ISSI芯成IS61WV51216BLL-10MLI存储芯片的中文参数、功能特点及应用领域详情如下:
一、核心中文参数
制造厂商:ISSI芯成半导体(Integrated Silicon Solution Inc.)
产品类型:异步静态随机存取存储器(SRAM)
总存储容量:8M-bit,存储器组织为512K × 16
地址总线宽度:19bit
单端口设计:仅1个数据访问端口
最大访问时间:10ns
供电电压范围:2.4V ~ 3.6V,典型工作电压2.5V/3.3V
典型工作电流:95mA
工作温度范围:-40℃ ~ +85℃,属于工业级宽温规格
封装形式:48-Pin TFBGA(9mm × 11mm),表面贴装型
工艺技术:高性能低功耗CMOS工艺
产品状态:NRND(不建议用于新设计)
合规属性:符合欧盟RoHS有害物质限制标准
二、功能特点
完全静态运行,无需时钟或额外刷新操作,使用便捷
采用TTL兼容输入输出电平,可直接对接主流主控芯片IO口
多组中心电源和接地引脚设计,大幅提升抗噪声干扰能力
支持通过CE和OE引脚轻松实现多片存储容量扩展
支持CE引脚控制进入掉电待机模式,可大幅降低待机功耗
支持高低字节独立数据控制,可灵活适配不同位宽的数据访问需求
三、主要应用领域
工业控制设备:工业PLC、运动控制器、数据采集终端的高速实时数据缓存
通信网络设备:工业级路由器、基站远端单元的高可靠性报文临时存储
嵌入式智能终端:FPGA/ARM核心板、工业智能相机的高速图像数据缓存
车载电子设备:车载工业级控制单元、行车记录仪的关键数据实时存储
航空航天类设备:高可靠性机载设备的非易失性高速数据临时存储
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