ISSI芯成IS61WV6416BLL-12TLI存储芯片的中文参数、功能特点及应用领域

来源:ISSI芯成| 发布日期:2026-09-01 10:59

ISSI芯成IS61WV6416BLL-12TLI是一款异步高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,核心定位面向低延迟、宽温域的工业级嵌入式存储场景,相关详情如下:

一、核心中文参数

‌存储总容量‌:1Mbit

‌存储组织形式‌:64K × 16位

‌访问时间‌:12ns

‌供电电压范围‌:2.5V ~ 3.6V

‌典型工作电流‌:45mA

‌待机电流‌:50μA

‌工作温度范围‌:-40℃ ~ +85℃工业级

‌接口类型‌:并行存储接口

‌封装形式‌:TSOPII-44-10.2mm贴片封装

‌产品状态‌:Active量产状态

二、核心功能特点

采用异步SRAM架构,无需额外时钟同步信号,读写延迟表现稳定,适配实时性要求高的控制场景

宽电压供电设计,兼容主流3.3V工业系统供电,无需额外电平转换电路

低功耗设计,待机模式下电流仅50μA,可适配电池供电类低功耗嵌入式设备

工业级宽温设计,可在-40℃~+85℃严苛环境下稳定运行,抗干扰能力强

采用标准TSOPII-44贴片封装,适配常规SMT贴片工艺,PCB布板难度低

三、主要应用领域

工业实时控制设备、伺服驱动器、运动控制器的高速数据缓存单元

通信设备协议转换模块、网络数据转发设备的临时数据存储

便携式仪器仪表、低功耗手持检测设备的运行数据缓存

汽车电子非安全类控制单元、嵌入式边缘计算节点的高速扩展存储

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