4008-622-911
联发科回应与谷歌合作生产AI服务器芯片传闻
【联发科回应与谷歌合作生产AI服务器芯片传闻】财联社6月19日电，谷歌冲刺AI，传找联发科合作，携手打造最新AI服务器芯片，并将以台积电5纳米制程生产，力拼明年初量产，象征联发科正式跨足当红的AI服务器相关芯片领域。对于相关消息，联发科不回应市场传言。
- 上一篇： 揭秘加湿器的电子元器件与芯片
- 下一篇： 从内部结构看饮水机的电子元器件和芯片
推荐产品+
相关推荐
-
-
芯品发布！兆易创新推出GD32A490系列车规级MCU新品
中国北京(2023年12月7日) —— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 正式推出全新GD32A490系列高性能车规级MCU，以高主频、大容量、高集成和高可靠等优势特性紧贴汽车电子开发需求，适用于车窗、雨刷、智能车锁、电动座椅等BCM车身控制系统，以及仪表盘、娱乐影音、中控导航等智能座舱系统。GD32A490系列车规级MCU持续发挥本土供应链优势，采用成熟完善的车规工艺制程，产品开发及生产管理已通过汽车行业质量体系IATF 16949:2016认证，符合AEC-Q100车规级可靠性和安全性标准，并具备出色的静电防护和抗干扰能力。能够在极端温度、电磁干扰和振动等高风险条件下可靠运行，以应对车辆行驶环境中的严苛条件和复杂任务。▲GD32A490系列Cortex®-M4内核车规级MCUGD32A490系列车规级MCU采用Arm® Cortex®-M4内核，运行主频高达240MHz，配备了高达3072KB片上Flash，以及768KB SRAM。支持代码执行零等待，性能可达355 DMIPS。还集成了丰富外设资源，提供多达4个USART和4个UART，3个I2C，6个SPI，2个I2S，其中USART支持与LIN通信互传。为满足车载网关的应用所需，还支持2个CAN2.0B、100M以太网及USB2.0 FS/HS通信。片上集成了TFT LCD控制器及各种多媒体接口，适合车载中控、娱乐影音、仪表盘等多元化场景。GD32A490配备了3个采样速率高达2.6M SPS的12位高速ADC和2个12位DAC以支持车用电机控制，多达140个GPIO可以实现BCM模块多负载控制。该系列MCU提供了BGA176和LQFP144两种封装、四个型号选择，目前已经正式量产供货。▲GD32A490系列车规MCU产品组合GD32A490的推出进一步扩大了GD32A系列车规MCU的产品阵容。得益于GD32家族丰富完善的生态系统，用户沿用已有的GD32调试量产工具、技术文档、软硬件平台即可开发车规级项目，配套的GD32A490I-EVAL全功能评估板以及GD32A490Z-START入门级学习套件同步上市。兆易创新的产品开发和管理体系已通过ISO 26262:2018汽车功能安全最高等级ASIL D流程认证，持续以高品质和高安全性的车规产品与服务，提升国产汽车在全球的竞争力。关于GD32 MCU兆易创新GD32 MCU是中国高性能通用微控制器领域的领跑者，中国最大的Arm® MCU家族，中国第一个推出的Arm® Cortex®-M3、Cortex®-M4、Cortex®-M23、Cortex®-M33及Cortex®-M7内核通用MCU产品系列，并在全球首家推出RISC-V内核通用32位MCU产品系列，已经发展成为32位通用MCU市场的核心之选。以累计超过15亿颗的出货数量，超过2万家客户数量，45个系列550余款产品选择所提供的广阔应用覆盖率稳居中国本土首位。兆易创新GD32 MCU也是Arm®大学计划(University Program, AUP)中国首批合作伙伴、Arm® mbed™ IoT平台生态合作伙伴、RISC-V基金会战略会员、“兆易创新杯”中国研究生电子设计竞赛的冠名厂商。GD32以打造“MCU百货商店”规划发展蓝图，为用户提供最全面的系统级产品和解决方案支撑，构建智能化开发平台和完善的产品应用生态。更多信息欢迎访问GD32MCU.com。关于兆易创新兆易创新科技集团股份有限公司（股票代码603986）是全球领先的Fabless芯片供应商，公司成立于2005年4月，总部设于中国北京，在全球多个国家和地区设有分支机构，营销网络遍布全球，提供优质便捷的本地化支持服务。兆易创新致力于构建以存储器、微控制器、传感器、模拟产品为核心驱动力的完整生态，为工业、汽车、计算、消费电子、物联网、移动应用以及通信领域的客户提供完善的产品技术和服务，已通过ISO26262:2018汽车功能安全最高等级ASIL D体系认证，并获得ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等体系认证和邓白氏认证，与多家世界知名晶圆厂、封装测试厂建立战略合作伙伴关系，共同推进半导体领域的技术创新。
-
-
三星电子将于2024年量产超300层3D NAND芯片，采用双堆叠工艺
电子时报报道，为了巩固其在NAND闪存市场的领先地位，三星电子计划再次采用双堆叠技术来制造超过300层的3D NAND，旨在以生产成本优势超越竞争对手。韩国媒体《首尔经济日报》近日援引业内人士消息称，三星计划于2024年量产超过300层的第9代3D NAND。预计将采用双堆叠技术生产，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。2020年，三星从第7代176层3D NAND芯片开始首次采用双堆叠技术。近日，SK海力士宣布计划于2025年开始量产321层3D NAND，这让三星和许多业内专家都感到惊讶。SK海力士与三星战略的不同之处在于，它将采用三重堆叠技术，涉及生产三组独立的3D NAND层，每组分别堆叠为120层、110层和91层，然后组合成一个芯片。在去年10月份举办的“三星技术日2022”上，三星公布了到2030年实现堆叠多达1000层的愿景。当时，业内专家猜测，在第9代3D NAND之后，三星可能会在第10代430层产品中采用三重堆叠技术。韩国业内人士一致认为，如果不采用三重堆叠工艺，3D NAND要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。然而，三重堆叠技术和双堆叠技术在成本和效率方面仍然存在显著差异。显然，使用双堆叠工艺在原材料和生产成本方面具有优势。据报道，三星内部已准备好技术路线图，表明其第10代3D NAND将采用三重堆叠工艺。另据报道，该公司正在与东京电子（TEL）等半导体设备合作伙伴密切合作，以增强成本竞争力。业内人士指出，存储业务严重下滑后，三星的危机感更加强烈，其最新的3D NAND部署策略可以被视为迎接2024年存储市场复苏的关键一步。
哦! 它是空的。