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不过,张忠谋并不支持台积电赴美建厂,从一开始就是坚定拒绝的,他曾表示:“美国进入半导体制造市场是极其幼稚的行为。”近日,在一场会议场合里,张忠谋再一次谈到了美国力拼芯片生产落地,他指出:“吸引赴美设厂投资金额为520亿美元,其中390亿美元为美国政府补贴,但这是多年补贴合计总额,而台积电每年平均投资300亿美元,甚至更多,这是否能解读为美国吸引投资金额相对小。”“无论是美国‘芯片法案’或其他法案,我觉得都是蛮浪费的。”张忠谋重申。台积电再次败走美国?实际上,张忠谋不支持台积电在美国建厂并非只是情绪上的抵触,而是有充分的理论验证。1995年,台积电就曾主动公开表示,将在美国建立自己的工厂。1996年,台积电正式将这个想法付诸行动,在美国华盛顿州的卡玛斯建立自己第一座北美晶圆厂,这也是当时台积电在台湾岛外第一座8英寸晶圆代工厂。台积电首座美国工厂命名为WaferTech,最开始走的是合资路线,出资方除了台积电还有Altera、ADI和ISSI,台积电初期占股57.23%,后来台积电收购了全部股份。从1996年到2001年,WaferTech仅仅用了短短5年的时间就教育了台积电——在发达国家建厂需谨慎。按照计划,WaferTech需要在1998年初量产,不过一直拖到了当年的9月份,WaferTech才开始正式出货。并且,刚刚量产就在随后一个季度出现了数亿台币的设备折旧。与此同时,台积电开始对美国建厂的高成本有所了解,首先是人力成本高,然后是资源配比也不给力,这导致WaferTech扭亏的时间晚了一年,台积电也就没有继续扩产的打算。根据台积电的财报数据,2021年WaferTech营收仅为新台币77.35亿元,该年度台积电整体营收高达1.59万亿新台币。在美国开始表达出本土芯片制造规划并计划拉拢台积电时,张忠谋就回忆过WaferTech的经历,他表示:“我们对成本预期非常天真,最终在美国制造芯片比台湾贵了 50%,在美国建晶圆厂简直是一场噩梦。”如今,噩梦再一次上演了。自2017年开始,美政府多次邀约台积电赴美建厂,多次被台积电回绝了。从2017年至2020年,美政府和台积电之间经历了数十场会面,包括交换意见、谈判和调研等。最终,在2020年,由于胳膊拧不过大腿,台积电答应赴美建厂。这一次,台积电工厂选址在亚利桑那州。2020年5月15日,台积电正式宣布了美国建厂计划,最初承诺投入120亿美元,计划于2022年12月建设完毕,并逐步开始生产。很明显,由于疫情等原因,最终这项计划流产了。2022年底,台积电将这项计划追加到400亿美元,将建成两座工厂,分别代工5nm及3nm芯片。按照台积电的最初计划,5nm工厂将会在2024年全面运作,每月生产 2 万片芯片。但是,历史再一次重演了,由于找不到合适的工人,加上基础设施进展不达预期,5nm工厂的量产运作时间已经调整到2025年。更加让台积电恼火的事情是,正如张忠谋所言,美国《芯片法案》的投资是长期的,但是一期的费用也太少了。在台积电宣布投资增加到400亿美元时,据知情人士透露,美政府给到台积电的投资为10亿-20亿美元规模,这个补贴和当初承诺的高昂补贴似乎完全不搭边。虽然投资少,但是美政府给台积电制造的困难却不少。由于初期建厂找不到合适工人和技术人员,台积电计划从台湾当地调人去美国。不过,美政府随后知会台积电,要求台积电在美国建厂用到的材料、人力等必须由美国当地供应。这个政策颁布之后,台积电内部人士和供应商表示,保守估计,台积电美国厂的成本将会是台湾工厂的10倍。另外,有台积电WaferTech工厂管理人员表示,更大的挑战在工厂投运后,亚利桑那州水资源的短缺,以及美国工人懒散的态度将会让量产成本非常高昂。WaferTech经过这么多年的优化,利润率依然比台湾工厂低近一成,新工厂的盈利压力可想而知。强行回流代价高昂台积电没有主动意愿去美国建厂吗?当然不是,WaferTech就已经证明,不考虑其他成本方面的问题,台积电是非常看好美国建厂计划的。同时,从公司层面来说,如果各项成本都能够得到合理的控制,美国工厂会给台积电带来莫大的好处。根据相关统计数据,在台积电的股权结构中,外国资本占比高达80%,其中很大一部分是美资;在台积电的客户中,美国客户占据了64%的产能。这些数据都让台积电有动力去美国建厂。但是,美国工厂要正常运转,需要满足太多理想化的前提,这终究不是一门好生意。原因主要有三个方面。首先,全球晶圆代工产业经过长期的发展,已经在东亚形成了极高的集中度,产能主要分布在中国台湾、韩国、日本、中国大陆等东亚国家和地区,产业配套也基本围绕东亚布局。其次,东亚是出了名的人力成本低,晶圆代工除了资源密集和技术密集之外,人力资源也非常密集,好工人当然更容易出在东亚,因为他们性价比更高。第三就是张忠谋所说的投资问题。能够看到,台积电自己在美国工厂的计划投入已经超过了美国《芯片法案》的全部建厂金额。所以,张忠谋可以非常有底气地说,美国政府想要在短期内复刻一个台积电出来,那是不可能完成的任务。所以,总结而言就是,美政府在钱不到位的情况,还想要逆产业大趋势让芯片制造回流,那么总归需要人买单,或许是晶圆代工厂,或许是芯片公司,也或许是终端客户。然而,在产业下行周期里,芯片公司和终端客户都是强势一方,那么如果继续推行且产业没有反弹,台积电只能自己再一次吞下苦果。
台积电再次败走美国?
强行回流代价高昂
ST(意法半导体)的型号STM32L063R8T6属于32位MCU微控制器,结合了通用串行总线(USB 2.0无晶体)的连接能力、32 MHz频率下运行的高性能ARM®Cortex®-M0+32位RISC内核、内存保护单元(MPU)、,高速嵌入式存储器(64KB的闪存程序存储器、2 KB的数据EEPROM和8KB的RAM)以及广泛的增强型I/O和外围设备。STM32L063R8T6提供高功率效率,可实现广泛的性能。这是通过大量选择内部和外部时钟源、内部电压自适应和几种低功耗模式实现的。STM32L063R8T6提供多种模拟功能,包括一个带硬件过采样的12位ADC、一个DAC、两个超低功耗比较器、AES、多个定时器、一个低功耗定时器(LPTIM)、三个通用16位定时器和一个基本定时器,一个RTC和一个可用作时基的SysTick。它们还具有两个看门狗,一个具有独立时钟和窗口功能的看门狗,以及一个基于总线时钟的窗口看门狗。此外,STM32L063R8T6嵌入了标准和高级通信接口:最多两个I²C、两个SPI、一个I²S、两个USART、一个低功耗UART(LPUART)和一个无晶体USB。这些设备提供多达24个电容感测通道,只需为任何应用程序添加触摸感测功能。 STM32L063R8T6还包括一个实时时钟和一组备用寄存器,它们在待机模式下保持通电。STM32L063R8T6的优缺点低功耗:STM32L063R8T6通过优化的架构和核心技术,实现了低功耗设计,具有多种低功耗模式,如待机模式、停止模式和休眠模式,以满足不同应用需求。高性能:STM32L063R8T6搭载ARM Cortex-M0+内核,工作频率高达32MHz,可执行高速运算和复杂算法。它还具有丰富的存储器、多个时钟源和外设接口,能够满足需求较高的应用。丰富的外设接口:STM32L063R8T6提供了多个通用输入输出引脚(GPIO),可用于连接外部器件和传感器。此外,它还具有串口、SPI、I²C、ADC、定时器等常用外设接口,提供了灵活的连接和扩展能力。多种通信接口:STM32L063R8T6支持多种通信协议,如UART、SPI、I²C等。这使得它可以与其他设备(如传感器、显示器、无线模块)进行快速、可靠的数据传输和通信。安全性与防护:STM32L063R8T6采用了意法半导体的先进技术,提供了多重安全功能,包括硬件加密模块、存储器保护和代码保护。STM32L063R8T6的应用领域STM32L063R8T6是一款低功耗微MCU控制器,适用于多种应用领域,其主要应用领域如下:智能家居:STM32L063R8T6可用于控制和管理智能家居设备,如灯光、空调、门锁、监控摄像头等,实现智能化的家居管理和自动化控制。工业自动化:STM32L063R8T6可用于工业自动化领域,如工业控制系统、PLC、传感器和执行器的控制,以及数据采集、通信和监控等功能。医疗设备:STM32L063R8T6可应用于医疗设备,如医疗监测仪器、健康追踪器、血压计、血糖仪等,实现数据采集、处理和传输,提供医疗监护和健康管理功能。物联网:STM32L063R8T6适用于物联网应用,如智能穿戴设备、智能家居、智能城市、智能农业等,实现设备之间的通信、数据交换和互联互通。消费电子:STM32L063R8T6可用于消费电子产品,如智能手表、智能音箱、智能遥控器等,实现功能控制、数据处理和通信等。能源管理:STM32L063R8T6可应用于能源管理领域,如能源监测和管理系统,智能电网,电池管理系统等,实现能源的监测、优化和控制。STM32L063R8T6的中文参数品牌:ST(意法半导体)产品分类:32位MCU系列:STM32L0是否无铅:Yes安装类型:表面贴装封装/外壳:LQFP64工作温度:-40℃~+85℃接口:I²C, IrDA, SPI, UART/USART, USB零件状态:ActiveCPU内核:ARM Cortex-M0+核心尺寸:32-位主频速度(Max):32MHzI/O数:51程序空间容量:64KB程序空间类型:闪存工作电压(范围):1.65V~3.6V内存RAM容量:8x8KBEEPROM容量:2x8KB内核规格:32BitSTM32L063R8T6的引脚封装图STM32L063R8T6的功能方框图STM32L063R8T6的型号解释图
TVS管保护的原理:在管子两端的电压大于一定值时,TVS管被反向击穿,瞬间形成一个导通回路,将管子两端的大电流导出,并且将管子两段的电压钳制在一个固定电压,进而保护和它并联的电路。TVS管工作特性曲线如下:结合特性曲线,说明TVS如何工作。当管子两段的反向电压大于VRWM后,管子开始反向导通;反向电压大于VBR后,管子开始被击穿,此时电流开始突变;反向电压大于VCL时,管子处于雪崩击穿状态,此时流过管子的电流急剧增加,而管子两端的电压差值变化不大(电压被钳制)。在使用TVS管时:首先要明确被保护电路的工作电压,最大工作电压要小于VRWM,如果工作电压大于VRWM,那在正常工作时TVS管就会被击穿,将工作电压导入地端,电路不能正常工作;VRWM也不能太大,要略高于最大工作电压,否则不能起到保护作用;一般购买TVS管时标的电压就是VRWM,选择时只要选比工作电压略高的VRWM TVS管即可;VCL就是钳制电压,当突波持续时间较长时,VCL就是能将突波电压钳制到的电位,类似稳压二极管的稳压电位;VCL小说明TVS容易被损坏,当突波电压比VCL大很多,且时间很长时,突波电压和VCL的比值越大,TVS管越容易损坏;寄生电容也是一个考量因素,如果被保护电路是高频数据线路,则寄生电容太大,会对数据传输造成影响。单向TVS管有正负极,封装上有阴极线,使用和稳压二极管一样,反向连接。总结:挑选TVS管先看VRWM,尽量与最大工作电压接近。然后VCL尽量大,寄生电容尽量小。
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