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Tenstorrent首席执行官Jim Keller表示,首席运营官Keith Witek推动了Tenstorrent与三星的合作,这一点非常令人兴奋。三星RSIC-V野心早在年初就有消息传出,三星将重启CPU内核的研发。知情人士透露,三星内部重新组建了一个CPU核心研发小组,并且由前AMD高级开发人员Rahul Tuli作为领头人,目标是在2027年推出使用自主内核的CPU。当时就有猜测称,三星可能会放弃ARM架构,选择采用目前大热的RISC-V架构。据悉,三星和Tenstorrent之间的合作非常深入,预计三星将为Tenstorrent提供RISC-V架构配套的工艺,这个工艺很可能是三星的4nm RISC-V工艺——SF4X工艺。三星美国代工业务负责人Marco Chisari表示:“三星正在美国扩张,我们致力于为客户提供最佳的半导体技术。三星先进的制造工艺将加速Tenstorrent在RISC-V和AI方面创新,用于数据中心和汽车解决方案。我们期待着成为Tenstorrent的代工合作伙伴。”根据相关报道,三星在RISC-V芯片代工方面已经有了一定的技术储备,且得到了客户订单。早在2019年,SemiFive负责人Cho Myung-hyun透露,该公司的芯片有采用三星的14nm LPP工艺,据悉这是三星首次涉足非ARM架构芯片代工业务。SemiFive是RISC-V巨头SiFive在韩的子公司,后者已经获得来自三星、Intel、高通等约1500亿韩元的投资,并维系超过250家生态伙伴。三星同时也是Tenstorrent的投资人,该公司曾联合现代集团向Tenstorrent注资1亿美元,目标是让Tenstorrent的AI芯片能够和英伟达的芯片抗衡。三星布局RISC-V的优势从三星和Tenstorrent的合作不难看出,三星是非常重视RISC-V发展的。同时,该公司在打造RISC-V生态方面也具有自己的优势。首先,三星本身就有长期研发CPU的经历和经验。三星自1994年就开始进军芯片领域,从事DVD芯片的研发。而后到了1996年,三星正式开始布局手机芯片。很多人可能不了解,苹果第一代iPhone采用的就是三星的 S5L8900 处理器。三星最知名的Exynos (猎户座)芯片自2011年面世之后曾经也有过 Exynos3310和Exynos7420等“神U”。虽然近些年三星在Mongoose (猫鼬) 自研ARM架构上遭遇了重创,并且丢失了在自家旗舰机上的搭载机会,但是Exynos芯片依然会在三星中端手机上得以延续。数十年的芯片研发史让三星在公版架构和深度定制架构方面都获取到了丰富的经验,为其自研RISC-V内核打下了深厚的基础。更为宝贵的是,三星这数十年的芯片研发历史中,勇于创新的形象是非常鲜明。先不说三星Exynos芯片性能如何,其敢于在公版架构和深度定制架构方面创新的勇气是值得肯定的,这也是能够实现RISC-V全自研架构不可缺少的品质。其次要谈到三星的产品优势,作为一个庞大的集团,三星有非常丰富的业务矩阵,最核心的当属三星电子,提供包括智能手机、电脑、平板、显示器、电视等在内的丰富电子产品。三星电子的存在已经在Exynos芯片上证明,能够提供优良的芯片创新沃土。并且,围绕三星代工业务也会有丰富的芯片应用机会。根据三星披露的消息,该公司自2017年就开始投入RISC-V的开发,首款产品是一款射频测试芯片。最后要说的是三星的代工优势。我们都知道,RISC-V目前是一个发展非常快速的领域,涌现出大量的初创公司和芯片流片需求,这些芯片很多都瞄准了市场前沿,比如人工智能、数据中心、嵌入式等等。那么,这些芯片就非常需要代工厂的配合,虽然台积电和英特尔也在布局RISC-V方面的代工,不过这两家公司自身产能的紧俏程度不需要他们投入太多精力去联合创新,这便是三星的机会。三星目前拥有丰富的代工工艺产线,可以满足各种RISC-V芯片创新。结语我们一直都在说,RISC-V有一个巨大的优势是没有历史性包袱,不需要为了兼容前代而去牺牲大量的性能和功耗。这一点其实和三星也很像,三星目前在芯片领域也是一副“而今迈步从头越”的态势,加上其近几年对先进制程的疯狂投入,有望重新勾画出一个极具竞争力的RISC-V生态圈。
三星RSIC-V野心
三星布局RISC-V的优势
结语
美光(Micron)NAND256W3A2BN6E 是一款高性能并行接口的 NAND Flash 存储芯片,广泛应用于工业控制、网络设备和嵌入式系统中。以下是其核心参数、功能特点及典型应用领域的详细解析:1. NAND256W3A2BN6E:核心参数一览存储容量:256 Mbit(32MB),组织结构为 32K x 8 位接口类型:并行接口(Parallel Interface),支持高速数据读写封装形式:48-TSOP(薄型小外形封装),尺寸为 18.40mm 宽,适合高密度PCB布局供电电压:2.7V ~ 3.6V,适用于标准3V系统设计工作温度范围:-40°C ~ 85°C,满足工业级环境要求数据保持时间:典型值可达 10年(在额定条件下)擦写寿命:支持 10万次编程/擦除周期,具备较高耐久性状态:目前该型号已标注为 “停产”(Discontinued),建议考虑替代型号用于新设计2. 美光:功能特点与技术优势高速访问能力:提供 50ns 的访问时间 和写入周期,适合对实时性要求较高的应用场景非易失性存储:断电后数据不丢失,适用于需要长期保存固件或日志信息的设备NAND 架构优化:采用 NAND Flash 技术,相比 NOR Flash 具有更高存储密度和更低单位成本,适合大容量数据存储需求ECC 支持友好:芯片设计兼容外部 ECC(错误校正码)机制,提升数据可靠性,常用于需要高数据完整性的系统中表面贴装设计:支持自动化贴片生产,适用于现代SMT工艺流水线3. 工业控制设备:主要应用领域网络与通信设备:用于路由器、交换机等设备中存储 固件(Firmware) 和配置文件,保障系统启动与运行稳定性。工业自动化控制系统:在PLC、HMI等人机界面设备中,用于记录运行日志、存储程序代码。医疗仪器与测试设备:存储设备校准参数、操作记录等关键信息,满足医疗设备对数据可靠性的严苛要求。消费类电子产品:曾用于早期智能设备、POS机、打印机等产品中作为主存储单元。汽车电子模块:在部分车载信息娱乐系统或ECU中用于非关键数据存储(需配合其他防护机制)。
面对近年来全球性的“芯片荒”和对供应链安全自主可控的需求,国内MCU(微处理器单元)制造商中微半导抓住机遇,积极拓展车规MCU市场,以适应汽车智能化和数字化的发展趋势。此公司创建于2001年,现已成功登陆科创板,是一家以数模混合信号芯片、模拟芯片为主营业务的企业,涉及MCU、ASIC、SoC、功率器件等多元产品范围,主要应用于消费电子、家电、工业控制、汽车电子、医疗保健、物联网等多个领域。在汽车电子领域,中微半导计划凭借先发优势,持续加大研发力度,为实现车规级芯片的自主可控做出更大贡献。根据要求,车规级芯片须具备高可靠性、一致性、安全性、稳定性以及长效性。中微半导拥有22年的MCU研发经验和平台化的资源优势,依托这一基础,他们建设出车规MCU产品矩阵,并建立了高标准的车规质量管理体系,形成了涵盖车规通用MCU和专用SoC的全面布局。其新款车规级BAT32A系列MCU已步入量产阶段,其中BAT32A237是一枚通过AEC-Q100 Grade 1认证的32位通用MCU,采用ArmCortex®-M0+内核,工作频率高达48MHz,还内置了128KB Flash、12KB SRAM和1.5KB专用DataFlash以支持汽车高效运行。这款芯片温度适应范围广,能应对复杂运行条件和严酷环境。此外,BAT32A237集成有I2C、SPI、UART、LIN、CAN总线等多样化接口,含12bitA/D转换器、温度传感器、8bitD/A转换器、比较器,可编程增益放大器,并具有多种高级定时器模块,例如1通道SysTick定时器、17通道16bit定时器、1通道15bit间隔定时器、看门狗定时器及实时时钟等。这款微控制器不仅功耗低,且支持睡眠及深度睡眠两种节能模式,设计方案灵活多变。在低功耗性能方面,它的运行功耗仅为120mA/MHz@48MHz,在深度睡眠状态下仅消耗0.7uA。值得一提的是,BAT32A237采用了集成事件联动控制器技术,可以实现在硬件模块间的直接连接,消除CPU的干预,从而提升响应速度。鉴于其优秀的可靠性、丰富完善的集成外围功能以及卓越的低功耗性能表现,BAT32A237在车载产品开发上有着广泛的适用前景。自推出至今,已得到多家著名车企的实际应用和验证,特别是在用于执行器控制的车辆门窗、灯具、开关、各类传感器、水泵阀门、15W无线充电等领域,累积销量已突破200万颗。中微半导秉承“做有价值的创新”理念,长期聚焦芯片技术升级与突破,并先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人称号。未来在汽车MCU领域,中微半导将继续加强与更多Tier 1供应商及整车厂建立长期战略合作关系,围绕车规微控制器、专用微控制器及车规模拟等产品持续投入,推出更多高安全等级32位车规级MCU,助力国产汽车芯片创新研发。此外,据中微半导半年报披露,今年上半年车规级MCU BAT32A系列产品阵容再度扩充,针对车身控制和汽车直流无刷电机应用的高性价比产品BAT32A233已经在多家 Tier1 展开内测,市场反响喜人,预计将于第三季度实现批量供货;国内首颗符合 AEC-Q100 Grade0 的产品BAT32A337正在接受第三方机构 SGS 的认证,该款产品工作温度范围为 -40°C至150°C,适用于各种复杂的汽车运行工况和严苛环境,主要用途在于汽车热管理系统。
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