AOS万代代理商永芯易科技主推的AON6403是一款采用沟槽工艺的P沟道功率MOS管,主打大电流、低导通内阻的负载开关与电池保护场景,相关详情如下:
一、核心中文参数
产品类型:P沟道功率场效应管
封装规格:DFN5×6-8.带完整散热焊盘
漏源耐压Vdss:-30V
25℃连续漏极电流Id:85A
脉冲峰值漏极电流:280A
导通内阻Rds(on):≤3.1mΩ @ VGS=-10V;≤4.3mΩ @ VGS=-4.5V
耗散功率Pd:83W
热阻Rθjc:1.5℃/W
栅极总电荷量Qg:196nC @ 10V
输入电容Ciss:9.12nF
阈值电压Vgs(th):2.2V
工作结温范围:-55℃ ~ +150℃
合规属性:无卤环保,符合RoHS标准

二、核心功能特点
高低栅压适配,-10V标准驱动与-4.5V低压驱动均可正常工作,3.3V主控无需额外电平转换即可直接驱动
极低导通内阻,大幅降低大电流回路的导通发热,减少PCB散热铺铜面积,精简整机设计
DFN5×6大尺寸底部金属焊盘,散热效率极高,稳态功耗承载能力突出,适配大功率电池通路
出厂100%全检UIS雪崩参数,单次雪崩耐受能量达259mJ,感性负载关断时抗电压尖峰能力强
栅电荷参数优化,开关延时可控,体二极管反向恢复速度快,兼顾低频通断与中高频开关场景
三、主要应用领域
笔记本、储能设备的电池保护开关电路
大功率快充、移动电源的负载通路控制模块
工业设备、车载低压电源的防反接保护单元
BLDC风机、水泵电机的反向阻断开关电路
服务器、工控板的大功率供电切换电路
如果贵司有芯片采购需求、BOM表配单、芯片样品测试请联系客服:18926003197。