ISSI芯成IS42S16160G-7TLI存储芯片的中文参数、功能特点及应用领域

来源:ISSI芯成| 发布日期:2026-08-21 11:52

ISSI芯成IS42S16160G-7TLI是一款工业级SDRAM存储芯片,以下为你整理完整的中文参数、功能特点及应用领域:

一、核心中文参数

‌制造厂商‌:ISSI芯成半导体(Integrated Silicon Solution Inc.)

‌存储容量‌:256Mb,存储器组织为16M × 16

‌存储类型‌:易失性SDRAM(同步动态随机存取存储器)

‌供电电压‌:3V ~ 3.6V,典型工作电压3.3V

‌时钟频率‌:143 MHz

‌访问时间‌:5.4ns~5.5ns

‌最大电源电流‌:130mA

‌工作温度范围‌:-40℃ ~ +85℃,属于工业级宽温规格

‌封装形式‌:54-TSOP II(表面贴装型,封装宽度10.16mm)

‌数据总线宽度‌:16bit,采用并联存储器接口

‌产品状态‌:NRND(不建议用于新设计)

二、功能特点

采用标准SDRAM架构,支持143MHz稳定时钟运行,数据读写效率高

工业级宽温设计,可在-40℃~+85℃严苛环境下稳定工作,适配高可靠性场景

3.3V单电源供电,外围电路设计简单,降低系统BOM成本

16位并行数据总线,支持高速突发连续数据传输,满足大流量数据缓存需求

采用TSOP-II封装,适配常规SMT贴装工艺,PCB布局难度低

三、主要应用领域

工业控制设备:PLC控制器、工业人机界面、数据采集终端的运行数据缓存

通信网络设备:工业级路由器、交换机、网关的报文数据临时存储

嵌入式智能终端:ARM/FPGA核心板、智能安防摄像头的图像数据缓存

车载电子设备:车载信息娱乐系统、行车记录仪的音视频数据临时存储

消费类电子:高端音频设备、智能家电的系统运行内存扩展

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