4008-622-911
ROCKCHIP瑞芯微RK3588S样板原理图分析
今天看瑞芯微RK3588S样板原理图，看到了之前分析过的两个电路，所以截取出来与各位同好一起学习一下器件选型取值。
电路1
首先是这个控制电源的电路，感觉用的频次还是很高的，还是蛮实用的。
需要注意的是C5206和R5206是起缓启动作用的，但是由于C5206的本质是增加了PMOS的Cgs电容，所以在启动缓启动的同时，也会关断缓关断。（Cgs充放电时间都变长）可以电路需求更改电容和电阻从而更改缓启动时间。
电路2
然后在原理图中也看到了这个电平转化电路，感觉器件取值各位可以借鉴一下。
推荐产品+
相关推荐
-
-
基于兆易创新GD32F303系列的高频DC/DC变换器解决方案
车载充电器（OBC）是电动汽车和混合动力汽车的重要组成部分(HEV)。OBC通常由一个AC/DC(功率因数校正电路)和一个隔离式DC/DC转换器，如下图所示：典型两级式OBC架构随着电池容量的增加，OBC需要设计更高的功率。与OBC的功率容量越来越大相反的是，由于车内空间和冷却能力有限，因此功率密度和效率等规格也越来越高。高效率和高功率密度成为OBC的两个关键要求。宽带隙(WBG)功率器件的技术发展和应用，例如碳化硅(SiC)器件和氮化镓(GaN)器件，因其更高的开关速度、更低的开关损耗以及更低的导通电阻温度依赖性，在很多场合已经成为传统硅(Si)器件的优越替代品。系统简介CLLC(电容-电感-变压器-电感-电容)电路拓扑，具有对称谐振腔和软开关特性以及更高频率工作的能力，是实现OBC高效、高功率密度的良好选择。CLLC拓扑的设计、控制和实施架构，如下图所示：CLLC隔离DC/DC拓扑架构采用GD32F303RCT6微控制器：得益于HRPWM定时与ADC采样的高精度，使得CLLC将设计频率提高到500kHz在数字控制的可实现性上，变成了可能，从而为整机系统的高功率密度和高效率综合优化提供了控制保障GD32F303精准的PWM边沿控制：采用无传感器的同步整流控制技术，可进一步减少整机的硬件成本。独有专利支撑的平面磁集成优化方案：有效提升了整机系统效率，同时磁性元件采用PCB绕组减少了人工绕制变压器的人力成本。系统关键参数规格如下表所示：但是与传统的移相全桥、不对称LLC拓扑相比，CLLC谐振变换器存在两个谐振电感与一个变压器，占据整个车载充电器体积的25%以上，这严重影响了变换器功率密度，因此减小磁性元件的体积成为提高车载充电器功率密度的一种重要方法，前述提高开关频率可以有效减小磁性元件的体积，但由于磁芯材料和功率器件限制，通过无限制的抬升开关频率来减小磁性元件体积的做法并不可取。另一个提高功率密度的方法是使用磁集成技术，将同一个变换器中的多个磁性元件以电磁场基本理论为约束集成在一付磁芯上，如在CLLC拓扑上，将原边电感、变压器、副边电感集成至一个磁芯中，同时结合宽禁带器件的使用，可以将整体设计体积压缩至一个非常可观的体积内。绕线式与平面集成变压器示意图而在效率的提升方面，除了使用性能更好的宽禁带器件外，磁性元件的损耗优化也是一个突破方向，使用PCB铜箔作为绕组配合平面变压器的使用，相对传统利兹线绕制的变压器在损耗、散热性能上均存在较大优势，且自定义设计的磁芯在各种体积要求的工况均能满足设计要求。3.3kW双向CLLC实验样机无传感器同步整流策略原副边调制策略分别为：原边驱动信号频率来自闭环控制的计算结果，控制调频实现对输出电压的控制；同步整流控制策略为：副边同步整流信号的上升沿与原边信号一致，下降沿由控制器实时计算出的副边管导通时间控制。双向CLLC正向传输功率同步整流策略使用此方法同步整流，仅需借助控制器本身对PWM上升沿和下降沿的位置精准控制，能省去传统基于电压或电流检测方案进行的同步整流的检测芯片。软件系统框架系统软硬件配合框图2个HRPWM高分辨率PWM中断，最大定时频率600kHz。要求具有精准的对上升沿和下降沿的控制。8路12位ADC采样，分别用于采样输入电压、输入电流、原边谐振电流、输出电压、输出电流、副边谐振电流，原边谐振电容电压、副边谐振电容电压。2个普通定时器TIMER，用于控制逻辑定时。CAN总线通信用于系统状态监测。
-
-
一文搞懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC、UFS、eMCP、uMCP存储器的区别
存储领域发展至今，已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用：一、NANDNAND Flash存储器是Flash存储器的一种，属于非易失性存储器，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。按速度价格对比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC按容量大小对比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC目前主流的应用解决方案为TLC和QLC。SLC和MLC主要针对军工，企业级等应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。除此，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两大类：下面是各大NAND Flash芯片生产厂商在3D NAND Flash产品的量产状况：二、DDR、LPDDRDDR全称Double Data Rate（双倍速率同步动态随机存储器），严格的来讲，DDR应该叫DDR SDRAM，它是一种易失性存储器。虽然JEDEC于2018年宣布正式发布DDR5标准，但实际上最终的规范到2020年才完成，其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍，速率3200MT/s起，最高可达6400MT/s，电压则从1.2V降至1.1V，功耗减少30%。LPDDR是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，简称“低功耗内存”，是DDR的一种，以低功耗和小体积著称。目前最新的标准LPDDR5被称为5G时代的标配，但目前市场上的主流依然是LPDDR3/4X。DDR和LPDDR的区别？应用领域不同。DDR因其更高的数据速率、更低的能耗和更高的密度广泛应用于平板电脑、机顶盒、汽车电子、数字电视等各种智能产品中，尤其是在疫情期间，由于在家办公、网课和娱乐的增加，平板电脑、智能盒子的需求也逐步攀升，这对DDR3、DDR4的存储性能要求更高、更稳定。而LPDDR拥有比同代DDR内存更低的功耗和更小的体积，该类型芯片主要应用于移动式电子产品等低功耗设备上。LPDDR和DDR之间的关系非常密切，简单来说，LPDDR就是在DDR的基础上面演化而来的，LPDDR2是在DDR2的基础上演化而来的，LPDDR3则是在DDR3的基础上面演化而来的，以此类推。但是从第四代开始，两者之间有了差别或者说走上了不同的发展，主要因为DDR内存是通过提高核心频率从而提升性能，而LPDDR则是通过提高Prefetch预读取位数而提高使用体验。同时在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陆消费者市场。三、eMMC、UFSeMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。简单地说，eMMC=Nand Flash+控制器+标准封装eMMC具有以下优势：1.简化类手机产品存储器的设计。2.更新速度快。3.加速产品研发效率。UFS：全称Universal Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，同样是由多个闪存芯片、主控组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得到翻番。四、eMCP、uMCPeMCP是结合eMMC和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与传统的MCP相较之下，eMCP因为有内建的NAND Flash控制芯片，可以减少主芯片运算的负担，并且管理更大容量的快闪记忆体。以外形设计来看，不论是eMCP或是eMMC内嵌式记忆体设计概念，都是为了让智慧型手机的外形厚度更薄，更省空间。uMCP是结合了UFS和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与eMCP相比,国产的uMCP在性能上更为突出，提供了更高的性能和功率节省。eMMC是将NAND Flash芯片和控制芯片都封装在一起，eMCP则是eMMC和LPDDR封装在一起。对于手机厂商而言，在存储产业陷入缺货潮的关键时期，既要保证手机出货所需的Mobile DRAM，又要保证eMMC货源，库存把控的难度相当大，所以eMCP自然成为大部分中低端手机首选方案。uMCP是顺应UFS发展的趋势，满足5G手机的需求。高端智能型手机基于对性能的高要求，CPU处理器需要与DRAM高频通讯，所以高端旗舰手机客户更青睐采用CPU和LPDDR进行POP封装，这样线路设计简单，可以减轻工程师设计PCB的难度，减少CPU与DRAM通讯信号的干扰，提高终端产品性能，随之生产难度增大，生产成本也会增加。5G手机的发展将从高端机向低端机不断渗透，从而实现全面普及，同样是对大容量高性能提出更高的要求，uMCP是顺应eMMC向UFS发展的趋势。uMCP结合LPDDR和UFS，不仅具有高性能和大容量，同时比PoP +分立式eMMC或UFS的解决方案占用的空间减少了40%，减少存储芯片占用并实现了更灵活的系统设计，并实现智能手机设计的高密度、低功耗存储解决方案。综上所述简单总结一下：eMMC=Nand Flash+控制器（Controller）+标准封装UFS=eMMC的进阶版eMMC：半双工模式 UFS：全双工模式eMCP=eMMC+LPDDR+标准封装uMCP=UFS+LPDDR+标准封装
哦! 它是空的。