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媒体消息,索尼的CMOS图像传感器(CIS)业务正飞速发展,并将延伸至全球汽车市场,目标是挑战行业领导者安森美的市场地位并超越。目前索尼正主导日本市场。
ADI亚德诺公司生产的MAX77654芯片提供高度集成电池充电和电源方案,适用于尺寸和效率至关重要的低功耗应用。器件具有SIMO升/降压调节器,提供三路独立可编程电源轨,采用单电感,可最大程度减小方案尺寸。两个100mA LDO提供纹波抑制,适用于音频和其它噪声敏感的应用。LDO也可配置为负载开关,通过在不需要供电时断开外部电路来降低功耗。高度可配置的线性充电器支持较宽范围的Li+电池,包括电池温度监测,进一步提高安全性(JEITA)。器件包括3个GPIO和1个模拟多路复用器,将多路内部电压和电流切换至外部节点,便于利用外部ADC进行监测。双向I2C串行接口允许配置和检查器件的状态。内部开/关控制器为调节器提供受控的启动顺序,并在器件工作时提供监控功能。丰富的工厂可编程选项允许针对众多应用定制器件,支持较快的上市时间。MAX77654功能框图MAX77654引脚图MAX77654电路图MAX77654优势和特点低功耗出厂运输模式(<200nA IQ)关断电流:300nAIQ典型值为6μA,在低功耗模式下使能所有输出(3个SIMO和2个LDO)智能Power Selector™ Li+/Li聚合物电池充电器可编程充电电流:7.5mA至300mA可编程充电电压:3.6V至4.6V可编程终止电流:0.375mA至45mA用于安全充电的JEITA电池温度监控器单电感多输出(SIMO)稳压器3个降压/升降压稳压器,1个电感器输入电压范围:2.5V至5.5V输出电压范围:0.8V至5.5V总输出电流:500mA(3.7VIN、1.8VOUT)高达91%效率(3.7VIN、1.8VOUT)低压差稳压器(LDO)2路输出可配置为LDO或负载开关(LSW)输入电压范围:1.71V至5.5V(LDO模式下)输入电压范围:1.3V至5.5V(LSW模式下)输入电压范围:0.8V至3.975V(LDO模式下)最高输出电流:100mA灵活的电源时序控制器(FPS)3个GPIO资源专用使能引脚I2C接口看门狗定时器用于功率监控的模拟MUX输出2.79mm x 2.34mm、30引脚、0.4mm间距晶圆级封装(WLP)解决方案尺寸:< 40mm2<.sup>应用领域蓝牙耳机、耳戴式设备无线扬声器健身、健康和活动监测仪可穿戴设备安全和保密监测器传感器节点便携式消费电子设备物联网(IoT)
艾迈斯欧司朗拥有三十年的专业经验,为先进的模拟和混合信号技术提供代工生产和支持服务。目前,艾迈斯欧司朗已经将先进的 180 纳米 CMOS 工艺技术整合到其全方位晶圆代工服务中。在提供先进高性能模拟/混合信号集成电路解决方案一站式服务的战略中,这是艾迈斯欧司朗的最新举措。除了晶圆制造和工艺定制,还提供:设计和工程支持、IP单元、封装和 IC集成、晶圆针测和晶圆终测。位于奥地利的艾迈斯欧司朗200mm工厂即将采用新型C18 180纳米 CMOS技术进行生产,这种技术非常适合用于工业、医疗、汽车和消费品市场的传感器和传感器接口。在汽车和医疗应用的设计中,该技术也将大显身手。艾迈斯欧司朗计划下一个季度让使用C18 180纳米技术的产品实现量产。这一技术符合行业标准,源自全球领先的半导体合同制造商,确保了100%的电气兼容性,保障备选供应能力。全新高性能工艺:模拟和混合信号设备更进一步随着C18 180 纳米 CMOS 工艺技术的引入,艾迈斯欧司朗将为客户提供更多的模拟和混合信号设备生产选择:低漏电/高密度数字库扩展模拟晶圆验收数据(WAT)参数大量高质量设备计划引入1.8V/3.3V和1.8V/5.0V双栅氧化物和三阱选择3-6个金属层原生、隔离的 CMOS 晶体管NPN 和 PNP 双极晶体管单个MIM(2fF/µm2)多种电阻类型:多晶硅、1k高分辨率多晶硅、精密多晶硅一次性可编程(OTP)存储器该工艺还支持光学涂层(适用于在晶圆上实现滤光片)和硅通孔(TSV)等先进生产技术,用以优化敏感和关键信号的导线布局。艾迈斯欧司朗的核心目标是简化这一工艺,让其运行更为顺畅。C18 180纳米CMOS工艺带有全套的工具和支持资源。艾迈斯欧司朗的工艺开发工具包(PDK)为芯片设计师提供即插即用的C18工具包,有助于提升模拟和混合信号的性能,并拥有高精度模拟模型,帮助客户在更短时间内实现产品开发和交付。最新版的hitkit设计平台极大地提升了设计效率。它不仅配备了1.8V和3.3V的NMOS和PMOS设备(包括基板型、浮动型、低漏电型和高阈值电压型多种选择),还附带了一系列全功能的无源设备,如多种电容器。此外,经过区域优化的高密度和低功耗数字库支持高达125k门电路/mm2的门电路密度。升级后的数字和模拟I/O库现包括多达6个金属层,以及额定电压可达4kV(按照人体模型)的ESD保护单元。添加了RAM和ROM内存生成服务,以及零掩码级的加法器EEPROM IP模块,使产品功能更加全面。“基于Cadence的Virtuoso自定义IC技术,新版hitkit助力设计团队加速产品上市。该hitkit为Spectre仿真平台提供精确模型,为Quantus带来提取功能,同时还为Calibre和PVS/Pegasus增加了验证套件。其还搭载了基于SKILL的PCell技术,整合成一个全方位的设计平台和经过严格验证的芯片解决方案。”C18 的多样化应用艾迈斯欧司朗的奥地利生产厂推出的C18 180 nm CMOS工艺面向全体客户开放,涵盖从客户定制设计到特殊应用和开放市场的多种产品。使用该工艺进行代工的客户将借助C18工艺来打造他们的先进混合信号产品。除核心的晶圆制造能力外,艾迈斯欧司朗代工厂还提供设备组装、专业工程、测试和鉴定等附加服务,以加速上市并减少开发压力。新工艺的引入进一步强化了艾迈斯欧司朗对ASIC(专用集成电路)客户的支持,使他们在混合信号设备方面具有明显的竞争优势。通过提供一站式服务,艾迈斯欧司朗让ASIC客户能在竞争中轻松保持领先地位。最后,艾迈斯欧司朗还计划将这一先进工艺和其相关功能应用于开放市场的标准产品中,这些优势有望成为实现多种应用场景的关键因素。C18 供应情况可随时在 C18 生产线上启动原型设计和生产。C18生产线上的常规多产品晶圆(MPW)原型设计服务将于2023年11月开始。除1.8V/3.3 V工艺版本外,2024年还将发布1.8V/5.0V版本。此后还将推出基于BCD(双极-CMOS-DMOS)的高压版本,最高可达70V。
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