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6月12日,据中国电科官微消息,近日,中国电科产业基础研究院美泰科技微机电系统(MEMS)传感器市场拓展有新进展,自主研发的MEMS惯性器件与系统累计实现百万级装车,并获得多家重点新能源车企50多款新能源车型定点,MEMS压力传感器与芯片获得两百万只订单,安全气囊加速度传感器完成量产定型,正在国内主流车厂开展应用验证。
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ MOSFET)。这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用 180nm 微纳加工工艺和美格纳的最新设计技术制造。这项先进的技术通过将电池间距降低 50% 和导通电阻 RDS(on) 降低 42%,增强了之前的 SJ MOSFET 迭代。因此,该产品采用相同的十瓦封装 (DPAK),同时提供 175mΩ 的低 RDS(on) 和出色的功率密度。此外,与上一次迭代相比,总栅极电荷减少了约29%,从而降低了开关损耗并提高了电源效率。事实上,该产品的电源效率是其最重要的特性之一,因为它为产品设计人员提供了各种应用的灵活性。此外,在栅极和源极之间嵌入了齐纳二极管,以增强MOSFET在应用中的鲁棒性和可靠性,并保护其免受外部浪涌和静电放电的影响。这款新型600V SJ MOSFET具有高效率、灵活设计和可靠性,可用于各种应用,包括服务器、OLED电视和笔记本电脑快速充电器。全球市场研究公司Omdia 预测,2023 年至 2027 年间,全球服务器出货量将以每年 8% 的速度增长,而全球 OLED 电视出货量将以每年 11% 的速度增长,到 2027 年将达到 930 万台。据美格纳称,该公司计划在 2024 年发布更多第 6 代 SJ MOSFET,包括带有快速恢复体二极管的 MOSFET。
MXIC旺宏MX25L8006EM2I-12G是一款工业级8Mbit串行NOR Flash存储芯片,采用标准SPI/Dual SPI接口,主打高可靠性和小体积设计,适合嵌入式系统存储程序或数据。以下是整理后的详细信息,如果贵司有芯片采购需求、BOM表配单、芯片样品测试请联系客服:18926003197。一、核心中文参数芯片类型串行NOR Flash闪存存储容量8Mbit(即1MB),结构为8m/4m × 1/2-bit接口类型SPI、双SPI(Serial/Dual SPI)时钟频率最高86MHz工作电压2.7V ~ 3.6V单电压供电典型供电电流12mA存取时间最大8ns擦除结构支持4KB扇区擦除、64KB块擦除,支持整片擦除工作温度-40℃ ~ 85℃,工业级宽温范围数据保存时间可达20年擦除寿命支持10万次擦写循环封装规格SOP-8(208mil),表面贴装(SMD)外形尺寸长度5.03mm × 宽度4mm × 高度1.55mm环保合规符合RoHS标准,无铅设计产品状态量产中(Active)二、功能特点标准灵活的接口设计:提供标准SPI串行接口和双SPI输入输出模式,兼顾兼容性和传输速度,适配绝大多数主流MCU,简化硬件设计。分区擦除灵活:支持4KB小扇区和64KB块的独立擦除操作,无需整片擦除即可更新局部数据,适合频繁修改小容量数据的场景,提升擦写效率。工业级可靠性:宽温范围设计支持工业场景的复杂环境,数据保存时间长、擦写寿命高,稳定性和耐用性满足长期运行需求。小体积低成本:采用标准SOP-8封装,体积小巧,单芯片容量满足小型嵌入式系统的程序存储需求,整体方案成本较低。三、典型应用领域这款小容量工业级串行Flash主要用于嵌入式系统的非易失性存储,典型应用场景包括:工业控制设备:工业传感器、PLC控制器、数据采集模块存储运行程序和配置参数;消费电子:机顶盒、路由器、小家电存储固件和用户配置数据;汽车电子:车载控制模块、行车记录仪存储程序和运行数据;物联网设备:低功耗智能传感器、蓝牙/WiFi模块存储固件和连接参数。
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