提供更及时的支持,从而促进数据中心生态系统的发展。”美光的 32Gb DDR5 内存解决方案采用创新的裸片架构,实现了卓越的阵列效率和更大的单块DRAM 裸片容量密度。电压域和刷新管理功能有助于优化电力传输网络,实现了所需的能效提升。此外,裸片尺寸的纵横比经过优化,有助于提高 32Gb 大容量 DRAM 裸片的制造效率。通过采用 AI 驱动的智能制造技术,美光的 1β 技术节点以公司历史上的最快速度实现了成熟的良率。美光 128GB RDIMM 将于 2024 年面向支持 4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 速率的平台出货,未来还将支持高达 8.000 MT/s 速率的平台。AMD 高级副总裁暨服务器事业部总经理 Dan McNamara 表示:“美光 128GB RDIMM将为我们最新的第四代 AMD EPYC 处理器提供更大的单核心内存容量,32Gb单块DRAM 裸片能为AI、高性能计算和虚拟化等业务关键型数据企业工作负载提供更低的总体拥有成本。随着 AMD 推出下一代 EPYC 处理器助力算力提升,美光 128GB RDIMM 有望成为我们最主要的内存方案之一,通过提供大容量和出色的单核心带宽能力,满足内存密集型应用的需求。”英特尔内存与 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 博士表示:“我们期待美光基于32Gb 裸片的 128GB RDIMM 解决方案为服务器和 AI 系统市场带来更优的带宽和每瓦性能。英特尔正在基于云、AI和企业客户的总体拥有成本效益来评估该款针对关键型 DDR5 服务器平台的 32Gb 裸片内存产品。”美光32Gb DRAM 裸片拥有更高的带宽和能效,可构建符合 MCRDIMM 和 JEDEC 标准的 128GB、256GB 及更高容量 MRDIMM 产品解决方案,从而扩展更多内存产品组合。凭借行业领先的制程和设计技术创新,美光提供涵盖 RDIMM、MCRDIMM、MRDIMM、CXL 和 LP 等外形规格的一系列内存产品,助力客户轻松集成这些优化的解决方案,满足 AI 和高性能计算 (HPC) 应用对于高带宽、大容量和低功耗的需求。
TDK株式会社(TSE:6762)采用独特的设计和结构,扩充其CN系列积层陶瓷电容器(MLCC)产品。不同于以树脂层覆盖整个端电极的传统软终端MLCC,新产品的树脂层仅覆盖板安装侧,使得电流能够传输至层外,从而降低电阻。采用这一结构的软终端积层陶瓷电容器为业内首个*。通过新增CNA系列 (车载等级)和CNC 系列(商用等级)产品,可满足市场对大电容的需求。● 新产品中的树脂层仅覆盖板安装侧● 基于TDK自主设计和结构,实现高可靠性和低电阻● 新产品进一步增加了电容,3216和3225型的电容分别为22 ?和47 ?● 升级至车载等级(符合AEC-Q200标准)和商用等级TDK株式会社(TSE:6762)采用独特的设计和结构,扩充其CN系列积层陶瓷电容器(MLCC)产品。不同于以树脂层覆盖整个端电极的传统软终端MLCC,新产品的树脂层仅覆盖板安装侧,使得电流能够传输至层外,从而降低电阻。采用这一结构的软终端积层陶瓷电容器为业内首个*。通过新增CNA系列 (车载等级)和CNC 系列(商用等级)产品,可满足市场对大电容的需求。新型低电阻软终端MLCC具有3216(3.2 × 1.6 × 1.6 毫米 – 长 x 宽 x 厚)尺寸和3225(3.2 × 2.5 × 2.5 毫米 - 长 x 宽 x 厚)尺寸,电容分别为22㎌和47 ㎌,与传统产品相比电容更高,从而有助于减少元件数量和缩小尺寸。软终端MLCC可防止电源和电池线路发生短路。但由于软终端的端电极电阻略高,因此有必要保持低电阻以减少损失。车载等级CNA系列符合AEC-Q200标准。新产品将于2023年9月开始量产。而本系列产品也是对2021年9月推出的CN系列的补充,以满足对更高容量的持续需求。主要应用● 各种车载电子控制单元(ECU)的电源线路的平滑和去耦● 工业机器人等的电源线路的平滑和去耦主要特点与优势● 高可靠性,符合AEC-Q200标准● 3216和3225尺寸的电容分别达22 ? 和47 ?,实现更节约空间的设计并减少元件数量● 采用TDK独特终端结构的软终端拥有较低的电阻,与标准产品相当
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