AOS万代AONR21357场效应管的参数、功能特点及应用领域

AOS万代AONR21357是一款采用先进沟槽工艺的高性能P沟道功率MOSFET，主打低导通电阻、小封装大电流能力，是消费电子与工业电源场景的主流高性价比选型。

AOS万代AONR21357关键参数

‌电气规格‌：漏源耐压‌30V‌，连续漏极电流21A(常温TA)、34A(壳温TC)，脉冲峰值电流可达136A

‌导通性能‌：VGS=-10V时最大导通电阻‌7.8mΩ‌，VGS=-4.5V时最大导通电阻‌12.3mΩ‌，阈值电压典型值1.7V

‌动态参数‌：栅极总电荷量25nC@4.5V，输入电容2830pF，上升时间18ns，下降时间66ns，开关速度表现优异

‌封装与散热‌：采用3mm×3mm 8引脚DFN-EP封装，带外露散热焊盘，壳温25℃下最大耗散功率30W

‌环境规格‌：工作结温范围‌-55℃~+150℃‌，完全符合RoHS无卤环保标准，产品处于量产活跃状态

‌可靠性指标‌：100%通过UIS非重复雪崩测试、栅极电阻测试，内置ESD防护设计，抗冲击能力强

AOS万代AONR21357功能特点

‌极致低导通损耗‌：依托万代新一代沟槽工艺，实现同封装下行业顶尖的低导通电阻，大幅降低大电流场景下的发热与功耗

‌小封装大电流能力‌：3mm×3mm超小DFN封装可承载34A连续大电流，相比传统SOP-8封装MOSFET，PCB占用面积减少70%

‌宽电压驱动适配‌：1.7V低阈值电压特性，可直接适配3.3V逻辑电平主控驱动，无需额外电平转换电路

‌高温高可靠性‌：-55℃~+150℃超宽温域工作范围，高温下导通电阻漂移小，在工业恶劣工况下仍能稳定运行

AOS万代AONR21357应用领域

‌消费电子电源场景‌：笔记本电脑AC-in负载开关、平板电脑电池充放电保护电路，依托小封装特性适配轻薄化设备设计

‌电机驱动场景‌：小功率直流电机驱动、散热风扇调速、电动工具电源开关，大电流能力可支撑中小功率电机启停控制

‌工业控制场景‌：工业板卡电源路径切换、分布式IO模块电源保护，宽温域特性适配工业现场严苛运行环境

‌便携设备场景‌：移动电源功率开关、手持检测仪器电源管理，低功耗特性延长电池续航时间

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