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6月19日消息,据市场消息,台积电最近开始准备为苹果和英伟达试产2纳米产品。另外,为了开发2纳米制程,台积电将派约1000名研发人员前往位于竹科目前正在建设中的Fab 20晶圆厂工作。据了解,该厂计划在2025年开始量产。台积电的2纳米技术在相同功耗下,相比3纳米工艺的速度快10-15%;相同速度下,功耗降低25-30%。
以下是 德州仪器(TI)ULN2803ADWR 达林顿晶体管阵列 的中文参数、应用领域及功能特点的详细整理:一、核心参数封装与尺寸封装形式:SOIC-18(10.3mm×7.5mm×2.35mm,18引脚)引脚数:18引脚,表面贴装(SMD)电气特性输出类型:8通道NPN达林顿晶体管阵列集电极电流(单通道):500mA(连续),峰值1A集电极-发射极电压(VCEO):50V(最大值)输入电压范围:兼容TTL/CMOS逻辑(2.7V~5.5V)输入电流:1.2mA(典型值,每通道)保护功能集成续流二极管(每个输出通道):抑制感性负载反电动势输出钳位二极管:保护电路免受电压尖峰损害热特性工作温度范围:-40°C~+85°C(工业级)热阻(结到环境):60°C/W(典型值)二、应用领域工业控制继电器驱动、电磁阀控制、步进电机驱动PLC(可编程逻辑控制器)输出模块消费电子打印机头驱动、扫描仪电机控制家电控制(如空调、洗衣机)汽车电子车灯控制、雨刮器电机驱动车身电子模块(BCM)输出级自动化设备机器人关节驱动、气动执行器控制传感器信号放大与隔离三、功能特点高集成度设计8通道达林顿晶体管集成于单芯片,减少PCB空间占用。每个通道独立续流二极管,简化外围电路设计。强驱动能力单通道500mA连续电流,可驱动继电器、螺线管等负载。峰值1A电流,适应短时高负载需求。逻辑兼容性输入兼容2.7V~5.5V逻辑电平,可直接连接微控制器(MCU)。低输入电流(1.2mA),减少MCU驱动负担。保护功能完善续流二极管抑制感性负载反电动势,延长器件寿命。输出钳位二极管防止电压尖峰损坏电路。可靠性高工业级温度范围(-40°C~+85°C),适应恶劣环境。符合RoHS标准,无铅环保。
H桥(H-Bridge) ,因内部电路结构与H相似而得名,包含四个独立控制的开关元器件,常用于直流电机的调速、正反转等。中微爱芯推出了双通道H桥电机驱动器芯片AiP6133和单通道H桥电机驱动电路AiP6137/6138,每个H桥的输出驱动器由N沟道功率MOSFET组成,用于驱动直流电机和其他感性负载,广泛应用于运动控制类系统。产品特点功能框图1、AiP61332、AiP61373、AiP6138引脚排列1、AiP6133ETSSOP16/TSSOP16DFN162、AiP61373、AiP6138应用场景中微爱芯生产的AiP613X系列H桥驱动电路拥有低导通电阻、低功耗、配备多种保护功能等产品优势,可兼容DRV8833/7/8。应用场景广泛,是工程师值得信赖的高性能芯片!
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