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近日,著名咨询公司麦肯锡发表了一份SiC市场的分析报告,其中电动汽车市场以及SiC市场的最新预测数据值得我们关注。
电动汽车以及SiC市场预测麦肯锡从2018年到2022年之间的数据预测,到2030年电动汽车在全球轻型汽车市场中的份额将增长3.8倍,从大约1700万辆增加至6400万辆,市场份额从2022年的19%增长至2030年的67%。预计到2024年或2025年,多个国家的电动汽车总拥有成本将会与内燃机汽车持平,这样的预期也推动了电动汽车市场的增长。SiC在电动汽车中主要被应用于逆变器、DC-DC、OBC等核心部件上。相比以往的硅功率器件,SiC功率器件能够提供更高的开关频率、热阻和击穿电压,从而有效提高电动汽车的工作效率并降低系统总成本。因此,随着电动汽车市场的增长,SiC也将迎来高增长阶段。麦肯锡报告显示,SiC器件市场在2022年的价值约为20亿美元,预计到2023年将达到110亿美元至140亿美元,年均复合增长率预计达到26%。麦肯锡预计,市场上70%的SiC需求将来自电动汽车,并认为中国是电动汽车需求最高的国家,将占到电动汽车SiC总需求的40%左右。由于对耐压以及效率的需求,目前800V平台的电动汽车上SiC器件的使用比例较高。报告分析称,到2030年,纯电动汽车(BEV)预计会占新能源汽车产量的75%,而混合动力(HEV)和插电混动(PHEV)汽车将占其余的25%。另外,到2030年,800V平台的渗透率将超过50%。SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高目前SiC市场高度集中,SiC衬底和器件市场上的前两家公司就垄断了大约60%到65%的SiC市场份额。其中,SiC市场的主要玩家采用IDM模式。根据麦肯锡的分析,SiC衬底和器件制造中采用IDM模式,能够将产量提高5%至10%,利润提高10%至15%。其中的原因包括更低的损耗率,同时还有在制造过程中的每个步骤中消除边际堆叠。通过更好地控制设计,并与晶圆和器件制造之间的闭环反馈实现更快的产量提升,可以实现更高的良率。从战略上看,IDM厂商能够为汽车OEM提供更稳定的供应,这在供应链中具备很大的优势。包括意法半导体收购Norstel、安森美收购GT Advanced Technologies (GTAT)和罗姆收购SiCrystal,都展示出SiC厂商布局IDM的趋势。在SiC晶圆方面,麦肯锡预计从6英寸晶圆向8英寸晶圆的转变将在2024年或2025年左右开始,到2030年8英寸SiC晶圆的市场渗透率将达到50%。一旦制造商成功克服了技术挑战,8英寸晶圆将为他们带来丰厚的利润收益,同时减少边缘损耗,提高生产效率,并能够充分利用硅制造中的折旧资产。根据我们对垂直整合程度的不同估计,这种转变所带来的利润增长幅度大约在5%至10%之间。美国领先的制造商预计将于2024年和2025年开始批量生产8英寸晶圆,随后这种生产将迅速增长。主要推动因素包括应对需求和价格压力(特别是来自中等规模电动汽车制造商),以及通过转向8英寸碳化硅晶圆制造实现的成本节约。分析结果显示,由于产量较低,与6英寸晶片相比,目前8英寸晶片衬底的单位价格仍相对较高。然而,随着工艺产量的提升和新晶片技术的引入,领先制造商在未来十年内有望缩小这一差距。例如,麦肯锡发现相较于传统的多线锯晶片切割技术,激光切割技术有望将一个单晶毛坯生产的晶片数量提升一倍以上。此外,先进的晶片技术如氢分裂等也有望进一步提高产能。中国本土供应商未出现行业领先者目前在中国SiC市场上,80%的衬底/晶圆以及95%以上的器件来自海外供应商,不过由于考虑到地缘政治以及供应稳定,中国汽车OEM正在加速寻求本土供应商。鉴于可见的产能扩张和器件技术性能,预计到2030年,中国汽车OEM厂商将广泛转向本地供应商采购,从目前的约15%提高到约60%。在整个碳化硅价值链中,从设备供应到晶圆和器件制造,再到系统集成,中国企业的崛起将推动中国向本地采购的转变。中国的设备供应商已经覆盖了所有主要的碳化硅制造步骤,并已宣布投资提升产能至2027年。不过,麦肯锡也认为,在中国的SiC行业中尚未出现明确的供应领导者。
电动汽车以及SiC市场预测
SiC行业趋势:走向IDM,8英寸晶圆渗透率提高
中国本土供应商未出现行业领先者
随着5G技术的普及和应用,氮化镓在射频器件、光电子器件等领域的需求不断增加。氮化镓器件具有高频率、高功率、低损耗等优点,被广泛应用于无线通信、汽车电子、工业自动化等领域。同时,氮化镓材料的价格也在逐渐下降,使得其在市场上更具竞争力。据英飞凌官微消息,英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems)。这家总部位于加拿大渥太华的公司,为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。交易结束后,GaN Systems已正式成为英飞凌的组成部分。英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示,“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍,有助于推动低碳化进程。收购GaN Systems将显著推进公司的氮化镓技术路线图,并让我们同时拥有所有主要的功率半导体技术,进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。我们欢迎GaN Systems的新同事加入英飞凌。”目前,英飞凌共有450名氮化镓技术专家和超过350个氮化镓技术专利族,这进一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势,并将大幅缩短新产品上市周期。英飞凌和GaN Systems在知识产权、对应用的深刻理解以及成熟的客户项目规划方面优势互补,这为英飞凌满足各种快速增长的应用需求创造了极为有利的条件。根据协议,英飞凌将斥资8.3亿美元收购GaN Systems。这笔“全现金”收购交易是使用现有的流动资金来完成的。
NTS0304E是带自动方向感应的4位双电源转换收发器,支持双向电压电平转换。该器件具有8个1位输入输出端口(A和B)、一个输出使能输入(OE)和两个电源引脚(VCC(A)和VCC(B))。VCC(A)可以由介于0.95 V至3.6 V之间的任何电压供电,VCC(B)可以由介于1.65 V至5.5 V之间的任何电压供电,这使得此器件适用于任何电压节点(0.95 V、1.2 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5.0 V)之间的转换。引脚A和OE引用至VCC(A),引脚B引用至VCC(B)。引脚OE处的低电平使输出呈现高阻抗关断状态。NTS0304E特征宽电源电压范围:VCC(A): 0.95 V至3.6 V,VCC(B): 1.65 V至5.5 V无需电源排序最大数据速率开漏:2 Mbps推挽:20 Mbps更长的单触发脉冲,用于驱动更大的容性负载,同时大大减少振铃和过冲A侧输入可接受高达3.6 V的电压B侧输入可接受高达5.5 V的电压ESD防护:IEC 61000-4-2 Class 4, 8 kV接头用于B侧端口两个端口的HBM JESD22-A114E 2类均超过2000 V两个端口的CDM JESD22-C101E均超过1000 V根据JESD 78B II类 ,锁存性能超过100 mA封装方式:TSSOP14和WLCSP12额定温度范围:-40 °C至+125 °CNTS0304E应用I2C/SMBus, UART GPIO引脚方框图工作电路
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