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赛普拉斯CY14B101LA-SZ25XIT存储芯片的参数、功能特点及应用领域
赛普拉斯CY14B101LA-SZ25XIT是基于独家QuantumTrap™量子阱技术打造的1Mb(128K×8)并行非易失性SRAM(NVSRAM)，兼具SRAM无限次读写速度与非易失性数据永久保存能力，是工业控制、医疗设备等需要高速实时数据断电不丢失场景的经典高可靠选型。
赛普拉斯CY14B101LA-SZ25XIT关键参数
存储规格：总容量1Mb（128K×8位），并行8位数据总线，异步并行访问架构
性能指标：典型访问时间25ns，SRAM侧支持无限次读写操作，无传统EEPROM/Flash的擦写寿命限制
非易失性指标：QuantumTrap存储单元擦写循环寿命≥20万次，断电后数据保存时间长达20年
供电规格：单电源供电范围2.7V~3.6V，额定工作电压3.3V，典型工作电流仅15mA，待机电流<10μA
封装与环境：采用32引脚SOIC(PDIP兼容)表面贴装封装，工业级工作温度范围-40℃~+85℃，完全符合RoHS无铅环保规范
赛普拉斯CY14B101LA-SZ25XIT功能特点
独家QuantumTrap™技术：依托赛普拉斯专利量子阱非易失性存储单元，将高速SRAM与永久非易失性存储单元合二为一，无需外接备用电池即可实现数据断电永久保存
全自动断电存储机制：仅需外接1颗小容量电容，掉电时自动触发数据从SRAM向非易失性单元的存储操作，上电后自动完成数据恢复，全程无需软件干预
极致读写性能：SRAM侧完全兼容标准异步SRAM时序，访问速度25ns，支持无限次随机读写，完全没有Flash/EEPROM的页编程等待、块擦除耗时问题
多重触发控制：支持软件指令、外部硬件引脚、自动掉电三种方式触发数据存储/恢复操作，适配不同系统的实时数据备份需求
高可靠性设计：全温域下数据保存稳定性极强，内置硬件写保护机制，可有效避免工业强干扰环境下的数据意外丢失
赛普拉斯CY14B101LA-SZ25XIT应用领域
工业控制场景：工业PLC运动控制器、数控机床、过程控制仪表的实时参数与掉电状态数据存储，依托无限次读写特性适配频繁更新的高速数据记录需求
医疗电子场景：便携式监护仪、临床检验分析仪器的实时采样数据缓存与断电备份，依托高可靠性保障医疗数据不丢失
测试测量场景：高速数据采集仪器、逻辑分析仪、频谱分析仪的高速采样数据非易失性缓存，依托25ns高速访问能力实现实时数据无丢点存储
通信网络场景：工业交换机、5G远端单元、边缘网关的关键运行日志与配置参数存储，无需电池即可实现设备掉电后配置永久保存
如果贵司有芯片采购需求、BOM表配单、芯片样品测试请联系客服：18926003197.
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