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索尼正挑战onsemi安森美汽车CIS的市场地位
媒体消息，索尼的CMOS图像传感器（CIS）业务正飞速发展，并将延伸至全球汽车市场，目标是挑战行业领导者安森美的市场地位并超越。目前索尼正主导日本市场。
目前特斯拉Model 3配备8个摄像头，而索尼与本田的合资公司，正计划推出配备20多个摄像头的电动汽车Afeela。研究机构预计汽车CIS市场将继续扩大，规模从2022年的22亿美元增长至2028年的37亿美元。
尽管安森美目前在该市场占据主导地位，但索尼的目标是到2025财年（2025年4月至2026年3月）占据39%的市场份额，比2021财年9%的份额大幅增长。
安森美已经察觉到索尼的野心，并未坐以待毙，公司高管于2023年10月底至11月初访问日本，与汽车客户进行业务讨论。安森美表示，计划2024年开始在日本生产部分CIS，以稳定供应链，同时还宣传了其“智能传感”技术和HDR（高动态范围）技术的优势、LED无闪烁功能。
在演示中，安森美用配备索尼图像传感器的摄像头，与采用安森美传感器的摄像头进行对比，展现其更小的尺寸、更高的性能。安森美声称，不会放弃汽车CIS市场的领先地位。
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防反接保护电路设计，防反接保护电路图
防反接保护电路二极管管型防反接保护电路1、通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1所示图1、一只串联二极管保护系统不受反向极性影响，二极管有0.7V的压降这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd=2A×0.7V=1.4W，这样效率低，发热量大，要加散热器。2、另外还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永远有正确的极性(图2)。这些方案的缺点是，二极管上的压降会消耗能量。输入电流为2A时，图1中的电路功耗为1.4W，图2中电路的功耗为2.8W。图2 是一个桥式整流器，不论什么极性都可以正常工作，但是有两个二极管导通，功耗是图1的两倍MOS管型防反接保护电路图3利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFETRds(on)已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端，其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。具体N沟道MOS管防反接保护电路电路如图3示图3. NMOS管型防反接保护电路图N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候，R1提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小，2A的电流，功耗为(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。
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哦! 它是空的。